Gói thầu: Mua IC các loại
[Thông báo từ bidwinner] Ra mắt bộ lọc từ khóa mới từ ngày 16-03-2024
| Thông tin | Chi tiết |
|---|---|
| Số TBMT | 20210433828-01 |
| Thời điểm đóng mở thầu | 27/05/2021 09:00:00
Đã đóng thầu
|
| Bên mời thầu | Viện Ra đa/Viện Khoa học và Công nghệ quân sự |
| Tên gói thầu | Mua IC các loại |
| Số hiệu KHLCNT | 20210407012 |
| Lĩnh vực | Hàng hóa |
| Chi tiết nguồn vốn | Ngân sách quốc phòng |
| Hình thức LCNT | Đấu thầu rộng rãi trong nước |
| Loại hợp đồng | Trọn gói |
| Phương thức LCNT | Một giai đoạn một túi hồ sơ |
| Thời gian thực hiện hợp đồng/gói thầu | 45 Ngày |
| Hình thức dự thầu | Đấu thầu qua mạng |
| Thời gian nhận HSDT từ ngày | 2021-05-12 07:18:00 đến ngày 2021-05-27 09:00:00 |
| Địa điểm thực hiện gói thầu | |
| Địa điểm mở thầu | website: http://muasamcong.mpi.gov.vn |
| Giá gói thầu | 4,487,424,000 VNĐ |
| Số tiền bảo đảm dự thầu | 50,000,000 VNĐ ((Năm mươi triệu đồng chẵn)) |
| Hinh thức bảo đảm dự thầu | Thư bảo lãnh |
| Xem nội dung TBMT gốc và tải E-HSMT | content_copySao chép link gốc |
| Theo dõi | (Bạn cần đăng nhập để sử dụng chức năng theo dõi) |
Mẫu sô 01A: PHẠM VI CUNG CẤP
| STT | Danh mục hàng hóa | Ký mã hiệu | Khối lượng mời thầu | Đơn vị | Mô tả hàng hóa | Ghi chú |
| 1 | IC hạn chế công suất | 4 | Con | Dải tần làm việc: 8.9 – 9.5GHz Công suất đầu vào (Max): 1KW Công suất đầu ra (Max): 1W Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C | ||
| 2 | IC chia công suất | 4 | Con | Dải tần: 7GHz đến 12.4GHz Suy hao: 0.7dB Độ cách ly (min): 16dB Công suất trung bình (Max): 10W Độ lệch biên độ giữa các cổng: ±0.3dB Độ lệch pha giữa các cổng: ±4 độ Hệ số song đứng: 1.7 Kích thước: 44.3x44.3x11.0mm Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +80°C | ||
| 3 | IC lọc thông dải | WBLB-T-BP-9100-300-11C / Trung quốc hoặc tương đương | 6 | Con | Dải tần: 9.2 đến 9.25GHz -Băng thông: 250MHz -Dải chắn: 50dB /9.15 và 9.3GHz -Tổn hao truyền: 3dB max | |
| 4 | IC thông dải | WBLB-T-BP-60-18-L/ Trung quốc hoặc tương đương | 6 | Con | Tần số fo: 60MHz -Băng thông: 18MHz -Dải chắn: 50dB min -Tổn hao truyền: 3dB max | |
| 5 | IC lọc thông dải | WBLB-T-BP-60-25/3-L/ Trung quốc hoặc tương đương | 6 | Con | IC lọc thông dải -WBLB-T-BP-60-25/3-L -Tần số fo: 60MHz -Băng thông: 25MHz -Dải chắn: 50dB min -Tổn hao truyền: 3dB max | |
| 6 | IC lọc thông dải | WBLB-T-BP-30-6/3-L/ Trung quốc hoặc tương đương | 6 | Con | Tần số fo: 30MHz -Băng thông: 6MHz -Dải chắn: 50dB min -Tổn hao truyền: 3dB max | |
| 7 | IC lọc thông dải | WBLB-T-BP-30-10-L/ Trung quốc hoặc tương đương | 6 | Con | Tần số fo: 30MHz -Băng thông: 10MHz -Dải chắn: 50dB min -Tổn hao truyền: 3dB max | |
| 8 | IC lọc thông dải | WBLB-T-BP-30-20/3-L/ Trung quốc hoặc tương đương | 6 | Con | Tần số fo: 30MHz -Băng thông: 20MHz -Dải chắn: 60dB min -Tổn hao truyền: 3dB max | |
| 9 | IC PLLc | 6 | Cái | Điện áp VZ: 10.25V đến 11.75V Điện áp nguồn: 4.5V đến VZ Điện áp VGATE: 10.0V đến 10.25V. Nhiệt độ làm việc: -20°C đến +80°C | ||
| 10 | IC | 6 | Cái | Tần số: 0.2GHz đến 3.7GHz Công suất đầu vào RF: -15dBm đến 0dBm. Tần số đầu vào REF: 0MHz đến 100MHz Công suất đầu vào REF: -5dBm đến 0dBm. Tần số tách sóng pha: 0MHz đến 55MHz Điện áp nguồn: 2.7V đến 5.5V. Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 11 | IC | 6 | Cái | Điện áp đầu vào(Max): 30V Slew rate: 3V/μs Điện áp nguồn: ±5V đến ±18V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 12 | IC hạn chế | 6 | Cái | Dải tần làm việc: 8.9 – 9.5GHz Công suất đầu vào (Max): 30dBm Công suất đầu ra (Max): 10dBm Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C | ||
| 13 | IC chặn cao tần | 20 | con | Tổn hao truyền: 1dB max -Dòng DC: 100mA -Xuất xứ: Minicircuits | ||
| 14 | IC lọc thông dải | BPF-A60+/ Trung quốc hoặc tương đương | 16 | con | Tần số fo: 60MHz -Băng thông: 10MHz -Dải chắn: 40dB min -Tổn hao truyền: 3dB max | |
| 15 | IC KĐ và tách sóng logarit | 30 | con | Tần số làm việc: 0.1 đến 10 Ghz Điện áp nguồn: 3.3V đến 5.5V Dải động: 50dB/8GHz Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C | ||
| 16 | IC khuếch đại | GALI-74+Mini-Circuits/Mỹ hoặc tương đương | 31 | con | Dải tần làm việc: DC – 1GHz Hệ số KĐ: 21.8dB/1GHz Hệ số tạp: 2.7dB Điểm nén 1dB: 18.3dBm/1GHz Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | |
| 17 | IC khuếch đại | MAR-6SM+ Mini-Circuits/Mỹ hoặc tương đương | 30 | con | Dải tần làm việc: DC – 2GHz Hệ số KĐ: 20.2dB/1GHz Hệ số tạp: 2.3dB Điểm nén 1dB: 3.7dBm/1GHz Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | |
| 18 | IC khuếch đại | GALI-39+Mini-Circuits/Mỹ hoặc tương đương | 30 | con | Dải tần làm việc: DC – 7GHz Hệ số KĐ: 20.8dB/0.1GHz Hệ số tạp: 2.4dB Điểm nén 1dB: 10.5dBm/0.1GHz Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | |
| 19 | IC khuếch đại | RF2637Mini-Circuits/Mỹ hoặc tương đương | 10 | con | Dải tần làm việc: 12 – 385MHz Hệ số KĐ: -48dB đến +65dB Hệ số tạp: 7.2dB Điện áp nguồn: 2.7V đến 3.4V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | |
| 20 | IC khuếch đại | SGA4586DS Mini-Circuits/Mỹ hoặc tương đương | 30 | con | Dải tần làm việc: DC – 4GHz Hệ số KĐ: 24dB/850Hz Hệ số tạp: 1.9dB Điểm nén 1dB: 10.5dBm/1GHz Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | |
| 21 | IC dao động chuẩn | 21 | con | Tần số: 10MHz Sai số tần số theo nhiệt độ: ±1.5ppm Sai số tần số theo nguồn cấp: ±0.3ppm (Vdd ±5%). | ||
| 22 | IC Bias Tee | 30 | con | Dải tần số: 10Mhz đến 10000MHz Tổn hao: 0.3dB/4GHz Độ cách ly RF-DC: 27.39dB/4GHz Dòng điện (Max): 250mA Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 23 | IC KĐ thuật toán | 74 | con | Trở kháng đầu vào: 1.6 MΩ Slew rate: 1450V/μs Điện áp nguồn: ±5V đến ±15V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C | ||
| 24 | IC KĐ thuật toán | 30 | con | Điện áp đầu vào (Max): 30V Slew rate: 3V/μs Điện áp nguồn: ±5V đến ±18V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C | ||
| 25 | IC KĐ thuật toán | 36 | con | Băng thông: 60MHz Slew rate: 2000V/μs Điện áp nguồn: ±4.5V đến ±18V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C | ||
| 26 | IC CLC dùng cho tiền khuếch đại trung tần | 82 | Cái | Trở kháng đầu vào: 1.6M Ω Băng thông: 75Mhz Slew rate: 250V/μs Điện áp nguồn: ±3.2V đến ±3.7V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 27 | IC khuếc đại thuật toán | 8 | Cái | Băng thông: 40MHz Slew rate: 2000V/μs Điện áp nguồn: ±4.5V đến ±18V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C | ||
| 28 | IC | ERA-5 National Semiconductor/Mỹ hoặc tương đương | 8 | Cái | Dải tần làm việc: DC – 4GHz Hệ số KĐ: 20.2dB/0.1GHz Hệ số tạp: 4.5dB Điểm nén 1dB: [email protected] Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | |
| 29 | IC | 4 | Cái | Tần số đàu vào: 5Mhz đến 500MHz. Độ nhay: -65dBm Dải động: 85dB. Điện áp đầu ra (Max): 1.25V Điện áp nguồn: 2.7V đến 6.5V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 30 | IC | 4 | Cái | Tần số đàu vào: 5Mhz đến 500MHz. Độ nhay: -65dBm Dải động: 85dB. Điện áp đầu ra (Max): 1.25V Điện áp nguồn: 2.7V đến 6.5V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 31 | IC | ERA-7 National Semiconductor/Mỹ hoặc tương đương | 4 | Cái | Dải tần làm việc: DC – 1GHz Hệ số KĐ: 25.1dB/0.1GHz Hệ số tạp: 2.7dB Điểm nén 1dB: 19.2dBm/0.1GHz Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | |
| 32 | IC | 4 | Cái | Điện áp vào: -2V đến +5V. Mức điện áp đầu ra: + Mức cao: +1V đến +6V + Mức cao: -2V đến +2V Điện trở đầu ra: 1.5Ω đến 5.5Ω. Điện áp nguồn: +V (min): +11V -V (min): -7V. Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 33 | IC | 4 | Cái | Dải tần làm việc: DC – 240MHz. Dải điện áp đầu vào: 0V đến 1.25V Điện trở đầu vào: 4KΩ Điện áp nguồn: 1.8V đến 1.9V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 34 | IC | 14 | Cái | Dải tần LO/RF: 10MHz-1GHz -Dải tần IF: DC-100MHz -Cách ly LO-RF: 35dB min -Cách ly LO, RF – IF: 30dB min -Tổn hao trộn: 8dB max | ||
| 35 | IC | 10 | Cái | Dải tần LO/RF: 8-10GHz -Dải tần IF: DC-500MHz -Cách ly LO-RF: 40dB min -Cách ly LO, RF – IF: 38dB min -Tổn hao trộn: 8dB max | ||
| 36 | IC soát tần | 14 | Cái | Dải tần số: 1Mhz đến 80MHz Công suất đầu vào: -10dBm đến 0dBm Điện áp nguồn: 5V±5% Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 37 | IC soát tần | 14 | Cái | Điện trở đầu vào: 97Ω đến 103Ω Hệ số tạp: 8.8dB Điểm nén 1dB: -11dBm Biên độ điện áp đầu vào(Max): ±2V Băng thông đầu ra (-3dB): 90MHz Slew rate: 275V/μs Điện áp nguồn: ±4.65V đến ±6.3V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 38 | Suy giảm RVA | 14 | con | Tần số: 20MHz đến 3000MHz Tổn hao: 3.5dB đến 40dB Công suất đầu vào (Max): +23dBm Điện áp nguồn: +5V Điện áp điều khiển: 0V đến 5V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C. | ||
| 39 | IC | ADN4664BRZ Mouser Mỹ hoặc tương đương | 6 | Cái | IC giao tiếp 2 kênh 600Mbps Số lượng máy thu: 2 Mức : LVDS | |
| 40 | IC | IC ADN4661BRZ Mouser Mỹ hoặc tương đương\ | 6 | Cái | IC giao tiếp đơn kênh 400Mbps Số lượng máy thu: 1 Mức : LVDS | |
| 41 | IC | DHS150B03Mouser Mỹ hoặc tương đương | 6 | Cái | Mô đun nguồn 150V Dòng 3A Nhiệt độ hoạt động: đến 85°C | |
| 42 | Rơ le | G6K-2F-TR DC3 Mouser Mỹ hoặc tương đương | 10 | Cái | Relay tín hiệu thấp Điện áp mở : 3VDC | |
| 43 | IC | 4 | Cái | Bộ cách ly DC to DC Công suất: 12W Input: 9-36VDC Output:5V/2.4A | ||
| 44 | IC | 9 | Cái | Điểu khiển cực Gate Dòng : 12A Điên áp nguồn nuôi: 18VDC Rise/fall time: 25ns | ||
| 45 | IC | 6 | Cái | Con DC to DC cách ly Điện áp vào: 3.3V Điện áp ra 3.3V/330mA, 2 kênh | ||
| 46 | IC | 4 | Cái | Logic 8 cổng Đầu vào: 8 Đầu ra: 1 | ||
| 47 | IC | 6 | Cái | DC to DC Đầu vào: 9-36VDC Đầu ra : 12VDC Công suất 10W | ||
| 48 | IC | 12 | Cái | DC to DC Đầu vào: 4.5-13.2VDC Đầu ra : 3.3VDC Công suất 1W | ||
| 49 | Chip GaN 100W | 27 | Cái | Tần số: 9-:-10GHz Công suất ra: 100W Gain: 15dB | ||
| 50 | Chip GaN 50W | 16 | Cái | Tần số: 9-:-10GHz Công suất ra: 50W Gain: 18dB | ||
| 51 | IC | IC 0528 Mouser Mỹ hoặc tương đương | 14 | Cái | Điện áp: 40VDC Dòng: 15A | |
| 52 | Bán dẫn | Bán dẫn I4946BEYMouser Mỹ hoặc tương đương | 6 | Cái | Mosfet Điên áp : 60VDC Dòng 6.5A | |
| 53 | Bán dẫn | Bán dẫn D50P08-25Mouser Mỹ hoặc tương đương | 3 | Cái | Mosfet Điên áp : 80VDC Dòng 50A | |
| 54 | IC DCW | 4 | Cái | Ghép coupler Tần số: 2.4 đến 7.2GHz | ||
| 55 | IC HMC | HMC326MS8GMouser Mỹ hoặc tương đương | 4 | Cái | Khuếch đại cao tần Tần số 3-4.5GHz | |
| 56 | IC | 6 | Cái | Suy giảm số Số bít: 6 Bước: 0.5dB Tần số max: 6GHz | ||
| 57 | IC | IC SZ08M5Mouser Mỹ hoặc tương đương | 9 | Cái | Logic 1 cổng Nhiệt độ hoạt động : 85 độ C max | |
| 58 | IC | IC 3863TR7Mouser Mỹ hoặc tương đương | 9 | Cái | Bán dẫn khuếch đại Hệ số KĐ: 25dB | |
| 59 | IC | 3 | Cái | Chuyển mạch cao tần Tần số : DC -4GHz Tổn hao truyền: 1.4dB | ||
| 60 | IC | IC 1711IMS8Mouser Mỹ hoặc tương đương | 9 | Cái | So sánh analog Số kênh: 1 Nhiệt độ hoạt động: 85 độ C | |
| 61 | IC | IC 5532ESMouser Mỹ hoặc tương đương | 9 | Cái | Tách sóng cao tần Tần số: 300MHz đến 7GHz | |
| 62 | IC MIC | 3 | Cái | Điều khiển Mosfet Dòng: 12A | ||
| 63 | IC | IC 0304W3Mouser Mỹ hoặc tương đương | 6 | Cái | Biến áp kiểu 304 Công suất: 3W | |
| 64 | IC | 4 | Cái | Điều khiển chuyển mạch mosfet Dòng 70A | ||
| 65 | IC | IC 7004-30.0FMouser Mỹ hoặc tương đương | 4 | Cái | Điều khiển chuyển mạch mosfet Dòng 70A | |
| 66 | IC | 28 | Cái | Bán dẫn Hệ số khuếch đại:22dB Rise/fall time: 10ns | ||
| 67 | IC | 28 | Cái | Điều khiển mosfet Dòng 35A | ||
| 68 | IC | 28 | Cái | Mosfet 100V Dòng 5.9A Điền áp điều khiển: -20V, +20V | ||
| 69 | IC | IC 90P10Mouser Mỹ hoặc tương đương | 28 | Cái | Mostfet 100V Dòng: 100A | |
| 70 | Bộ chia CS 8 đường | 8 | Cái | Tần số: 9-9.6GHz Số cổng ra: 8 Số cổng vào: 1 | ||
| 71 | IC | IC MAX232 | 3 | Cái | Giao tiếp nối tiếp Chuẩn: RS23 | |
| 72 | IC dao động chuẩn | 4 | Cái | Dao động tạch anh Tần số: 25MHz | ||
| 73 | IC | 4 | Cái | Giao tiếp 2 kênh 400Mbps Số kênh 2 Chuẩn: LVDS interface | ||
| 74 | IC | 3 | Cái | Bộ nhớ flash Dung lượng 2Mb Tần số hoạt động: 50MHz max | ||
| 75 | IC | 18 | Cái | Đệm vào ra 74245 Logic: 5VDC | ||
| 76 | IC | IC AM26LS31CDMouser Mỹ hoặc tương đương | 3 | Cái | Giao tiếp Chuẩn: RS232 | |
| 77 | IC | IC AM26LS32ACDMouser Mỹ hoặc tương đương | 3 | Cái | Giao tiếp Chuẩn: RS232 | |
| 78 | IC | IC LM1117-3.3VMouser Mỹ hoặc tương đương | 3 | Cái | ổn áp Điện áp ra: 3.3V | |
| 79 | IC | IC ASM1117 2V5Mouser Mỹ hoặc tương đương | 3 | Cái | ổn áp Điện áp ra: 2.5V | |
| 80 | IC | IC ASM1117 1V2Mouser Mỹ hoặc tương đương | 3 | Cái | ổn áp Điện áp ra: 1.2V | |
| 81 | Biến đổi tương tự số 32MHz 8 bít IC ADC CMOS 8BIT 32MSPS 28-SSOP | 154 | con | Biến độ tương tự số: 8 bit. - Tốc độ lấy mẫu: 32MSPS - Nguồn cấp: 2.7 – 5.5VDC. - Điện áp đầu vào mức cao: Min 2.4V. - Điện áp đầu vào mức thấp: Max 0.3V. - Điện áp đầu ra mức cao: Vlogic – 0.4 V (Min) - Điện áp đầu ra mức thấp: Vlogic – 0.4 V (Max). | ||
| 82 | IC | 40 | Cái | Điện trở đầu vào: 97Ω đến 103Ω Hệ số tạp: 8.8dB Điểm nén 1dB: -11dBm Biên độ điện áp đầu vào(Max): ±2V Băng thông đầu ra (-3dB): 90MHz Slew rate: 275V/μs Điện áp nguồn: ±4.65V đến ±6.3V Nhiệt độ làm việc: -40°Cđến +85°C. | ||
| 83 | IC | 118 | con | Bộ nhớ ROM 1Mbit - Độ phân dải 10 bit - Điện áp đầu vào mức cao: Min 2.0V. - Điện áp đầu vào mức thấp: Max 0.8V. - Điện áp đầu ra mức cao: Vlogic – 0.4 V (Min) - Điện áp đầu ra mức thấp: Vlogic – 0.4 V (Max). - Nguồn cấp: 9 – 33VDC. | ||
| 84 | IC Max | 64 | Cái | Điện áp vào: 6.5V đến 20V. Điện áp ra: 5V±0.05V . Dòng điện đầu ra (Max): 1A Nhiệt độ làm việc: -20°C đến +70°C | ||
| 85 | IC | 9 | Cái | Tần số: DC – 20Khz Mức điện áp vào tương tự: 1.8 đến 2.2V Trở kháng vào (Min): 1MΩ Độ phân dải: 10, 12, 14 và 16 bit. Mức điện áp vào số: + Mức cao (Min): 2V + Mức thấp (Max): 0.8V Mức điện áp ra: + Mức cao (Min): 2.4V + Mức thấp (Max): 0.4V Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C | ||
| 86 | IC | 12 | Cái | Bộ chuyển mạch kép - Số kênh: 4 kênh SPDT song song - Dải tần công tác: DC-2.4GHz - Mức suy giảm trung gian: | ||
| 87 | IC bảo vệ quá áp | 530 | con | Thời gian bảo vệ quá áp: 1us -Ngưỡng điện áp bảo vệ: lập trình được -Điện áp vào lớn nhất: 200V -Dòng tối đa: 1.5A | ||
| 88 | Vi mạch | 18 | Cái | Điện áp BVDSS(Min): 550V - Điện trở RDS(on) (VGS= 10V, ID=31.5) (Max): 0.065 Ohm. - Dòng điện IDSS (VDS= 550V, VGS=0V) (Max): 250μA - Dòng điện IDS (VDS= 440V, VGS=0V) (Max): 1000μA - Dòng điện IGSS (VGS= ±30V, VDS=0V) (Max): ±100nA - Điện áp VGS(th) (VDS= VGS, ID=5mA): 3V đến 5V - Nhiệt độ làm việc: -55°C đến +120°C | ||
| 89 | Tổ hợp | 4 | Cái | Số bit: 12 bit. - Mức điện áp: CMOS - Thời gian chuyển đổi(Max): 250μs - Nguồn nuôi: ±12V đến ±15V - Nhiệt độ làm việc: -55°Cđến +125°C | ||
| 90 | IC | 40 | Cái | Khuếch đại Điện áp nuôi: 18VDC max Dòng hoạt động 4mA | ||
| 91 | Tổ hợp | 38 | Cái | 8 cổng NAND 4 đầu vào. Điện áp làm việc: +5V đến +15V Thời gian trễ (Max): 140ns Mức logic: CMOS Nhiệt độ làm việc: -20°C đến +80°C | ||
| 92 | Tổ hợp | 30 | Cái | Phát visai Tốc độ: 10 Mbps | ||
| 93 | Tổ hợp | 30 | Cái | Nhận visai Tốc độ: 10 Mbps | ||
| 94 | IC chuyên dụng | 26 | Cái | IC phát dữ liệu LAN Tốc độ 100Mbps | ||
| 95 | Bán dẫn | 41 | Cái | Chuyển mạch tốc độ cao Công suất ra: 100W max Điện áp collector: 180V max Emiter: 6V max | ||
| 96 | IC chuyên dụng | 26 | Cái | IC thu dữ liệu LAN Tốc độ 100Mbps | ||
| 97 | IC chuyên dụng | 48 | Cái | Phát chức năng Số bít: 4 Điện áp nuôi: 5.5V max Tốc độ cao: tpd 10-50ns | ||
| 98 | IC chuyên dụng | 27 | Cái | Bọ nhớ PROM Dung lượng: 16Kb Thời gian truy cập địa chỉ: 35ns max | ||
| 99 | IC | 60 | Cái | Khuếch đại thuật toán -Điên áp offset: 10mV -Điện áp nuôi: +/-18V max -Hệ số khuếch đại điện áp: 106dB | ||
| 100 | IC | 30 | Cái | Khuếch đại thuật toán -Tốc độ 350V/us -Điện áp offset: 500uV -Băng thông : 50MHz | ||
| 101 | IC | 100 | con | Băng thông: 140 MHz (3dB, G=1) - Slew Rate: 2500V/1μs - Điện áp nguồn: ±5V đến ±15V - Dòng đầu ra (Max): 100mA - Đóng gói: N-8 - Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +80°C |
Bạn muốn tìm kiếm gói thầu thế mạnh của mình? Hãy để bidwinner quét và lọc giúp bạn:
searchBắt đầu tìm kiếm
Bạn muốn nhận thông báo mời thầu hàng ngày theo bộ lọc từ khóa thông minh qua email cá nhân?
emailĐăng ký email của tôi