Gói thầu: Mua sắm 267 danh mục vật tư, linh kiện điện tử phục vụ sửa chữa các sản phẩm ngành VTĐT-KT

Tính năng mới trên bidwinner năm 2024
Thông tin Chi tiết
Số TBMT 20210809683-00
Thời điểm đóng mở thầu 14/08/2021 16:15:00
Đã đóng thầu
Bên mời thầu Nhà máy A45/Cục kỹ thuật/Quân chủng Phòng không - Không quân
Tên gói thầu Mua sắm 267 danh mục vật tư, linh kiện điện tử phục vụ sửa chữa các sản phẩm ngành VTĐT-KT
Số hiệu KHLCNT 20210773043
Lĩnh vực Hàng hóa
Chi tiết nguồn vốn Đề án 324-KT
Hình thức LCNT Đấu thầu rộng rãi trong nước
Loại hợp đồng Trọn gói
Phương thức LCNT Một giai đoạn một túi hồ sơ
Thời gian thực hiện hợp đồng/gói thầu 30 Ngày
Hình thức dự thầu Đấu thầu qua mạng
Thời gian nhận HSDT từ ngày 2021-08-04 16:10:00 đến ngày 2021-08-14 16:15:00
Địa điểm thực hiện gói thầu
Địa điểm mở thầu website: http://muasamcong.mpi.gov.vn
Giá gói thầu 4,099,169,300 VNĐ
Số tiền bảo đảm dự thầu 50,000,000 VNĐ ((Năm mươi triệu đồng chẵn))
Hinh thức bảo đảm dự thầu Thư bảo lãnh
Xem nội dung TBMT gốc và tải E-HSMT content_copySao chép link gốc
Theo dõi (Bạn cần đăng nhập để sử dụng chức năng theo dõi)
Tiêu chuẩn đánh giá về năng lực và kinh nghiệm
keyboard_arrow_rightLịch sử không hoàn thành hợp đồng
Yêu cầu Từ ngày 01 tháng 01 năm 2018(1) đến thờiđiểm đóng thầu, nhà thầu không có hợp đồng không hoàn thành(2).
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Không áp dụng
- Từng thành viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightKết quả hoạt động tài chính
Yêu cầu Nhà thầu kê khai số liệu tài chính theo báo cáo tài chính từ năm 2018đến năm 2020(3)để cung cấp thông tin chứng minh tình hình tài chính lành mạnh củanhà thầu.
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Không áp dụng
- Từng thành viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightKết quả hoạt động tài chính
Yêu cầu Giá trị tài sản ròng của nhà thầu trong năm gần nhất phảidương.
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Không áp dụng
- Từng thành viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightDoanh thu bình quân hàng năm từ hoạt động sản xuất, kinhdoanh
Yêu cầu Doanh thu bình quân hàng năm tối thiểu là 1.0E10(4) VND, trong vòng 3(5)năm gần đây.
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Từng thành viên liên danh Không áp dụng
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightYêu cầu về nguồn lực tài chính cho gói thầu(6)
Yêu cầu Nhà thầu phải chứng minh có các tài sản có khả năng thanhkhoản cao(7) hoặc có khả năng tiếp cận với tài sản có khả năngthanh khoản cao sẵn có, các khoản tín dụng hoặc các nguồn tàichính khác (không kể các khoản tạm ứng thanh toán theo hợp đồng)để đáp ứng yêu cầu về nguồn lực tài chính thực hiện gói thầu vớigiá trị là 5.0E8 VND(8).
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Từng thành viên liên danh Không áp dụng
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightKinh nghiệm thực hiện hợp đồng cung cấp hànghoá tương tự
Yêu cầu Số lượng tối thiểu các hợp đồng tương tự(9) theo mô tảdưới đây mà nhà thầu đã hoàn thành toàn bộ hoặc hoàn thành phầnlớn(10) với tư cách là nhà thầu chính (độc lập hoặc thành viênliên danh) hoặc nhà thầu phụ(11) trong vòng 3(12) năm trở lại đây (tính đến thời điểm đóng thầu):
Số lượng hợp đồng bằng 3 hoặc khác 3, ít nhất có 01 hợp đồng có giá trị tối thiểu là 1.500.000.000 VND và tổng giá trị tất cả các hợp đồng ≥ 4.500.000.000 VND.
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Từng thành viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu (tương đương với phầncông việc đảm nhận)
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightKhả năng bảo hành, bảo trì, duy tu, bảo dưỡng, sửa chữa,cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp các dịch vụ sau bán hàngkhác(13)
Yêu cầu Nhà thầu phải có đại lý hoặc đại diện có khả năng sẵn sàngthực hiện các nghĩa vụ của nhà thầu như bảo hành, bảo trì, duy tu,bảo dưỡng, sửa chữa, cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp cácdịch vụ sau bán hàng khác theo các yêu cầu như sau:

thời gian sửa chữa, khắc phục các hư hỏng, sai sót là 20 ngày kể từ khi nhận được yêu cầu của chủ đầu tư.

- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Từng thành viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu (tương đương với phần công việc đảmnhận)
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightYêu cầu về nhân sự chủ chốt
Vị trí công việc Cán bộ quản lý
- Số lượng 1
- Trình độ chuyên môn Trình độ cao đẳng trở lên
- Tổng số năm kinh nghiệm 3
- Kinh nghiệm cv tương tự 3
Vị trí công việc Cán bộ giám sát việc giao nhận và kiểm tra, thử nghiệm vật tư hàng hóa
- Số lượng 1
- Trình độ chuyên môn Trình độ cao đẳng trở lên
- Tổng số năm kinh nghiệm 3
- Kinh nghiệm cv tương tự 3
Mẫu sô 01A: PHẠM VI CUNG CẤP

STTDanh mục hàng hóaKý mã hiệuKhối lượng mời thầuĐơn vịMô tả hàng hóaGhi chú
1Bán dẫn 2C156A2C156A8CáiĐiện áp ổn định danh định: 5,6 V tại Ist 10 mA; Ổn định Điện áp lan truyền: 4,2 ... 4,9 V; Hệ số nhiệt độ ổn áp: ± 0,05% / ° С; Dòng điện ổn định tối thiểu cho phép: 3 mA; Dòng điện ổn định tối đa cho phép: 55 mA; Công suất tiêu tán tối đa cho phép: 0,3 W; Phạm vi làm việc của nhiệt độ môi trường xung quanh: -60 ... +125 ° С.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
2Bán dẫn 2C168A2C168A100CáiĐiện áp ổn định danh định: 6,8 V tại Ist 10 mA; Hệ số nhiệt độ của ổn áp: ± 0,06% / ° С; Điện áp thuận không đổi: 1 V tại Ipr 50 mA; Điện trở vi sai: 28 Ohm tại Ist 10 mA; Dòng điện ổn định tối thiểu cho phép: 3 mA; Dòng điện ổn định tối đa cho phép: 45 mA; Công suất tiêu tán tối đa cho phép: 0,3 W; Phạm vi làm việc của nhiệt độ môi trường xung quanh: -60 ... +125°С.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
3Bán dẫn 2T203A2T203A30CáiTransistor loại P-N-PĐiện áp Uкбоmax = 45VDòng điện Ikmax = 150mATần số giới hạn lớn hơn 5HzNhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +125)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
4Bán dẫn 2T3117A2T3117A20CáiCấu trúc bán dẫn N-P-N;- UKЭ max = 60V;- UЭБ max = 4V;- Dòng điện một chiều lớn nhất: IK max = 400mA;- Dòng điện dò IKЭ ≤ 5mA khi UKЭ = 60V- Hệ số khuếch đại dòng điện: 40÷200;- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +125)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
5Bán dẫn 2T312B2T312B12CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: N-P-N; Công suất tiêu tán không đổi của cực thu: 225 mW; Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có cực phát chung: không nhỏ hơn 120 MHz; Điện áp gốc cực đại tại dòng điện ngược nhất định của bộ thu và mạch phát hở: 30 V; Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V; Dòng cực thu không đổi cho phép tối đa: 30 mA; Dòng điện ngược bộ thu - dòng điện qua điểm nối bộ thu ở Điện áp ngược gốc bộ thu nhất định và đầu cực phát mở: không quá 1 μA; Hệ số truyền dòng tĩnh đối với mạch có bộ phát chung ở chế độ tín hiệu lớn: 50 ... 250; Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 5 pF; Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 40 Ohm; Hằng số thời gian của vòng phản hồi ở tần số cao: không quá 500 psHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
6Bán dẫn 2T316Б2T316Б80CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: npn; Công suất tiêu tán không đổi của cực thu: 150 mW; Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 800 MHz; Điện áp cực thu-phát tối đa ở dòng thu nhất định và điện trở nhất định (cuối cùng) trong mạch cực phát: 10 V (3 kOhm); Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V; Dòng cực thu không đổi cho phép tối đa: 50 mA; Dòng điện ngược cực thu - dòng điện qua điểm nối cực thu ở Điện áp ngược gốc cực thu nhất định và đầu cực phát mở: không quá 0,5 μA; Hệ số truyền dòng tĩnh đối với mạch có bộ phát chung ở chế độ tín hiệu lớn: 40 ... 120; Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 3 pF; Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 40 OhmHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
7Bán dẫn 2T325B2T325B100CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: npn; Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu: 225 mW; Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của tranzito đối với mạch có cực phát chung: không nhỏ hơn 1000 MHz; Điện áp bộ phát cực đại tại dòng cực thu nhất định và điện trở nhất định (cuối cùng) trong mạch cực phát: 15 V (3 kOhm); Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V; Dòng cực thu không đổi cho phép tối đa: 60 mA; Dòng điện ngược bộ thu - dòng điện qua điểm nối bộ thu ở Điện áp ngược gốc bộ thu nhất định và đầu cực phát mở: không quá 0,5 μA; Hệ số truyền dòng tĩnh đối với mạch có bộ phát chung ở chế độ tín hiệu lớn: 160 ... 400; Điện dung mối nối thu: không quá 2,50 pF; Hằng số thời gian của vòng phản hồi ở tần số cao: không quá 125 psHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
8Bán dẫn 2T326Б2T326Б120CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: pnp; Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu: 200 mW; Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 400 MHz; Điện áp cực phát cực đại ở dòng cực thu nhất định và điện trở nhất định (cuối cùng) trong mạch cực phát: 15 V (100 kOhm); Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 5 V; Dòng cực thu không đổi cho phép tối đa: 50 mA; Dòng điện ngược cực thu - dòng điện qua điểm nối cực thu ở Điện áp ngược gốc cực thu nhất định và đầu cực phát mở: không quá 0,5 μA; Hệ số truyền dòng tĩnh đối với mạch có bộ phát chung ở chế độ tín hiệu lớn: 45 ... 160; Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 5 pF; Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 30 Ohm; Hằng số thời gian của vòng phản hồi ở tần số cao: không quá 450 psHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
9Bán dẫn 2T363A2T363A80CáiCấu tạo tranzito : pnp; Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu: 150 mW; Tần số giới hạn của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 1000 MHz; Điện áp cực phát cực đại ở dòng cực thu nhất định và điện trở nhất định (cuối cùng) trong mạch cực phát: 15 V (1kOhm); Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V; Dòng cực thu không đổi cho phép tối đa: 30 mA; Dòng điện ngược bộ thu - dòng điện qua điểm nối bộ thu ở Điện áp ngược gốc bộ thu nhất định và đầu cực phát mở: không quá 0,5 μA; Hệ số truyền dòng tĩnh đối với mạch có bộ phát chung ở chế độ tín hiệu lớn: 20 ... 120; Điện dung mối nối thu: không quá 2 pF; Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 35 Ohm; Hằng số thời gian của vòng phản hồi ở tần số cao: không quá 50 psHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
10Bán dẫn 2T602Б2T602Б120CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: npn; Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu: 0,85 W; Công suất tiêu tán xung tối đa cho phép của bộ thu: 2,8 W; Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 150 MHz; Điện áp gốc cực đại tại dòng điện ngược nhất định của bộ thu và mạch phát hở: 120 V; Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 5 V; Dòng điện cực thu không đổi cho phép tối đa: 75 mA; Dòng thu xung tối đa cho phép: 500 mA; Dòng điện ngược bộ thu - dòng điện qua điểm nối bộ thu ở Điện áp ngược gốc bộ thu nhất định và đầu cực phát mở: không quá 70 μA; Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có cực phát chung: 50 ... 200; Điện dung mối nối thu: không quá 4 pF; Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 4 Ohm; Hằng số thời gian của vòng phản hồi ở tần số cao: không quá 300 psHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
11Bán dẫn 2T608Б2T608Б100CáiBán dẫn transistor NPN, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Uce=5V, Ic=200mA là 50÷160, hệ số dòng điện truyền với tần số cao khi Ucb=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1V, Điện áp bão hòa giữa cực E và B khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2V, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ucb=0V là ≤ 50pF, dòng điện ngược cực C khi Ucb=60V là ≤ 10µA, dòng điện ngược cực E khi Ueb=4V là ≤ 10µA, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
12Bán dẫn 2T6302T63030CáiBán dẫn transistor NPN, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Uce=10V, Ic=150mA là 40÷120, tần số cắt của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ie=60mA là ≥ 50MHz, Điện áp cắt khi Ie=100mA, tи=300µs, Q=200 là ≥ 90V, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=150mA, Ib=15mA là ≤ 0,3V, Điện áp bão hòa giữa cực E và B khi Ic=150mA, Ib=15mA là ≤ 1,1V, thời gian mở khi Ic=200mA, Ib=40mA là 0,04÷0,25µs, thời gian tắt khi Ic=200mA, Ib=40mA là 0,08÷0,5µs, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ucb=0,5V là ≤ 65pF, dòng điện ngược cực C khi Ucb=90V là ≤ 1µA, dòng điện ngược cực E khi Ueb=5V là ≤ 0,1µA, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
13Bán dẫn 2T630A2T630A110CáiBán dẫn transistor NPN, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Uce=10V, Ic=150mA là 40÷120, tần số cắt của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ie=60mA là ≥ 50MHz, Điện áp cắt khi Ie=100mA, tи=300µs, Q=200 là ≥ 90V, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=150mA, Ib=15mA là ≤ 0,3V, Điện áp bão hòa giữa cực E và B khi Ic=150mA, Ib=15mA là ≤ 1,1V, thời gian mở khi Ic=200mA, Ib=40mA là 0,04÷0,25µs, thời gian tắt khi Ic=200mA, Ib=40mA là 0,08÷0,5µs, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ucb=0,5V là ≤ 65pF, dòng điện ngược cực C khi Ucb=90V là ≤ 1µA, dòng điện ngược cực E khi Ueb=5V là ≤ 0,1µA, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
14Bán dẫn 2T630Б2T630Б90CáiBán dẫn transistor NPN, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Uce=10V, Ic=150mA là 80÷240, tần số cắt của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ie=60mA là ≥ 50MHz, Điện áp cắt khi Ie=100mA, tи=300µs, Q=200 là ≥ 80V, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=150mA, Ib=15mA là ≤ 0,3V, Điện áp bão hòa giữa cực E và B khi Ic=150mA, Ib=15mA là ≤ 1,1V, thời gian mở khi Ic=200mA, Ib=40mA là 0,04÷0,25µs, thời gian tắt khi Ic=200mA, Ib=40mA là 0,08÷0,5µs, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ucb=0,5V là ≤ 65pF, dòng điện ngược cực C khi Ucb=90V là ≤ 1µA, dòng điện ngược cực E khi Ueb=5V là ≤ 0,1µA, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
15Bán dẫn 2T808A2T808A12CáiBán dẫn transistor PNP, dòng điện một chiều lớn nhất cho phép của cực C là 10A, Điện áp lớn nhất giữa cực C và cực E là 120V, Điện áp lớn nhất giữa cực E và cực B là 4V,có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Uce=10V, Ic=5A là 10÷50, dòng điện ngược giữa cực C và E là ≤ 5mA, dòng điện ngược cực E là ≤ 50mA, hệ số tuyệt đối truyền dòng điện là ≥ 2,5, nhiệt độ của môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
16Bán dẫn 2T809A2T809A120CáiCấu tạo tranzito : npn; Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu nhiệt với bộ tản nhiệt: 40 W; Tần số biên của tỷ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 5,1 MHz; Điện áp bộ phát cực đại ở dòng cực thu nhất định và điện trở nhất định trong mạch cực phát: 400 V; Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V; Dòng điện một chiều cho phép lớn nhất của bộ thu: 3 A; Dòng xung cực thu cho phép tối đa: 5 A; Dòng điện cực thu-phát ngược ở Điện áp ngược bộ thu-phát cho trước và điện trở cực phát: 3 mA (400 V); Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có cực phát chung: 15 ... 100; Công suất mối nối thu: không quá 270 pF; Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 0,75 OhmHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
17Bán dẫn 2T825A22T825A230CáiTransistor loại P-N-PĐiện áp Uкбоmax = 5VDòng điện Ikmax = 20ATần số giới hạn lớn hơn 4HzNhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +125)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
18Bán dẫn 2T866A2T866A20CáiCấu trúc bán dẫn P-N-P;- UKБ max = 200V;- UЭБ max = 4V;- Dòng điện một chiều lớn nhất: IK max = 20A;- Dòng điện xoay chiều lớn nhất: IK И max= 25mA;- Dòng điện dò IKЭ ≤ 25mA khi UЭБ = 4V- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +125)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
19Bán dẫn 2T907A2T907A130CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: npn; Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu nhiệt với bộ tản nhiệt: 16 W; Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: hơn 350 MHz; Điện áp cực phát cực đại ở dòng cực thu nhất định và điện trở nhất định trong mạch cực phát: 65 V (0,1 kOhm); Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V; Dòng điện một chiều cho phép lớn nhất của bộ thu: 1 A; Dòng xung tối đa cho phép của bộ thu: 3 A; Dòng điện cực thu-phát ngược ở Điện áp ngược cực thu-phát nhất định và điện trở cực phát: 2 mA (60V); Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có bộ phát chung: hơn 10; Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 20 pF; Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 4 Ohm; Công suất đầu ra của bóng bán dẫn: không nhỏ hơn 8 W ở tần số 400 MHz; Hằng số thời gian của vòng phản hồi ở tần số cao: không quá 15 psHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
20Bán dẫn 2T908A2T908A128CáiBán dẫn transistor PNP, dòng điện một chiều lớn nhất cho phép của cực C là 10A, Điện áp lớn nhất giữa cực C và cực E là 100V, Điện áp lớn nhất giữa cực C và cực B là 140V, Điện áp lớn nhất giữa cực E và cực B là 5V,có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Uce=10V, Ic=5A là 8÷60, dòng điện ngược giữa cực C và E là ≤ 3mA, dòng điện ngược cực E là ≤ 10mA, hệ số tuyệt đối truyền dòng điện là ≥ 4, nhiệt độ của môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
21Bán dẫn 2T921A2T921A110CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: N-P-N; Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu nhiệt với bộ tản nhiệt: 12,5 W; Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: hơn 90 MHz; Điện áp cực phát cực đại ở dòng cực thu nhất định và điện trở nhất định trong mạch cực phát: 65 V (0,1 kOhm); Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V; Dòng điện một chiều tối đa cho phép của bộ thu: 3,5 A; Dòng điện cực thu-phát ngược ở Điện áp ngược cực thu-phát nhất định và điện trở của bộ phát gốc: không quá 10 mA (70V); Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có bộ phát chung: hơn 10; Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 50 pF; Hệ số khuếch đại công suất: không nhỏ hơn 8 dB; Công suất đầu ra của bóng bán dẫn: không nhỏ hơn 12,5 W ở tần số 60 MHz; Hằng số thời gian của vòng phản hồi ở tần số cao: không quá 22 psHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
22Bán dẫn 2T921Б2T921Б12CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: N-P-N; Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu nhiệt với bộ tản nhiệt: 12,5 W; Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: hơn 90 MHz; Điện áp cực phát cực đại ở dòng cực thu nhất định và điện trở nhất định trong mạch cực phát: 65 V (0,1 kOhm); Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V; Dòng điện một chiều tối đa cho phép của bộ thu: 3,5 A; Dòng điện cực thu-phát ngược ở Điện áp ngược cực thu-phát nhất định và điện trở của bộ phát gốc: không quá 10 mA (70V); Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có bộ phát chung: hơn 10; Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 50 pF; Hệ số khuếch đại công suất: không nhỏ hơn 8 dB; Công suất đầu ra của bóng bán dẫn: không nhỏ hơn 12,5 W ở tần số 60 MHz; Hằng số thời gian của vòng phản hồi ở tần số cao: không quá 22 psHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
23Bán dẫn 2T929Б2T929Б95CáiBán dẫn transistor PNP, dòng điện một chiều lớn nhất cho phép của cực C là 1,5A, Điện áp lớn nhất giữa cực C và cực E là 8V, Điện áp lớn nhất giữa cực C và cực B là 30V, Điện áp lớn nhất giữa cực E và cực B là 3V,có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Uce=10V, Ic=5A là 8÷60, dòng điện ngược giữa cực C và E là ≤ 3mA, dòng điện ngược cực E là ≤ 10mA, hệ số tuyệt đối truyền dòng điện là ≥ 4, nhiệt độ của môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
24Bán dẫn 2П303A2П303A30CáiBán dẫn transistor trường có công suất tiêu hao không đổi lớn nhất là 200mW, Điện áp tối đa giữa cực D và S là 25V, Điện áp tối đa giữa cực G và D là 30V, Điện áp tối đa giữa cực G và S là 30V, dòng tiêu thụ tối đa cực D là 20mA, Điện áp cắt giữa cực G va S là 0,5÷3V, dòng điện rò cực G là Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
25Bán dẫn 2П303E2П303E88CáiBán dẫn transistor trường có công suất tiêu hao không đổi lớn nhất là 200mW, Điện áp tối đa giữa cực D và S là 15V, Điện áp tối đa giữa cực G và D là 25V, Điện áp tối đa giữa cực G và S là 25V, dòng tiêu thụ tối đa cực D là 20mA, Điện áp cắt giữa cực G va S là 0,5÷3V, dòng điện rò cực G là Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
26Bán dẫn 2П902A2П902A100CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: N-P-N; Nguồn tiêu tán tối đa với tản nhiệt: 3,5 W; Điện áp nguồn xả tối đa: 50 V; Điện áp nguồn cổng tối đa: 30 V; Dòng xả (không đổi): 200 mA; Dòng xả ban đầu: không quá 10 mA; Dòng xả dư: không quá 0,5 mA; Độ dốc của đặc tính: 10 ... 25 mA / V (20V; 50mA); Điện dung đầu vào của bóng bán dẫn - điện dung giữa cổng và nguồn: không quá 11 pF; Điện dung phản hồi trong mạch với nguồn chung với ngắn mạch ở đầu vào xoay chiều: không quá 0,6 pF; Điện dung đầu ra của bóng bán dẫn - điện dung giữa cống và nguồn: không quá 11 pF; Hệ số khuếch đại công suất: không nhỏ hơn 0,8 dB ở 60 MHz; Con số tiếng ồn của bóng bán dẫn: không quá 6 dB ở tần số 250 MHzHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
27Bán dẫn 2П902-A2П902-A8CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: N-P-N; Nguồn tiêu tán tối đa với tản nhiệt: 3,5 W; Điện áp nguồn xả tối đa: 50 V; Điện áp nguồn cổng tối đa: 30 V; Dòng xả (không đổi): 200 mA; Dòng xả ban đầu: không quá 10 mA; Dòng xả dư: không quá 0,5 mA; Độ dốc của đặc tính: 10 ... 25 mA / V (20V; 50mA); Điện dung đầu vào của bóng bán dẫn - điện dung giữa cổng và nguồn: không quá 11 pF; Điện dung phản hồi trong mạch với nguồn chung với ngắn mạch ở đầu vào xoay chiều: không quá 0,6 pF; Điện dung đầu ra của bóng bán dẫn - điện dung giữa cống và nguồn: không quá 11 pF; Hệ số khuếch đại công suất: không nhỏ hơn 0,8 dB ở 60 MHz; Con số tiếng ồn của bóng bán dẫn: không quá 6 dB ở tần số 250 MHzHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
28Bán dẫn 2Т208Л2Т208Л30CáiBán dẫn transistor PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Uce=5V, Ic=200mA là 20÷60, tần số cắt của hệ số truyền dòng điện khi Ucb=5V, Ie=5mA là ≥ 5MHz, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=300mA, Ib=60mA là ≤ 0,3V, Điện áp bão hòa giữa cực E và B khi Ic=300mA, Ib=60mA là ≤ 1,5V, dòng điện ngược cực C và E khi Uce=Uce max, Rce=10кОм là ≤ 1µA, dòng điện ngược cực E khi Ueb=Ueb max là ≤ 1µA, điện dung của cực C khi Ucb=20V là ≤35pF, điện dung của cực E khi Ucb=20V là ≤ 20pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
29Bán dẫn 30T126Б30T126Б40CáiCấu trúc bán dẫn N-P-N;- UKБ max = 2V;- UЭБ max = 30V;- Dòng điện một chiều lớn nhất: IK max = 0,5mA;- Dòng điện xoay chiều lớn nhất: IK И max= 10mA;- Dòng điện dò IKЭ ≤ 0,5mA khi UЭБ = 2V- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +125)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
30Bán dẫn 533TB6533TB68CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=5V, Ic=8mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
31Biến áp 4.752.0124752012.020Cái- Giá trị Điện áp đầu vào (36 ± 5%)V, tần số (400±20)Hz;- Điện áp ra 12V;- Dòng điện 2A;Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
32Biến thế TA-122-115-400TA-122-115-400140Cái- Công suất định mức 24W- Điện áp đầu vào 115/400Hz- Điện áp xoay chiều đầu ra 27V/400Hz- Dòng điện định mức 1AHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
33Biến thế TB-115/830-400TB-115/830-400140Cái- Công suất định mức 15W- Điện áp đầu vào 115/400Hz- Điện áp xoay chiều đầu ra 12V/400Hz- Dòng điện định mức 1AHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
34Biến thế TH1-115-400TH1-115-400140Cái- Công suất định mức 15W- Điện áp đầu vào 115/400Hz- Điện áp xoay chiều đầu ra 12V/400Hz- Dòng điện định mức 1AHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
35Biến thế TПП-63-115-400TПП-63-115-4004Cái- Công suất định mức 7W- Điện áp đầu vào 115/400Hz- Điện áp xoay chiều đầu ra 36V/400Hz- Dòng điện định mức 1AHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
36Biến thế TР294-115-400TР294-115-400140Cái- Công suất định mức 4W- Điện áp đầu vào 115/400Hz- Điện áp xoay chiều đầu ra 36V/400Hz- Dòng điện định mức 1AHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
37Biến trở CΠ5-16BA-0,25BT-10кОм±10%CΠ5-16BA-0,25BT-10кОм±10%4CáiBiến trở có dải điện trở danh định đến 10кОм,Сó sai lệch cho phép là 10%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷125℃,Công suất định mức là 0,25W,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
38Biến trở CП3-16a-0,5BT-2,2кОм±20%CП3-16a-0,5BT-2,2кОм±20%140CáiBiến trở có dải điện trở danh định đến 2,2кОм,Сó sai lệch cho phép là 10%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷125℃,Công suất định mức là 0,5W,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
39Biến trở CП3-19A-0,5-470Ом±20%CП3-19A-0,5-470Ом±20%100CáiBiến trở có dải điện trở danh định đến 470Ом,Сó sai lệch cho phép là 10%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷125℃,Công suất định mức là 0,5W,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
40Biến trở CП3-19Б-3,3кОм±20%CП3-19Б-3,3кОм±20%4CáiBiến trở có dải điện trở danh định đến 3,3кОм,Сó sai lệch cho phép là 10%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷125℃,Công suất định mức là 0,5W,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
41Biến trở CП5-16BA-0,5BT-10кОм±10%CП5-16BA-0,5BT-10кОм±10%100CáiBiến trở có dải điện trở danh định đến 10кОм,Сó sai lệch cho phép là 10%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷125℃,Công suất định mức là 0,5W,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
42Biến trở CП5-16BБ-0,5BT-4,7Ом±10%CП5-16BБ-0,5BT-4,7Ом±10%8CáiBiến trở có dải điện trở danh định đến 4,7Ом,Сó sai lệch cho phép là 10%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷125℃,Công suất định mức là 0,5W,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
43Bộ nhớ RAM 64Kb537РУ1664Kb537РУ1620CáiRAM tĩnh dựa trên cấu trúc CMOS, là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh với lượng 64kbit, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
44Bộ nhớ RОм 16Kb556PT7A16Kb556PT7A20CáiVi mạch tích hợp là một bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình điện với dung lượng 16kbit với ba trang thái, Sơ đồ khối của EPRОм bao gồm một ổ đĩa, bộ tô dòng địa chỉ được kết nối với đầu vào địa chỉ, bộ tô bóng cột địa chỉ với đầu vào địa chỉ, bộ giải mã dòng và cột, bộ ghép kênh, bộ khuếch đại đầu ra, bộ dự phòng và mạch phân giải lấy mẫu. Một tính năng của sơ đồ cấu trúc là một khối dự phòng để loại bỏ sự cố đứt dây nhảy nóng chảy phát sinh trong trường biến tần do lỗi hoặc trong quá trình lập trình của vi mạch do rò rỉ các phần tử ma trận; dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
45Bộ nhớ RОм 64KbМ556РТ16164KbМ556РТ16120CáiVi mạch tích hợp là một bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình điện với dung lượng 64kbit với ba trang thái, Sơ đồ khối của EPRОм bao gồm một ổ đĩa, bộ tô dòng địa chỉ được kết nối với đầu vào địa chỉ, bộ tô bóng cột địa chỉ với đầu vào địa chỉ, bộ giải mã dòng và cột, bộ ghép kênh, bộ khuếch đại đầu ra, bộ dự phòng và mạch phân giải lấy mẫu. Một tính năng của sơ đồ cấu trúc là một khối dự phòng để loại bỏ sự cố đứt dây nhảy nóng chảy phát sinh trong trường biến tần do lỗi hoặc trong quá trình lập trình của vi mạch do rò rỉ các phần tử ma trận; dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
46Bộ ổn định, chuyển đổi điện áp 286EП4286EП410Cái- Điện áp cung cấp (±5 ± 0,5) V;- Dòng điện làm việc≤ 10mA;- Điện áp đầu ra: (±5 ± 0,5) V- Hệ số khuếch đại: 20 ÷ 50- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +125)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
47Chuyển mạch ГБ3.604.015ГБ3.604.01580Cái- Giới hạn Điện áp hoạt động 250 V- Dòng điện lớn nhất 3A- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +100)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
48Công tắc 2 chiều 1KKT31KKT320Cái- Điện áp xoay chiều tối đa: 250V- Dòng điện xoay chiều làm việc tối đa 3 AHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
49Cuộn cảm KO-II-0,8KO-II-0,84Cái- Trị số điện cảm 0,8mH- Công suất tối đa: 2WHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
50Cuộn cảm KO-II-3,0KO-II-3,04Cái- Trị số điện cảm 3,0mH- Công suất tối đa: 2WHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
51Cuộn cảm KЛO-II-0,08KЛO-II-0,084Cái- Trị số điện cảm 0,08mH- Công suất tối đa: 2WHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
52Cuộn cảm ГБ4.769.006ГБ4.769.006120Cái- Trị số điện cảm 500mH- Công suất tối đa: 1WHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
53Cuộn cảm КО-П-0,6КО-П-0,6120Cái- Trị số điện cảm 0,6mH- Công suất tối đa: 2WHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
54Cuộn cảm КО-Ш-0,25КО-Ш-0,25100Cái- Trị số điện cảm 0,25mH- Công suất tối đa: 1,5WHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
55Cuộn cảm КО-Ш-0,8КО-Ш-0,8120Cái- Trị số điện cảm 0,8mH- Công suất tối đa: 1,5WHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
56Cuộn cảm КО-Ш-2,5КО-Ш-2,5120Cái- Trị số điện cảm 2,5mH- Công suất tối đa: 1,5WHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
57Cuộn chặn cao tần ДМ-0,1-200B±1%ДМ-0,1-200B±1%100Cái- Điện cảm từ 100mH±1%- Dòng điện làm việc: 0,1-3A- Tần số hoạt động: 35MHz- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +85)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
58Cuộn chặn Д238Д2384Cái- Điện cảm từ 1-500mH- Dòng điện làm việc: 0,1-3A- Tần số hoạt động: 35MHz- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +85)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
59Cuộn chặn Д239HBД239HB100Cái- Điện cảm từ 1-500mH- Dòng điện làm việc: 0,1-3A- Tần số hoạt động: 35MHz- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +85)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
60Cuộn chặn Д246HBД246HB100Cái- Điện cảm từ 1-500mH- Dòng điện làm việc: 0,1-3A- Tần số hoạt động: 35MHz- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +85)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
61Cuộn chặn Д54Д544Cái- Điện cảm từ 1-500mH- Dòng điện làm việc: 0,1-3A- Tần số hoạt động: 35MHz- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +85)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
62Cuộn chặn ДM-0,2-30BДM-0,2-30B4Cái- Điện cảm từ 1-500mH- Dòng điện làm việc: 0,1-3A- Tần số hoạt động: 35MHz- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +85)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
63Đèn tín hiệu CM 28-0,05CM 28-0,0560Cái- Điện áp danh định 28V- Công suất 0,05WHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
64Đèn tín hiệu CM28-1,4-1CM28-1,4-14Cái- Điện áp danh định 28V- Công suất 1,4WHàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
65Điện trở C2-23-0,5-75Ом±10%C2-23-0,5-75Ом±10%100CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 75Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,5W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
66Điện trở C2-33-0,125-15кОм±10%C2-33-0,125-15кОм±10%4CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 15кОм,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,125W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
67Điện trở C2-33-0,125-2кОм±10%C2-33-0,125-2кОм±10%4CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 2кОм,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,125W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
68Điện trở C2-33-0,125-3,6кОм±10%C2-33-0,125-3,6кОм±10%7CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 36кОм,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,125W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
69Điện trở C2-33-0,125-30кОм±10%C2-33-0,125-30кОм±10%12CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 30кОм,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,125W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
70Điện trở C2-33-0,125-3кОм±1%C2-33-0,125-3кОм±1%128CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 3кОм,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,125W,Sai số cho phép là 1%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
71Điện trở C2-33-0,125-4,3кОм±10%C2-33-0,125-4,3кОм±10%120CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 4,3кОм,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,125W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
72Điện trở C2-33-0,25-4,3кОм±10%C2-33-0,25-4,3кОм±10%110CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 4,3кОм,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,25W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
73Điện trở C2-33-0,5-430Ом±1%-A-Д-BC2-33-0,5-430Ом±1%-A-Д-B12CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 430Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,5W,Sai số cho phép là 1%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
74Điện trở C2-33H-0,125-470Ом±10%-A-Д-BC2-33H-0,125-470Ом±10%-A-Д-B12CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 470Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,125W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
75Điện trở C2-36-499Ом±10%C2-36-499Ом±10%100CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 499Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 36W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
76Điện trở C2-36-5,11кОм±1%C2-36-5,11кОм±1%120CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 5,11кОм,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 36W,Sai số cho phép là 1%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
77Điện trở C2-36-715кОм±1%C2-36-715кОм±1%100CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 715кОм,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 36W,Sai số cho phép là 1%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
78Điện trở C5-5-2BT-8,2Ом±10%C5-5-2BT-8,2Ом±10%8CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 8,2Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 2W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
79Điện trở MOУ -0,5-75Ом±1%MOУ -0,5-75Ом±1%8CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 75Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,5W,Sai số cho phép là 1%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
80Điện trở MOУ-5-100Ом±1%MOУ-5-100Ом±1%4CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 100Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 5W,Sai số cho phép là 1%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
81Điện trở MOУ-5-75Ом -A-1±1%MOУ-5-75Ом -A-1±1%120CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 75Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 5W,Sai số cho phép là 1%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
82Điện trở MT-0,5-B-1кОм±10%MT-0,5-B-1кОм±10%4CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 1кОм,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,5W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
83Điện trở nhiệt CT3-17-33Ом±1%CT3-17-33Ом±1%120CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 33Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 17W,Sai số cho phép là 1%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
84Điện trở TBO-0,125-36Ом±10%TBO-0,125-36Ом±10%144CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 36Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,125W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
85Điện trở TBO-0,5-39Ом±10%-25-BTBO-0,5-39Ом±10%-25-B10CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 39Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 0,5W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
86Điện trở TBO-2-10Ом±1%TBO-2-10Ом±1%4CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 10Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 2W,Sai số cho phép là 1%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
87Điện trở Ф-СПОСЕ-2-1-22ОМ-16±1%Ф-СПОСЕ-2-1-22ОМ-16±1%120CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 22Ом,Điện áp định mức là 250V,Công suất định mức 1W,Sai số cho phép là 1%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
88Điốt 2A510A2A510A120Cái- Điện áp đánh thủng: U= 30V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 200mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
89Điốt 2A510Б2A510Б80Cái- Điện áp đánh thủng: U= 30V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 200mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
90Điốt 2A518Б2A518Б4Cái- Điện áp ngược lớn nhất UMax=100V, - Dòng điện lớn nhất Imax =100mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +125)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
91Điốt 2C156A2C156A80CáiỔn định Điện áp lan truyền là 5,6V tại I = 55mA, hệ số nhiệt độ ổn định Điện áp của diode zener là 0,05%/℃, điện trở vi sai của diode zener là 100Ом, dòng điện ổn định của diode zener là 1÷22,4mA, công suất tiêu tán của diode zener là 0,125W, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
92Điốt 2C456A2C456A100Cái- Điện áp đánh thủng: U= 5,6V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 36mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
93Điốt 2Д103A2Д103A80CáiĐiện áp ngược tối đa của diode là 75V,dòng điện trực tiếp tối đa là 0,1A, dòng điện trực tiếp xung tối đa là 2A,Điện áp không đổi chuyển tiếp qua diode tại một dòng điện thuận là 1/100, thời gian phục hồi ngược là 4µs, dòng điện ngược của diode ở Điện áp ngược giới hạn là 0,5µA,tần số hoạt động tối đa là 20kHz,nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
94Điốt 2Д106A2Д106A128CáiĐiện áp ngược tối đa của diode là 100V,Điện áp xung ngược tối đa là 100V,Dòng điện chuyển tiếp tối đa là 0,3A,Dòng điện chuyển tiếp xung tối đa là 3A,Điện áp không đổi chuyển tiếp qua diode tại một dòng điện thuận là 1/0,3,Thời gian phục hồi ngược là 0,385µs,Dòng điện ngược của diode ở Điện áp ngược giới hạn là 10µA,Tần số hoạt động tối đa là 30kHz, Nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
95Điốt 2Д213A2Д213A104CáiĐiện áp phản hồi tối đa là 200V,Điện áp ngược một chiều lớn nhất là 200V,Dòng điện trực tiếp tối đa là 10A, dòng trực tiếp xung tối đa là 100A,Chêch lệch Điện áp một chiều qua đi ốt với dòng điện thuận qua nó là 0,1V/A,Chêch lệch tổng điện dung của đi ốt và Điện áp trên đi ốt là 5,5pF/V,Dòng điện ngược của đi ốt so với Điện áp ngược cực đại là 0,02,Tần số hoạt động lớn nhất của đi ốt là 100kHz,Nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷100℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
96Điốt 2Д223A2Д223A4Cái- Điện áp ngược lớn nhất UMax=150V, - Dòng điện lớn nhất Imax =50mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +125)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
97Điốt 2Д510A2Д510A100Cái- Điện áp đánh thủng: U= 50V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 200mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
98Điốt 2Д522Б2Д522Б120Cáiđi ốt nắn,Điện áp không đổi đi ốt thuận khi dòng điện thuận = 50mA: 0,78÷1V,Điện áp trung bình diodie thuận khi Iпр, и=2А, Iпр, ср=30mA, tи = 10µs : ≤ 2V,Xung Điện áp thuận khi Iпр, и=2А, Iпр, ср=30mA, tи = 10µs: ≤ 5V,Điện áp đánh thủng đi ốt là ≥ 100V,Dòng điện không đổi của đi ốt ngược khi Điện áp ngược là 75V: ≤ 2µA,Thời gian phục hồi đi ốt ngược: ≤ 4ns,Thời gian phục hồi đi ốt thuận: ≤ 1µs,Đđiện dung của đi ốt khi Điện áp ngược =0V: ≤ 4ns, Nhiệt độ môi trường hoạt động : -55℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
99Điốt 2Д552Б2Д552Б74Cái- Điện áp đánh thủng: U= 50V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 100mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
100Điốt 2Д906A2Д906A140CáiĐiện áp không đổi đi ốt thuận khi dòng điện thuận = 50mA là 0,78÷1V, Điện áp trung bình diodie thuận khi Iпр, и=2А, Iпр, ср=30mA, tи = 10µs là ≤ 2V, xung Điện áp thuận khi Iпр, и=2А, Iпр, ср=30mA, tи = 10µs là ≤ 5V, Điện áp đánh thủng đi ốt là ≥ 100V, dòng điện không đổi của đi ốt ngược khi Điện áp ngược là 75V là ≤ 2µA, thời gian phục hồi đi ốt ngược là ≤ 0,4µs, thời gian phục hồi đi ốt thuận là ≤ 1µs, điện dung của đi ốt khi Điện áp ngược =5V, f=1÷10MHz là 20pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -55℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
101Điốt 2Д908A2Д908A132Cái- Điện áp đánh thủng: U= 50V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 200mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
102Điốt 2Д917A2Д917A140Cái- Điện áp đánh thủng: U= 40V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 200mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
103Điốt 2ДС523AМ2ДС523AМ130Cái- Điện áp đánh thủng: U= 50V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 20mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
104Điốt 2ДС523БМ2ДС523БМ134Cái- Điện áp đánh thủng: U= 50V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 20mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
105Điốt 2ДС523ГМ2ДС523ГМ120Cái- Điện áp đánh thủng: U= 50V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 20mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
106Điốt 2Ц202Б2Ц202Б94Cái- Điện áp đánh thủng: U= 20V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 1,5mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
107Điốt MД217MД217100Cái- Điện áp đánh thủng: U= 800V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 100mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
108Điốt MД218MД21898Cái- Điện áp đánh thủng: U= 1000V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 100mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
109Điốt Д223БД223Б90Cái- Điện áp ngược lớn nhất UMax=150V, - Dòng điện lớn nhất Imax =50mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +125)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
110Điốt Д233БД233Б80Cái- Điện áp đánh thủng: U= 150V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 50mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
111Điốt Д815AД815A35Cái- Điện áp đánh thủng: U= 1,5V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 500mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
112Điốt Д815ГД815Г80Cái- Điện áp đánh thủng: U= 10V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 800mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
113Điốt Д817ГД817Г120Cái- Điện áp đánh thủng: U= 100V, - Dòng điện lớn nhất Imax= 50mA, - Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +140)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
114Điốt Д818EД818E30CáiĐiện áp ổn định của đi ốt zener là 10V,Dòng điện ổn định của đi ốt zener là 15mA,Sự mất ổn định tạm thời của Điện áp ổn định là ±0,12%,Điện trở vi sai của đi ốt zener là 18Ом,Dòng điện ổn định của đi ốt là 3÷33mA,Công suất tiêu thụ tối đa là 300mW,Nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
115Khối điện trở Б19К-2-1K5KБ19К-2-1K5K45CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 1,5кОм,Điện áp định mức là 200V,Công suất định mức 2W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
116Khối điện trở Б19К-2-3K3JБ19К-2-3K3J30CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 3,03кОм,Điện áp định mức là 200V,Công suất định mức 2W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
117Khối điện trở Б19К-2-3K3KБ19К-2-3K3K30CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 3,3кОм,Điện áp định mức là 200V,Công suất định mức 2W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
118Khối điện trở Б19К-2-4K7JБ19К-2-4K7J25CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 4,7кОм,Điện áp định mức là 200V,Công suất định mức 2W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
119Khối điện trở Б19К-2-5K6JБ19К-2-5K6J30CáiĐiện trở chính xác có giá trị là 5,6кОм,Điện áp định mức là 200V,Công suất định mức 2W,Sai số cho phép là 10%,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃đến 98%,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷70℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
120Quạt điện ДВО-0,5-400ДВО-0,5-40040Cái- Điện áp đầu vào: 115 V - 400Hz- Công suất tối đa: 15W- Tốc độ quay tối đa: 9500 vòng/phút- Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +155)℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
121Rơ le PЭH33 PФ4.510.021PЭH33 PФ4.510.02184CáiĐiện trở cuộn dây: (1475÷1925) ОмĐiện áp làm việc: (19÷30) VDòng điện kích hoạt là 8,4mA,Dòng điện nhả là 3mA,Thời gian kích hoạt là 3,5ms,Điện trở cách điện với vỏ trong khí hậu bình thường là 100MОм,Độ bền điện môi của cách điện giữa các phần từ mang dòng là 350V,Dải Điện áp của tiếp điểm: (6÷30) VDải dòng điện của tiếp điểm: (0,1÷2) ANhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷85℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
122Thanh ghi 8 bít 1554ИР41Т1554ИР41Т25CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là một thanh ghi điều khiển cạnh 8 bit với đầu vào/ đầu ra dữ liệu song song, với 3 trạng thái ở đầu ra nghịch đảo, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
123Tụ điện K10-17a-H90-0,33мкФ±10%K10-17a-H90-0,33мкФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 0,33мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 50V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
124Tụ điện K10-17a-H90-1,5мкФ±10%K10-17a-H90-1,5мкФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 1,5мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 50V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
125Tụ điện K10-17A-M1500-0,33мкФ±10%K10-17A-M1500-0,33мкФ±10%100CáiTụ điện có điện dung là 0,33мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 50V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
126Tụ điện K10-17a-M1500-1800пФ ±10%K10-17a-M1500-1800пФ ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 1800пФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
127Tụ điện K10-17a-M47-120пФ±1%K10-17a-M47-120пФ±1%120CáiTụ điện có điện dung là 1,5пФ,Điện áp làm việc giới hạn là 50V,Sai số cho phép là 1%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
128Tụ điện K10-17Б-H90-0,15мкФ±10%K10-17Б-H90-0,15мкФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 0,15мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
129Tụ điện K52-1-16-B-220мкФ±20%K52-1-16-B-220мкФ±20%160CáiTụ điện có điện dung là 220мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 16V,Sai số cho phép là 20%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
130Tụ điện K52-1-90-B-220мкФ±20%K52-1-90-B-220мкФ±20%160CáiTụ điện có điện dung là 220мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 90V,Sai số cho phép là 20%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
131Tụ điện K52-1H-16B-220мкФ±20%K52-1H-16B-220мкФ±20%4CáiTụ điện có điện dung là 220мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 16V,Sai số cho phép là 20%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
132Tụ điện K52-2-90-B-10мкф±20%-БK52-2-90-B-10мкф±20%-Б8CáiTụ điện có điện dung là 10мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 90V,Sai số cho phép là 20%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
133Tụ điện K52-2-90-B-220мкФ±20%K52-2-90-B-220мкФ±20%160CáiTụ điện có điện dung là 220мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 90V,Sai số cho phép là 20%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
134Tụ điện K52-5C-90B-68мкФ±20%K52-5C-90B-68мкФ±20%4CáiTụ điện có điện dung là 68мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 90V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
135Tụ điện K53-1-15-10±10%K53-1-15-10±10%110CáiTụ điện có điện dung là 10мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 15V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
136Tụ điện K53-1A-16B-47мкФ±10%K53-1A-16B-47мкФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 47мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 16V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
137Tụ điện K73-16-250B-2,2мкФ±10%K73-16-250B-2,2мкФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 2,2мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 250V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
138Tụ điện K75-10-500B-0,15мкФ±10%K75-10-500B-0,15мкФ±10%140CáiTụ điện có điện dung là 0,15мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 500V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
139Tụ điện K75-24-630B-2,2мкФ±10%K75-24-630B-2,2мкФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 2,2мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 630V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
140Tụ điện KM-5a-H30-2200пФ±10%KM-5a-H30-2200пФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 2200пФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
141Tụ điện KM-5a-M47 -6,8пФ ±10%KM-5a-M47 -6,8пФ ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 6,8пФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
142Tụ điện KM-5a-M47-180пФ±10%KM-5a-M47-180пФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 180пФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
143Tụ điện KM-5B-H90-0,015мкФ±10%KM-5B-H90-0,015мкФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 0,015мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
144Tụ điện KM-5Б-M47-330пФ±10%KM-5Б-M47-330пФ±10%140CáiTụ điện có điện dung là 330пФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
145Tụ điện KД-1-M1500-68мкФ±10%KД-1-M1500-68мкФ±10%140CáiTụ điện có điện dung là 68мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
146Tụ điện KД-1-M47-10пФ±10%KД-1-M47-10пФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 10пФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
147Tụ điện KД-1-M47-4,7пФ±10%KД-1-M47-4,7пФ±10%8CáiTụ điện có điện dung là 4,7пФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
148Tụ điện KД-1-M75-30пФ±10%KД-1-M75-30пФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 30пФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
149Tụ điện KД-1-M75-4,3пФ±10%KД-1-M75-4,3пФ±10%4CáiTụ điện có điện dung là 4,3пФ,Điện áp làm việc giới hạn là 32V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
150Tụ điện К53-18В-100мкФ±10%К53-18В-100мкФ±10%25CáiTụ điện có điện dung là 100мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 18V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
151Tụ điện К53-18В-10мкФ±10%К53-18В-10мкФ±10%25CáiTụ điện có điện dung là 10мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 18V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
152Tụ điện К53-18В-150мкФ±10%К53-18В-150мкФ±10%30CáiTụ điện có điện dung là 150мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 18V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
153Tụ điện К53-18В-15мкФ±10%К53-18В-15мкФ±10%20CáiTụ điện có điện dung là 15мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 18V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
154Tụ điện К53-18В-22мкФ±10%К53-18В-22мкФ±10%50CáiTụ điện có điện dung là 22мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 18V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
155Tụ điện К53-18В-33мкФ±10%К53-18В-33мкФ±10%30CáiTụ điện có điện dung là 33мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 18V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
156Tụ điện К53-18В-68мкФ±10%К53-18В-68мкФ±10%25CáiTụ điện có điện dung là 68мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 18V,Sai số cho phép là 10%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
157Tụ điện К71-7В-4мкФ±1%К71-7В-4мкФ±1%40CáiTụ điện có điện dung là 4мкФ,Điện áp làm việc giới hạn là 7V,Sai số cho phép là 1%,Tổn hao từ 2 đến 30%,Dòng điện rò rỉ từ 7 đến 60µA,Nhiệt độ môi trường làm việc là -60℃÷155℃,Độ ẩm không khí tương đối ở nhiệt độ 35℃ đến 98%,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
158Vi mạch 130ЛA4130ЛA4110CáiVi mạch tích hợp 3 cổng logic 3I-NOT, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
159Vi mạch 130ЛP4130ЛP4120CáiVi mạch tích hợp 1 cổng logic 4-4I-2OR-NOT với khả năng mở rộng bằng OR, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
160Vi mạch 130ЛА6130ЛА6120CáiVi mạch tích hợp 2 cổng logic 4I-NOT, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
161Vi mạch 133ИЕ5133ИЕ5130CáiVi mạch tích hợp bộ đếm nhị phân; Nguồn Điện áp giá trị tối đa là 6V, Điện áp tối thiểu trên đầu ra là 0,3V, Điện áp tối đa cho đầu ra mạch kín là 5,5V, Điện áp tối đa trên đầu vào và giữa các cực phát là 5,5V, Dòng điện đầu vào tối đa là 10mA, nguồn nuôi là 5V±0,5V, Dòng điện tiêu thụ ≤ 46mA, Dòng điện đầu vào mức logic 0 trên đầu vào cài đặt mức 0 là ≤ -1,6mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 trên đầu vào xung là ≤ -3,2mA, Dòng điện đầu vào mức logic 1 trên đầu vào mức 0 là ≤ 0,04mA, Dòng điện đầu vào mức logic 0 trên đầu vào xung là ≤ 0,08mA, Dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 1mA, Điện áp trên đi ốt chống ngược là ≥ -1,5V, Dòng điện ngắn mạch là từ -20÷-57mA, Điện áp đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,4V, Điện áp đầu vào mức logic 1 là ≥ 2,4V, Độ trễ thời đóng và mở trên đầu vào xung là ≤ 135ns, Nhiệt độ môi trường xung quanh từ -60℃÷125℃, Vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃, Tải tuyến tính 500g,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
162Vi mạch 133ЛА7133ЛА720CáiVi mạch tích hợp 2 cổng logic NAND với 4 đầu vào, nguồn nuôi giá trị tối đa là 6V, Điện áp tối thiểu trên đầu ra là 0,3V, Điện áp tối đa cho đầu ra mạch kín là 5,5V, Điện áp tối đa trên đầu vào và giữa các cực phát là 5,5V, Dòng điện đầu vào tối đa là 10mA, Nguồn nuôi là 5V ± 0,5V, Dòng điện tiêu thụ trong trạng thái mức logic 0 là ≤ 27mA, Dòng điện tiêu thụ trong trạng thái mức logic 1 là ≤ 8mA, Điện áp trên đi ốt chống ngược là ≥ -1,5V, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,4V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, Dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≥ -1,6mA, Dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,04mA, Độ trễ thời gian truyền khi bật là ≤ 15ns, Độ trễ thời gian truyền khi tắt là ≤ 22ns, Hệ số chia nhánh đầu ra là 30, Nhiệt độ môi trường xung quanh từ -60℃÷125℃, Vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃, tải tuyến tính 500g,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
163Vi mạch 134KП8134KП8120CáiVi mạch tích hợp 3 khối chuyển mạch, có Điện áp nguồn cung cấp là 5V±0,5V, dòng điện tiêu thụ của vi mạch là ≤ 3,7mA, dòng điện đầu vào mức thấp ở chân 1, 2, 3, 7, 9, 13 để có đầu ra là ≤ 0,18mA, dòng điện đầu vào mức thấp ở chân 5, 8, 14 để có đầu ra là ≤ 0,36mA, dòng điện đầu vào mức cao ở chân 1, 2, 3, 7, 9, 13 để có đầu ra là ≤ 0,012mA, dòng điện đầu vào mức cao ở chân 5, 8, 14 để có đầu ra là ≤ 0,024mA, dòng điện ngắn mạch từ 2÷30mA, Điện áp đầu ra mức thấp là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức cao là ≥ 2,6V, điện dung đầu vào ở chân 1, 2, 3, 7, 9, 13 để có đầu ra là ≤ 3pF, điện dung đầu vào ở chân 5, 8, 14 để có đầu ra là ≤ 6pF, độ trễ thời gian truyền khi đóng hoặc ngắt mạch là ≤ 200ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
164Vi mạch 136ЛP3136ЛP3120CáiVi mạch tích hợp 2 cổng logic 2AND-NOR, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
165Vi mạch 140УД1Б140УД1Б120CáiVi mạch tích hợp bộ khuếch đại thuật toán, Nguồn nuôi hoạt động cho chip là 12,6V±1,26V, dòng điện tiêu thụ của chip là ≤ 12mA, Điện áp hoạt động đầu ra là ≥ 6,7V, dòng điện đầu vào là ≤0,009mA, sai lệch dòng điện đầu vào là ≤ ±0,0017mA, Điện áp lệch ≤ 7,5mV, hệ số khuếch đại Điện áp của chip là 1600÷11500, hệ số suy giảm tín hiệu cùng pha là ≥ 60dB, hệ số nguồn Điện áp suy giảm biến đổi ≤ 0,4 mV/V, trở kháng đầu vào ≥ 4кОм, trở kháng đầu ra ≤ 700Ом, Điện áp lệch trung bình tối đa so với nhiệt độ là ±0,02mV/℃, nhiệt độ tương đối trung bình tối đa trôi hệ số khuếch đại khi nhiệt độ từ -60÷25℃ là ±60%, nhiệt độ tương đối trung bình tối đa trôi hệ số khuếch đại khi nhiệt độ từ 25÷125℃ là từ -50÷30%, nhiệt độ trung bình tối đa trôi so với dòng đầu vào khi nhiệt độ -60÷25℃ là ≤ 60nA/℃, nhiệt độ trung bình tối đa trôi so với dòng đầu vào khi nhiệt độ 25÷125℃ là ≤ 40nA/℃, dòng điện sai lệch đầu vào trôi so với nhiệt độ khi nhiệt độ từ -60÷25℃ là ±30nA/℃, dòng điện sai lệch đầu vào trôi so với nhiệt độ khi nhiệt độ từ 25÷125℃ là ±10nA/℃, thời gian thiết lập điện đầu ra là ≤ 1µs, tốc độ tăng Điện áp đầu ra là ≥ 0,5V/µs, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
166Vi mạch 142EH1A142EH1A110CáiVi mạch tích hợp bộ ổn áp có điều chỉnh, Điện áp không ổn định khi Ira=50mA, Uvào=20V, Ura=12V là ≤ 0,3%, dòng điện không ổn định khi Uvào=16,5V, Ura=12V, Ira=45mA là ≤ 11,1%, Điện áp đầu vào tối đa là 20V, Điện áp đầu ra tối đa là 12V, dòng điện đầu ra tối đa là 150mA, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, ổn áp kiểu bù với Điện áp đầu ra phân cực dương có thể điều chỉnh 12÷30V với dòng tải 150mA, được bảo vệ chống đoản mạch và quá tải,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
167Vi mạch 142ЕН2А142ЕН2А120CáiVi mạch tích hợp bộ ổn áp có điều chỉnh, Điện áp không ổn định khi Ira=50mA, Uvào=20V, Ura=12V là ≤ 0,3%, dòng điện không ổn định khi Uvào=16,5V, Ura=12V, Ira=45mA là ≤ 11,1%, Điện áp đầu vào tối đa là 20V, Điện áp đầu ra tối đa là 12V, dòng điện đầu ra tối đa là 150mA, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, ổn áp kiểu bù với Điện áp đầu ra phân cực dương có thể điều chỉnh 12÷30V với dòng tải 150mA, được bảo vệ chống đoản mạch và quá tải,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
168Vi mạch 149KT1B149KT1B4CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=12V, Ic=4mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
169Vi mạch 149KT1Б149KT1Б120CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=12V, Ic=4mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
170Vi mạch 1533TM91533TM9120CáiVi mạch tích hợp là mạch tích kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL và sấu flip-flop D đồng bộ với đầu ra trực tiếp, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
171Vi mạch 1533АП61533АП620CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là một trình điều khiển (bộ thu phát) hai hướng tám kênh với ba trạng thái đầu ra, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
172Vi mạch 1533ИP221533ИP2220CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là một thanh ghi chốt tám bit với đầu ra ba trạng thái và được thiết kế để điều khiển tải điện dung lớn hoặc trở kháng thấp, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
173Vi mạch 1533ИP231533ИP2320CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là một thanh ghi tám bit với ba trạng thái ở đầu ra, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
174Vi mạch 1533ИP241533ИP2420CáiVi mạch tích hợp là một thanh ghi dịch chuyển đa năng tám bit, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
175Vi mạch 1533ИP381533ИP3830CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là hai thanh ghi loại D bốn bit với ba trạng thái ổn định ở đầu ra, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
176Vi mạch 1533ИД41533ИД425CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là một bộ giải mã-phân kênh kép 2-4, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
177Vi mạch 1533ИД71533ИД720CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là một bộ giải mã-phân kênh kép 3-8, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
178Vi mạch 1533КП141533КП1430CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là một bộ chọn bốn bit 2-1 với ba trạng thái ổn định, với đầu ra nghịch đảo, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
179Vi mạch 1533ЛA71533ЛA725CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là hai phần tử logic 4I-NOT với đầu ra bộ thu mở, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
180Vi mạch 1533ЛA91533ЛA920CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là bốn phần tử logic 2I-NOT với đầu ra bộ thu mở, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
181Vi mạch 1533ЛА31533ЛА324CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là đại diện cho bốn phần tử logic 2I-NOT, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
182Vi mạch 1533ЛЕ11533ЛЕ115CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là bốn phần tử logic 2 NOT với đầu ra bộ thu mở, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
183Vi mạch 1533ЛИ11533ЛИ120CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là đại diện cho bốn phần tử logic 2I, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
184Vi mạch 1533ЛН11533ЛН125CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là đại diện cho sáu phần tử logic NOT, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
185Vi mạch 1533ЛН21533ЛН220CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là sáu bộ biến tần thu hở, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
186Vi mạch 1533ЛР111533ЛР1115CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là hai phần tử logic 2-2I-2OR-NOT và 3-3I-2OR-NOT, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
187Vi mạch 1533ТМ21533ТМ220CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là hai flip-flops D, đồng bộ với các đầu vào bổ sung và cài đặt độc lập cho nhật ký trạng thái.0 (R1, R2) và log.1 (S1, S2), có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
188Vi mạch 1533ТМ91533ТМ925CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky dòng TTL; là sáu flip-flop D đồng bộ với đầu ra trực tiếp, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
189Vi mạch 1554АП3Т1554АП3Т25CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số đại diện cho hai bộ tạo bóng 4 kênh với 3 trạng thái và đảo ngược ở đầu ra, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
190Vi mạch 1554ЛИ6Т1554ЛИ6Т30CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số bao gồm 2 phần tử logic 4I, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
191Vi mạch 1554ЛЛ1Т1554ЛЛ1Т20CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số bao gồm 4 phần tử logic 2OR, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
192Vi mạch 156AГ1A156AГ1A110CáiVi mạch tích hợp bộ ổn áp có điều chỉnh, Điện áp không ổn định khi Ira=10mA, Uvào=40V, Ura=30V là ≤ 0,1%/V, dòng điện không ổn định khi Uvào=16,5V, Ura=12V, Ira=45mA là ≤ 4,4%/A, Điện áp đầu vào tối đa là 40V, Điện áp đầu ra tối đa là 30V, dòng điện đầu ra là 150mA, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, ổn áp kiểu bù với Điện áp đầu ra phân cực dương có thể điều chỉnh 12÷30V với dòng tải 150mA, được bảo vệ chống đoản mạch và quá tải,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
193Vi mạch 177УД1177УД1130CáiVi mạch tích hợp bộ ổn áp có điều chỉnh, Điện áp không ổn định khi Ira=10mA, Uvào=40V, Ura=30V là ≤ 0,1%/V, dòng điện không ổn định khi Uvào=16,5V, Ura=12V, Ira=45mA là ≤ 4,4%/A, Điện áp đầu vào tối đa là 40V, Điện áp đầu ra tối đa là 30V, dòng điện đầu ra là 150mA, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, ổn áp kiểu bù với Điện áp đầu ra phân cực dương có thể điều chỉnh 12÷30V với dòng tải 150mA, được bảo vệ chống đoản mạch và quá tải,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
194Vi mạch 1804BУ41804BУ4120CáiVi mạch tích hợp là một mạch điều khiển trình tự của các vi lệnh, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
195Vi mạch 198HT3198HT3120CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
196Vi mạch 198HT5A198HT5A120CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=5mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, hệ số lan truyền tĩnh của cặp bóng bán dẫn vi sai UCB=3V, IE=0,5mA là ≤ 15%, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
197Vi mạch 1HT2511HT251164CáiVi mạch tích hợp 4 transistor NPN, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Uce=5V, Ic=200mA là 30÷150, tần số cắt của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA là ≥ 200MHz, thời gian khôi phục khi Ic=150mA, Ib=15mA là ≤ 100ns, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1V, Điện áp bão hòa giữa cực E và B khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,5V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 6µA, dòng điện ngược cực E khi Ucb=4V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ueb=0 là ≤ 50pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
198Vi mạch 1КИE101КИE1025CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
199Vi mạch 1КИP21КИP225CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
200Vi mạch 1КИП21КИП220CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
201Vi mạch 1КЛA71КЛA720CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
202Vi mạch 1КЛA91КЛA925CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
203Vi mạch 1КЛE51КЛE520CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
204Vi mạch 1КЛН11КЛН125CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
205Vi mạch 1КЛН21КЛН220CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
206Vi mạch 1КПУ41КПУ420CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
207Vi mạch 1КТВ11КТВ130CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
208Vi mạch 1КТМ21КТМ220CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
209Vi mạch 1РИЕ101РИЕ1020CáiVi mạch tích hợp ma trận transistor, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
210Vi mạch 2TC613A2TC613A70CáiCấu trúc của cụm bóng bán dẫn: npn; Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu: 800 mW; Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có cực phát chung: không nhỏ hơn 200 MHz; Điện áp cực đại của bộ thu cực đại tại dòng điện ngược cực thu nhất định và mạch hở của bộ phát: 60 V; Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V; Dòng thu cố định tối đa cho phép: 400 mA; Dòng thu xung tối đa cho phép: 800 mA; Dòng điện ngược bộ thu - dòng điện qua điểm nối bộ thu ở Điện áp ngược gốc bộ thu nhất định và đầu cực phát mở: không quá 5 μA (60V); Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có cực phát chung: 25 ... 100; Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 15 pF; Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 2,5 Ohm;Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
211Vi mạch 2TC622A2TC622A122CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=5V, Ic=200mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
212Vi mạch 521CA1521CA150CáiVi mạch tích hợp bộ khuếch đại thuật toán, nguồn nuôi là ±15V±1,5V, Điện áp lệch là ≤ 3mV, Điện áp dư ≤ 1,5V, dòng điện trung bình đầu vào là ≤ 100nA, dòng điện sai lệch đầu vào là ≤ 10nA, hệ số khuếch đại Điện áp là ≥ 150 000, độ trễ thời gian tắt là ≤ 300ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
213Vi mạch 521CA3521CA3110CáiVi mạch tích hợp bộ khuếch đại thuật toán, nguồn nuôi là ±15V±1,5V, Điện áp lệch là ≤ 3mV, Điện áp dư ≤ 1,5V, dòng điện trung bình đầu vào là ≤ 100nA, dòng điện sai lệch đầu vào là ≤ 10nA, hệ số khuếch đại Điện áp là ≥ 150 000, độ trễ thời gian tắt là ≤ 300ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
214Vi mạch 530АП2530АП225CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là bộ tạo hình khuếch đại hai hướng, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
215Vi mạch 533CП1533CП14CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=5V, Ic=8mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
216Vi mạch 533KП11533KП118CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=5V, Ic=8mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
217Vi mạch 533TM2533TM225CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số bao gồm hai D-flip-flops, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
218Vi mạch 533АГ3533АГ320CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số bao gồm hai mạch khởi động lại, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
219Vi mạch 533ИM5533ИM58CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=5V, Ic=8mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
220Vi mạch 533ИP16533ИP1630CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là đại diện cho một thanh ghi dịch chuyển bốn bit phổ quát sang trái với đầu vào song song nối tiếp và đầu ra thông tin song song, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
221Vi mạch 533ИP8533ИP825CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là một thanh ghi dịch chuyển nối tiếp tám bit với các đầu ra song song, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
222Vi mạch 533ИД4533ИД420CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là một bộ ghép kênh giải mã kép 2-4, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
223Vi mạch 533ИЕ19533ИЕ1920CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số bao gồm hai bộ đếm bốn bit với chức năng đồng bộ hóa và thiết lập lại riêng lẻ, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
224Vi mạch 533ИЕ5533ИЕ525CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là một bộ đếm nhị phân bốn chữ số, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
225Vi mạch 533ИЕ7533ИЕ734CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là một bộ đếm nhị phân bốn chữ số có thể đảo ngược, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
226Vi mạch 533ИП5533ИП520CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật là một mạch kiểm tra chẵn lẻ 8bit, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
227Vi mạch 533КП16533КП1625CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là bộ ghép kênh 4 bit 2-1, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
228Vi mạch 533КП2533КП220CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là bộ ghep kênh chọn lọc kỹ thuật số đôi 4-1, chứa 142 phần tử tích phân, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
229Vi mạch 533КП7533КП730CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là bộ ghép chọn lọc cho 8 kênh có gating, chưa 148 phần tử tích phân, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
230Vi mạch 533ЛH1533ЛH133CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=5V, Ic=8mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
231Vi mạch 533ЛP11533ЛP1124CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=5V, Ic=8mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
232Vi mạch 533ЛP13533ЛP1330CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là một phần tử logic (2-3-3-2) và 4OR-NOT, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
233Vi mạch 533ЛА13533ЛА1330CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số đại diện cho bốn phần tử đệm logic 2I-NOT với bộ thu mở, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
234Vi mạch 533ЛА3533ЛА329CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số đại diện cho bốn phần tử đệm logic 2I-NOT, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
235Vi mạch 533ЛА9533ЛА920CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số đại diện cho bốn phần tử đệm logic 2I-NOT với một bộ thu mở, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
236Vi mạch 533ЛЕ1533ЛЕ125CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số bao gồm 4 phần tử logic 2OR-NOT, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
237Vi mạch 533ЛИ1533ЛИ18CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=5V, Ic=8mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
238Vi mạch 533ЛИ1OCM533ЛИ1OCM20CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số đại diện cho bốn phần tử logic 2I, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
239Vi mạch 533ЛИ6533ЛИ64CáiVi mạch tích hợp cụm bán dẫn PNP, có hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn lưỡng cực khi Ucb=5V, Ic=8mA là 25÷150, giá trị tuyệt đối của hệ số truyền dòng điện khi Uce=10V, Ic=30mA, f=100MHz là ≥ 2÷5,8, Điện áp bão hòa giữa cực C và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 1,3V, Điện áp bão hòa giữa cực B và E khi Ic=400mA, Ib=80mA là ≤ 2,2V, dòng điện ngược cực C khi Ucb=45V là ≤ 10µA, điện dung của cực C khi Ucb=10V là ≤15pF, điện dung của cực E khi Ube=0V là ≤ 27pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
240Vi mạch 533ЛЛ1533ЛЛ125CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số bao gồm 4 phần tử logic 2OR, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
241Vi mạch 533ЛН2533ЛН220CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số đại diện cho 6 bộ nghịch lưu với đầu ra cực thu mở, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
242Vi mạch 533ТВ6533ТВ625CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số bao gồm hai JK flip-flops có thiết lập lại, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
243Vi mạch 533ТЛ2533ТЛ225CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số bao gồm sáu bộ biến tần kích hoạt Schmitt, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
244Vi mạch 556PT7556PT7120CáiVi mạch tích hợp là bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình được với dung lượng 16k (2kx8) với ba trạng thái ở đầu ra, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
245Vi mạch 564ИE14564ИE1451CáiVi mạch tích hợp 2 bộ đếm 4 bit, nguồn nuôi gồm nguồn 1 = 10V±1V và nguồn 2 = 5V±0,1V, dòng điện tiêu thụ trong chế độ tĩnh với nguồn 1 là ≤10µA, dòng điện vào mức logic 1 với nguồn 1 là ≤0,16µA, dòng điện vào mức logic 1 với nguồn 1 là ≤0,16µA, Điện áp ra tối đa mức logic 0 với nguồn 2 là ≤0,8V, Điện áp ra tối đa mức logic 1 với nguồn 2 là ≥ 4,2V, Điện áp ra mức logic 0 là ≤0,01V, Điện áp ra mức 1 với nguồn 1 là ≥ 9,99V, Điện áp ra mức 1 với nguồn 2 là ≥ 4,99V, độ trễ thời gian truyền khi mở với Ctải =50pF và nguồn 2 là ≤ 700ns, độ trễ thời gian truyền khi tắt với Ctải =50pF và nguồn 2 là ≤ 700ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
246Vi mạch 564ИP11564ИP1120CáiVi mạch tích hợp hai thanh ghi dịch chuyển 4 bit, phạm vi nguồn nuôi là 10V±1V, dòng điện tiêu thụ là ≤10µA, dòng điện vào mức logic 0 hoặc 1 là ≤ 0,05µA, dòng điện ra mức 0 là ≥ 0,25mA, dòng điện ra mức 1 là ≥ 0,2mA, Điện áp ra mức 0 là ≤ 0,01V, Điện áp ra mức 1 là ≥ 9,99V, Điện áp ra mức logic 0 với tác động nhiễu là ≤ 1V Điện áp ra mức 1 có tác động nhiễu là ≥9V, điện dung đầu vào là ≤ 10pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
247Vi mạch 564ИP9564ИP920CáiVi mạch tích hợp hai thanh ghi dịch chuyển 4 bit, phạm vi nguồn nuôi là 10V±1V, dòng điện tiêu thụ là ≤10µA, dòng điện vào mức logic 0 hoặc 1 là ≤ 0,05µA, dòng điện ra mức 0 là ≥ 0,25mA, dòng điện ra mức 1 là ≥ 0,2mA, Điện áp ra mức 0 là ≤ 0,01V, Điện áp ra mức 1 là ≥ 9,99V, Điện áp ra mức logic 0 với tác động nhiễu là ≤ 1V Điện áp ra mức 1 có tác động nhiễu là ≥9V, điện dung đầu vào là ≤ 10pF, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
248Vi mạch 564ЛН2564ЛН230CáiVi mạch tích hợp là một mà trận logic gồm hai cổng logic "2I-NOT" với một cửa xả mở, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
249Vi mạch 572ПА2A572ПА2A20CáiVi mạch tích hợp là một bộ chuyển đổi tín hiệu số sang tương tự nhân 12 bit với đầu ra hiện tại, với chức năng ghi và lưu trữ mã nhị phân, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
250Vi mạch 585ИК14585ИК14120CáiVi mạch tích hợp là bộ ngắt ưu tiên và được thiết kế để xây dựng các hệ thống ngắt đa cấp nhận tín hiệu yêu cầu ngắt từ các thiết bị hệ thống tính toán khác nhau để tạo ra các tín hiệu điều khiển vi xử lý khi cần đến chương trình con xử lý ngắt, IC bao gồm một thanh ghi yêu cầu ngắt 8 bit với bộ mã hóa ưu tiên, một thanh ghi 3 bit để lưu trữ mức ưu tiên hiện tại; Mạch so sánh ưu tiên 8 cấp và bộ mã hóa ưu tiên 3 bit với các đầu ra cực thu mở; dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
251Vi mạch lặp 1554ЛИ9Т1554ЛИ9Т25CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số bao gồm 6 bộ lặp logic, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
252Vi mạch logic 1821BB51AP11821BB51AP115CáiVi mạch logic tích hợp là một bộ vi xử lý tĩnh 8 bit và được thiết kế để xây dựng các máy tính vi mô được sử dụng trong các hệ thống truyền và xử lý thông tin và có sẵn khả năng đọc ghi hai chiều, 40 chân để gắn PCB xuyên lỗ, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
253Vi mạch logic 558BP2A558BP2A20CáiVi mạch tích hợp là một thiết bị nhớ chỉ đọc có dung lượng 16 kbit (2k x 8) với khả năng lập trình lại nhiều dòng điện, với các mạch điều khiển, với chức năng lưu trữ thông tin khi Điện áp cung cấp được bật và tắt, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
254Vi mạch logic 558PP2A558PP2A10CáiVi mạch logic tích hợp là ại diện cho một thiết bị nhớ chỉ đọc có dung lượng 16 kbit (2k x 8) với khả năng lập trình lại nhiều dòng điện, với các mạch điều khiển, với chức năng lưu trữ thông tin khi Điện áp cung cấp được bật và tắt, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
255Vi mạch logic 588BC2A588BC2A20CáiVi mạch tích hợp là một bộ nhân số học dựa trên công nghệ CMOS phẳng. Vi mạch được thiết kế để thực hiện phép nhân phần cứng của hai số nhị phân 16 bit, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
256Vi mạch logic 588BГ1588BГ120CáiVi mạch tích hợp là bộ điều khiển chuyển đổi tương tự-kỹ thuật số dựa trên công nghệ CMOS phẳng; Vi mạch được thiết kế để xây dựng hệ thống vi xử lý, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
257Vi mạch logic 588ВАІ588ВАІ20CáiVi mạch logic tích hợp là một bộ thu phát để giao tiếp với một máy biến áp chính, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
258Vi mạch logic 588ВТ1588ВТ120CáiVi mạch logic tích hợp là bộ chọn địa chỉ dựa trên công nghệ CMOS phẳng; Vi mạch được thiết kế để xây dựng hệ thống vi xử lý, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
259Vi mạch logic 590КН3590КН320CáiVi mạch logic tích hợp bộ chuyển mạch bốn kênh tương tự có mạch điều khiển, có Điện áp cung cấp nguồn 1 từ 13,5÷16,5V, nguồn 2 từ -16,5÷-13,5V, dòng điện tiêu thụ trong trạng thái logic 1 với nguồn 1 là ≤ 200µA, dòng điện tiêu thụ trong trạng thái logic 1 hoặc 0 với nguồn 2 là ≤ 5µA, dòng điện tiêu thụ trong trạng thái logic 0 với nguồn 1 là ≤50µA, dòng điện rò đầu vào và ra tương tự là ≤ 70nA, dòng điện vào logic 0 hoặc 1 là ≤0,2µA, trở kháng trong trạng thái mở là 75Ом, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷85℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
260Vi mạch logic 590КН6590КН620CáiVi mạch logic tích hợp bộ chuyển mạch bốn kênh tương tự có mạch điều khiển, có Điện áp cung cấp nguồn 1 từ 13,5÷16,5V, nguồn 2 từ -16,5÷-13,5V, dòng điện tiêu thụ trong trạng thái logic 1 với nguồn 1 là ≤ 200µA, dòng điện tiêu thụ trong trạng thái logic 1 hoặc 0 với nguồn 2 là ≤ 5µA, dòng điện tiêu thụ trong trạng thái logic 0 với nguồn 1 là ≤50µA, dòng điện rò đầu vào và ra tương tự là ≤ 70nA, dòng điện vào logic 0 hoặc 1 là ≤0,2µA, trở kháng trong trạng thái mở là 75Ом, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷85℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
261Vi mạch logic 590КН7590КН718CáiVi mạch logic tích hợp bộ chuyển mạch bốn kênh tương tự có mạch điều khiển, có Điện áp cung cấp nguồn 1 từ 13,5÷16,5V, nguồn 2 từ -16,5÷-13,5V, dòng điện tiêu thụ trong trạng thái logic 1 với nguồn 1 là ≤ 200µA, dòng điện tiêu thụ trong trạng thái logic 1 hoặc 0 với nguồn 2 là ≤ 5µA, dòng điện tiêu thụ trong trạng thái logic 0 với nguồn 1 là ≤50µA, dòng điện rò đầu vào và ra tương tự là ≤ 70nA, dòng điện vào logic 0 hoặc 1 là ≤0,2µA, trở kháng trong trạng thái mở là 75Ом, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷85℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
262Vi mạch logic 597CA3A597CA3A20CáiVi mạch logic tích hợp là hai bộ so sánh Điện áp chính xác công suất thấp, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
263Vi mạch logic HP1-53-1-6HP1-53-1-615CáiĐiện áp cung cấp (±5 ± 0,5) V;Dòng điện làm việc≤ 1mA;Điện áp đầu ra: (±5 ± 0,5) VHệ số khuếch đại: 20 ÷ 50Nhiệt độ làm việc trong khoảng (-60 đến +85)℃.Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
264Vi mạch logic M1006ВИ1M1006ВИ115CáiVi mạch logic tích hợp là một mạch định thời (bộ đếm thời gian) và được thiết kế để tạo ra các xung Điện áp với thời gian từ vài micro giây đến hàng chục phút, phát hiện lỗi trong một chuỗi xung, cung cấp độ trễ thời gian chính xác và được sử dụng trong cảm biến thời gian ổn định, xung máy phát điện, bộ điều chế độ rộng xung, tần số và pha, bộ chuyển đổi Điện áp và tín hiệu, mạch chính, thiết bị điều hành trong hệ thống điều khiển, giám sát và tự động hóa., dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
265Vi mạch logic М1821ВМ85AМ1821ВМ85A15CáiVi mạch tích hợp là một bộ vi xử lý tĩnh 8 bit và được thiết kế để xây dựng các máy tính vi mô được sử dụng trong các hệ thống truyền và xử lý thông tin và có sẵn khả năng đọc ghi hai chiều, 40 chân để gắn PCB xuyên lỗ, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
266Vi mạch logic М556РТ2М556РТ215CáiVi mạch logic tích hợp là một ma trận logic (16x8x48) với dung lượng 512 bit với ba trạng thái ở đầu ra, dòng điện tiêu thụ của vi mạch trong trạng thái logic 0 hoặc 1 là ≤ 2mA, dòng điện đầu vào mức logic 0 là ≤ 0,35mA, dòng điện đầu vào mức logic 1 là ≤ 0,02mA, dòng điện đầu vào của Điện áp phản hồi là ≤ 0,2mA, Điện áp đầu ra mức logic 0 là ≤ 0,3V, Điện áp đầu ra mức logic 1 là ≥ 2,4V, dòng điện ngắn mạch từ -4÷-13mA, độ trễ thời gian đóng (ngắt) ở chân 1 và 8 hoặc 2 và 6 là ≤ 60ns, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃, vi mạch hoạt động ở độ ẩm đến 98% khi nhiệt độ môi trường khoảng 35℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
267Vi mạch thu phát 1554АП6Т1554АП6Т20CáiVi mạch tích hợp kỹ thuật số là bộ thu phát 3 trạng thái 8 bit 2 chiều với đầu vào điều khiển dữ liệu chung và đầu vào cho phép trạng thái trở kháng cao, có hệ số cân bằng dòng điện truyền khi UCB=3V, IE=0,5mA là từ 30÷200, dòng điện ngược cực C khi UCB=6V là ≤ 0,05µA, Điện áp UBE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,8V, Điện áp UCE bão hòa khi IC=3mA, IB= 0,5mA là ≤ 0,4V, Điện áp truyền giữa cực B và cực E của cặp bóng bán dẫn vi sai khi ∑IE=0,5mA, UCB=3V là ≤ 3mV, nhiệt độ môi trường hoạt động là -60℃÷125℃,Hàng hóa được bao gói chống ẩm, chống sốc.
Mẫu sô 03: TIÊU CHUẨN ĐÁNH GIÁ VỀ NĂNG LỰC VÀ KINH NGHIỆM

STTMô tảYêu cầuNhà thầu độc lậpNhà thầu liên danh
Tổng các thành viên liên danhTừng thành viên liên danhTối thiểu một thành viên liên danh
1Lịch sử không hoàn thành hợp đồngTừ ngày 01 tháng 01 năm 2018(1) đến thờiđiểm đóng thầu, nhà thầu không có hợp đồng không hoàn thành(2).Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngMẫu 12Mẫu 12
2Năng lực tài chính
2.1Kết quả hoạt động tài chínhNhà thầu kê khai số liệu tài chính theo báo cáo tài chính từ năm 2018đến năm 2020(3)để cung cấp thông tin chứng minh tình hình tài chính lành mạnh củanhà thầu.Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngMẫu 13Mẫu 13
Giá trị tài sản ròng của nhà thầu trong năm gần nhất phảidương.
2.2Doanh thu bình quân hàng năm từ hoạt động sản xuất, kinhdoanhDoanh thu bình quân hàng năm tối thiểu là 1.0E10(4) VND, trong vòng 3(5)năm gần đây.Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngKhông áp dụngMẫu 13Mẫu 13
2.3Yêu cầu về nguồn lực tài chính cho gói thầu(6)Nhà thầu phải chứng minh có các tài sản có khả năng thanhkhoản cao(7) hoặc có khả năng tiếp cận với tài sản có khả năngthanh khoản cao sẵn có, các khoản tín dụng hoặc các nguồn tàichính khác (không kể các khoản tạm ứng thanh toán theo hợp đồng)để đáp ứng yêu cầu về nguồn lực tài chính thực hiện gói thầu vớigiá trị là 5.0E8 VND(8).Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngKhông áp dụngMẫu 14, 15Mẫu 14, 15
3Kinh nghiệm thực hiện hợp đồng cung cấp hànghoá tương tựSố lượng tối thiểu các hợp đồng tương tự(9) theo mô tảdưới đây mà nhà thầu đã hoàn thành toàn bộ hoặc hoàn thành phầnlớn(10) với tư cách là nhà thầu chính (độc lập hoặc thành viênliên danh) hoặc nhà thầu phụ(11) trong vòng 3(12) năm trở lại đây (tính đến thời điểm đóng thầu):
Số lượng hợp đồng bằng 3 hoặc khác 3, ít nhất có 01 hợp đồng có giá trị tối thiểu là 1.500.000.000 VND và tổng giá trị tất cả các hợp đồng ≥ 4.500.000.000 VND.
Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu (tương đương với phầncông việc đảm nhận)Không áp dụngMẫu 10(a), 10(b)Mẫu 10(a), 10(b)
4Khả năng bảo hành, bảo trì, duy tu, bảo dưỡng, sửa chữa,cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp các dịch vụ sau bán hàngkhác(13) Nhà thầu phải có đại lý hoặc đại diện có khả năng sẵn sàngthực hiện các nghĩa vụ của nhà thầu như bảo hành, bảo trì, duy tu,bảo dưỡng, sửa chữa, cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp cácdịch vụ sau bán hàng khác theo các yêu cầu như sau:

thời gian sửa chữa, khắc phục các hư hỏng, sai sót là 20 ngày kể từ khi nhận được yêu cầu của chủ đầu tư.

Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu (tương đương với phần công việc đảmnhận)Không áp dụng
Mẫu sô 04(a): YÊU CẦU NHÂN SỰ CHỦ CHỐT

STTVị trí công việcSố lượngTrình độ chuyên môn
(Trình độ tối thiểu, Chứng chỉ hành nghề...)
Tổng số năm kinh nghiệm
(tối thiểu_năm)
Kinh nghiệm
trong các công việc tương tự
(tối thiểu_năm)
1 Cán bộ quản lý 1 Trình độ cao đẳng trở lên33
2 Cán bộ giám sát việc giao nhận và kiểm tra, thử nghiệm vật tư hàng hóa 1 Trình độ cao đẳng trở lên33
Mẫu sô 04(b): THIẾT BỊ THI CÔNG CHỦ YẾU

Bạn muốn tìm kiếm gói thầu thế mạnh của mình? Hãy để bidwinner quét và lọc giúp bạn:

searchBắt đầu tìm kiếm
Bạn muốn nhận thông báo mời thầu hàng ngày theo bộ lọc từ khóa thông minh qua email cá nhân?

emailĐăng ký email của tôi
-->