Gói thầu: Mua sắm vi mạch dùng cho xử lý tín hiệu ra đa

Tính năng mới trên bidwinner năm 2024
Thông tin Chi tiết
Số TBMT 20200755129-00
Thời điểm đóng mở thầu 27/07/2020 10:00:00
Đã đóng thầu
Bên mời thầu Viện Ra đa/Viện Khoa học và Công nghệ quân sự
Tên gói thầu Mua sắm vi mạch dùng cho xử lý tín hiệu ra đa
Số hiệu KHLCNT 20200738991
Lĩnh vực Hàng hóa
Chi tiết nguồn vốn Ngân sách quốc phòng
Hình thức LCNT Chào hàng cạnh tranh rút gọn trong nước
Loại hợp đồng Trọn gói
Phương thức LCNT Một giai đoạn một túi hồ sơ
Thời gian thực hiện hợp đồng/gói thầu 30 Ngày
Hình thức dự thầu Đấu thầu qua mạng
Thời gian nhận HSDT từ ngày 2020-07-22 09:37:00 đến ngày 2020-07-27 10:00:00
Địa điểm thực hiện gói thầu
Địa điểm mở thầu website: http://muasamcong.mpi.gov.vn
Giá gói thầu 769,863,000 VNĐ
Xem nội dung TBMT gốc và tải E-HSMT content_copySao chép link gốc
Theo dõi (Bạn cần đăng nhập để sử dụng chức năng theo dõi)
Mẫu sô 01A: PHẠM VI CUNG CẤP

STT Danh mục hàng hóa Ký mã hiệu Khối lượng mời thầu Đơn vị Mô tả hàng hóa Ghi chú
1 IC số 2 Cái Số cổng (logic và RAM): 20000; Số cổng hệ thống tối đa: 63000; Các thành phần logic: 1152; Các khối mảng logic: 144; Các khối mảng nhúng: 6; Số bit RAM tổng: 12288; Số cổng pin I/O tối đa cho người dùng: 189
2 IC giữ cấu hình 2 Cái Bộ nhớ: 1.046.496 bit; Hỗ trợ ISP: Không; Hỗ trợ xếp tầng: Có; Khả năng tái lập trình: Không; Điện thế hoạt động: 5V hoặc 3.3V
3 IC số 10 Cái Điện thế nguồn: 5V; Thời gian trễ truyền (cao xuống thấp): 60 ns; Thời gian trễ truyền (thấp lên cao): 50 ns; Thời gian chuyển tiếp đầu ra (cao xuống thấp): 60 ns; Thời gian chuyển tiếp đầu ra (thấp lên cao): 60 ns
4 IC số 10 Cái Điện thế nguồn: 5V; Thời gian trễ truyền : 55 ns; Thời gian chuyển tiếp đầu ra (cao xuống thấp): 60 ns; Thời gian chuyển tiếp đầu ra (thấp lên cao): 60 ns
5 IC số 7 Cái Điện thế nguồn: 5V; Thời gian trễ truyền định thời đầu vào đến cổng ra: cao xuống thấp: 110 ns; thấp lên cao: 95 ns; Thời gian chuyển tiếp đầu ra: cao xuống thấp: 60 ns; thấp lên cao: 60 ns
6 IC số 7 Cái Điện thế nguồn 5V; Thời gian trễ truyền cổng vào đến cổng ra: cao xuống thấp: 65 ns; thấp lên cao: 65 ns; Thời gian chuyển tiếp đầu ra: cao xuống thấp: 60 ns; thấp lên cao: 60 ns
7 IC số 7 Cái Điện thế nguồn: 5V-15V; Công suất tiêu tán: 150 µW; Tần số hoạt động tối đa: 1 MHz; Độ tuyến tính 0.5%
8 IC số 7 Cái Điện thế nguồn: 5V; Thời gian trễ truyền từ cổng vào đến cổng ra: cao xuống thấp: 55 ns; thấp đến cao: 45 ns; Thời gian chuyển tiếp đầu ra: cao xuống thấp: 60 ns; thấp đến cao: 60 ns;
9 IC số 7 Cái Điện thế nguồn: -0.5 V đến 18 V; Dòng ghim đầu vào: ±10 mA; Dòng ghim đầu ra: ±10 mA; Công suất tiêu tán tối đa: 100 mW
10 IC chuyên dụng HF550YP1 hoặc tương đương 34 Cái Bộ chuyển mạch kép - Số kênh: 4 kênh SPDT song song; - Dải tần công tác: DC-2.4GHz; - Mức suy giảm trung gian:
11 IC chuyên dụng HEF4012B hoặc tương đương 35 Cái 2 cổng NAND 4 đầu vào.; Điện áp làm việc: +5V đến +15V; Thời gian trễ (Max): 140ns; Nhiệt độ làm việc: -20°C đến +80°C; Mức logic: CMOS
12 IC chuyên dụng SN54LS181 hoặc tương đương 32 Cái Điện thế nguồn: 5V; Dòng đầu ra mức cao: -0.4 mA; Dòng đầu ra mức thấp: 4 mA; Điện thế đầu ra: 5.5 V
13 IC chuyên dụng N82S191 hoặc tương đương 21 Cái Thời gian truy cập địa chỉ tối đa: 35 ns; Thời gian ghi vòng lặp tối đa: 45 ns; Công suất tiêu tán: 1.3 mW/bit; Tải đầu vào tối đa: 100µA; Điện thế nguồn: 7V
14 IC số 7 Cái Tần số: DC – 20Khz; Mức điện áp vào tương tự: 1.8 đến 2.2V; Trở kháng vào (Min): 1MΩ; Độ phân dải: 10. 12. 14 và 16 bit.; Mức điện áp vào số: + Mức cao (Min): 2V; + Mức thấp (Max): 0.8V; Mức điện áp ra: + Mức cao (Min): 2.4V; + Mức thấp (Max): 0.4V; Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C
15 IC số 4 Cái Bộ chuyển mạch kép - Số kênh: 4 kênh SPDT song song; - Dải tần công tác: DC-2.4GHz; - Mức suy giảm trung gian:
16 IC số CD4069UBC hoặc tương đương 10 Cái Điện áp cung cấp DC (VDD) -0.5V đến +18 VDC; Điện áp đầu vào (VIN) -0.5V đến VDD +0.5 VDC; Dải nhiệt độ cất giữ (TS) −65 ° C đến + 150 ° C; Công suất hao phí (PD) Dòng kép: 700 mW; Dòng bao nhỏ: 500 mW; Nhiệt độ chì (TL)(Hàn. 10 giây)260 ° C
17 IC số 8 Cái Dòng collector 500 mA (Đầu ra đơn); Đầu ra điện áp cao: 50 V; Điốt kẹp đầu ra; Đầu vào tương thích với nhiều loại logic; Ứng dụng điều khiển rơle; Tương thích với Sê-ri ULN2800A
18 IC số 4 Cái Đặc tính chống nhiễu: 2.9 nV/√Hz at 10 kHz; 0.38 mV p-p. 0.1 Hz to 10 Hz; Đặc tính dòng 1 chiều: Điện thế bù tối đa: 0.5 mV; Dòng phân cực đầu vào tối đa: 250 pA; sự tăng tích vòng hở: 1000 V/mV min ; Đặc tính dòng xoay chiều: tốc độ xoay chuyển: 2.8 V/µs ; dải thông Unity-gain: 4.5 MHz
19 IC số 4 Cái Điện thế nguồn: 3V - 16V; Độ ổn định tần số: 1%; Biến thiên tần số theo điện thế: 0.1%/V; Điện thế ngã ra mức thấp khi điện thế nguồn lớn nhất: 0.1 V; Điện thế ngã ra mức cao khi điện thế nguồn lớn nhất: 15.7 V; Thời gian thiết lập đầu ra: 45 ns; Thời gian suy giảm đầu ra: 20 ns
20 IC số 18 Cái Khuếch đại điện thế tín hiệu lớn: 200 V/mV; Tích độ tăng ích dải thông: 4 MHz
21 IC số 6 Cái Lưu lượng: 100 kSPS; Độ phân dải: 16 bit; Dải điện thế đầu vào: 0-2.5V; Điện thế nguồn: 5V; Công suất tiêu tán: 21 mW
22 IC số 8 Cái Nguồn cấp: -0.3 đến +6V; Điện thế ngã vào mức cao V+: 14V; Điện thế ngã vào mức thấp V-: -14V; Điện thế đầu ra: T_OUT:(V- - 0.3V) to (V+ + 0.3V); R_OUT: -0.3V to (VCC + 0.3V);
23 IC số 8 Cái Băng thông khuếch đại rộng: 1.3MHz; Khuếch đại điện thế rộng: 100dB; Dòng phân cực đầu vào: 20nA; Điện thế bù đầu vào: 5mV max
24 IC số 8 Cái Dòng phân cực đầu vào: 25 nA; Dòng bù đầu vào: ±5.0 nA; Điện thế bù đầu vào: ±1.0 mV; Điện thế bão hòa: 130 mV
25 IC số 12 Cái Điện thế nguồn: 5V; Dòng điện cổng ra mức thấp: 0.8mA; Dòng điện cổng ra mức cao: 16mA
26 IC 4N35 hoặc tương đương 18 Cái Diod đầu vào: Dòng DC thuận: 60mA; Dòng thuận cực đại: 3A; Transitor đầu ra: VCEO 30V; VCBO 70V; VECO 7V;
27 IC số 12 Cái Điện thế nguồn: 5V; Điện thế ngã vào mức cao: 2V; Điện thế ngã vào mức thấp: 0.8V; Dòng điện ngã ra mức cao: -15mA; Dòng điện ngã ra mức thấp: 24mA
28 IC số 12 Cái Điện thế nguồn: 5V; Điện thế ngã vào mức cao: 2V; Điện thế ngã vào mức thấp: 0.8V; Điện thế ngã ra mức cao: 30V; Dòng điện ngã ra mức thấp: 40mA
29 IC số 10 Cái Thời trễ truyền: 7ns; Điện dung đầu vào: 3.5pF; Điện dung công suất tiêu tán mỗi cổng: 22pF
30 IC số 12 Cái Thời trễ truyền: 7ns; Điện dung đầu vào: 5.5pF; Điện dung công suất tiêu tán mỗi cổng: 22pF
31 Ic số 6 Cái Dải điện thế đầu ra có thể điều chỉnh: 1.2 đến 37 V; Cường độ dòng đầu ra: 1.5 A max
32 IC số 5 Cái Tần số tổng hợp: 4GHz; Điện thế nguồn: 2.7V đến 5.5V; Dải nhiệt độ hoạt động: –40°C đến +85°C
33 IC số 25 Cái Khả năng cấp nguồn đơn: +3 V -+36 V; Khả năng cấp nguồn kép:±1.5V - ±18 V; Nhiễu thấp: 13 nV/√Hz @ 10 kHz
34 IC PLLc 4354 hoặc tương đương 5 Cái Điện áp VZ: 10.25V đến 11.75V; Điện áp nguồn: 4.5V đến VZ; Điện áp VGATE: 10.0V đến 10.25V;. Nhiệt độ làm việc: -20°C đến +80°C
35 IC hạn chế 6 Cái Dải tần làm việc: 8.9 – 9.5GHz Công suất đầu vào (Max): 30dBm Công suất đầu ra (Max): 10dBm Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C
36 IC chặn cao tần 30 con Tần số: 50 MHz -80000MHz; Tổn hao do nối ngoài: 0.3 dB; Độ tự cảm: 1.8 µH
37 IC lọc thông dải BPF-A60+ hoặc tương đương 7 con Dải tần: 55MHz -65 MHz ; Tần số trung tâm: 60 MHz; Tổn hao do nối ngoài: 3.4dB
38 IC KĐ và tách sóng logarit ADL5519 hoặc tương đương 10 con Dải thông : 1 MHz to 10 GHz; Dải động: 62 dB; Độ ổn định với nhiệt độ: ±0.5 dB (−40 ° C to +85 ° C); Nguồn: 3.3V to 5.5 V. 60mA
39 IC khuếch đại 20 con Khuếch đại 25.1 dB tại 100 MHz; Công suất tối đa: 19.2 dBm; Dải động: 2.7dB
40 IC khuếch đại 20 con Độ khuếch đại: 18.5dB tại 100 MHz; Công suất tối đa: 1.5 dBm; Dải động: 5.5 dB
41 IC khuếch đại 20 con Dải tần số: đến 7 GHz; Công suất đầu ra: 10.5 dBm ; Độ khuếch đại: 19.7 dB at 2 GHz
42 IC khuếch đại 10 con Độ khuếch đại tại 85 MHz: -55dB đến+51dB; Nguồn cấp: 3V; IP3 đầu vào: -2dBm; Hoạt động: 12MHz đến 385MHz
43 IC khuếch đại 30 con Độ khuếch đại 17.9dB tại 1950MHz; Công suất đầu ra: 16.5dBm tại 850 MHz; Trở kháng: 50 Om
44 IC dao động chuẩn TXO210B-5 hoặc tương đương 5 con Dải tần: 16-60 MHz; Điện thế nguồn: +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V; Mức điện thế đầu ra: 0.8 V
45 IC Bias Tee TCBT-14+ hoặc tương đương 20 con Băng thông: 10 MHz to 10 GHz; Dòng DC: 200mA; Hao tổn do nối ngoài: 1.0 dB tại 10 GHz
46 IC KĐ thuật toán CLC430 hoặc tương đương 20 con Độ bằng khuếch đại: 0.1dB. 20MHz; Băng thông : 100MHz; Tỉ số quét: 2000V/µs; Nguồn: ±5V. ±15V
47 IC KĐ thuật toán AD844 hoặc tương đương 20 con Độ rộng băng thông: 60 MHz tại độ khuếch đại –1; 33 MHz tại độ khuếch đại –10; Slew rate ngõ ra mức cao: 2000 V/ms
48 IC dùng cho tiền khuếch đại trung tần 16 Cái Tích khuếch đại - băng thông: 1.9GHz; Nhiễu điện thế đầu vào: 1.05nV/√Hz ; Điện thế bù đầu vào: 100µV; slew rate: 350V/µs
49 IC khuếc đại thuật toán CL434 hoặc tương đương 4 Cái Băng thông: 40MHz; Slew rate: 2000V/μs; Điện áp nguồn: ±4.5V đến ±18V; Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C
50 IC ERA-5 hoặc tương đương 4 Cái Độ khuếch đại tại 2 GHz : 11.8 dB; Công suất tối đa tại 2 GHz: đàu vào: 15 dBm; đầu ra: 10 dBm;
51 IC ERA-7 hoặc tương đương 6 Cái Dải tần làm việc: DC – 1GHz; Hệ số KĐ: 25.1dB/0.1GHz; Hệ số tạp: 2.7dB; Điểm nén 1dB: 19.2dBm/0.1GHz; Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C.
52 IC AD5330 hoặc tương đương 2 Cái DAC : 8bit; Công suất hoạt động thấp: 115 μA @ 3 V. 140 μA @ 5 V ; Công suất nguồn: 2.5 Vđến 5.5 V
53 IC ADL8309 hoặc tương đương 2 Cái Tần số đàu vào: 5Mhz đến 500MHz.; Độ nhay: -65dBm; Dải động: 85dB.; Điện áp đầu ra (Max): 1.25V; Điện áp nguồn: 2.7V đến 6.5V; Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C
54 IC AD5350 hoặc tương đương 4 Cái Dải đầu ra: –2 V đến +6 V ; Trở kháng đầu ra: 2.5 Ω; Tần số chuyển đổi: 300 MHz; Dòng cực đại: 400 mA
55 IC số 4 Cái Dải tần làm việc: DC – 240MHz.; Dải điện áp đầu vào: 0V đến 1.25V; Điện trở đầu vào: 4KΩ; Điện áp nguồn: 1.8V đến 1.9V; Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C.
56 IC CLC430 hoặc tương đương 4 Cái Độ bằng khuếch đại đến 20 MHz: 0.1dB; Dải thông: 100MHz; Tỉ số quét: 2000V/µs; Nguồn: ±5V. ±15V
57 IC trộn tần AFC H527LPS5 H527LPS5 hoặc tương đương 4 Cái Dải tần LO/RF: 10MHz-1GHz; -Dải tần IF: DC-100MHz; -Cách ly LO-RF: 35dB min; -Cách ly LO. RF – IF: 30dB min; -Tổn hao trộn: 8dB max
58 IC trộn tần AFC H434LP5E hoặc tương đương 4 Cái Dải tần LO/RF: 8-10GHz; -Dải tần IF: DC-500MHz; -Cách ly LO-RF: 40dB min; -Cách ly LO. RF – IF: 38dB min; -Tổn hao trộn: 8dB max
59 IC soát tần TC8761 hoặc tương đương 16 Cái Dải tần số: 1Mhz đến 80MHz; Công suất đầu vào: -10dBm đến 0dBm; Điện áp nguồn: 5V±5%; Nhiệt độ làm việc: -40°C đến +85°C
60 IC soát tần AD603 hoặc tương đương 16 Cái Dải khuếch đại khả trình: −11 dBđến +31 dB với dải tần 90 MHz; 9 dB đến 51 dB với dải tần 9 MHz ; Mật độ phổ nhiễu đầu vào: 1.3 nV/√Hz; Độ chính xác khuếch đại: ±0.5 dB;
61 Vi điều khiển 45 con Bộ nhớ chương trình: Flash 2048 từ; Bộ nhớ dữ liệu: SRAM 224 byte. EEPROM 128 byte I/O: 16; CCP: 1; USART; Bộ so sánh: 2; Bộ định thời 8/16-bit: 2/1
62 Bộ nhớ chương trình 15 Mô đun Nhớ cấu hình phần lập trình nhúng và lập trình phần cứng trên FPGA của Altera; - Dung lượng nhớ: 64Mbit; - Chuẩn giao tiếp dữ liệu: Active Serial ; - Nhiệt độ làm việc: -50 độ C đến 90 độ C; - Kiểu dạng chân đế: SOIC18
63 Biến đổi tương tự số 32MHz 8 bít 6 con Biến độ tương tự số: 8 bit.; - Tốc độ lấy mẫu: 32MSPS; - Nguồn cấp: 2.7 – 5.5VDC.; - Điện áp đầu vào mức cao: Min 2.4V.; - Điện áp đầu vào mức thấp: Max 0.3V.; - Điện áp đầu ra mức cao: Vlogic – 0.4 V (Min); - Điện áp đầu ra mức thấp: Vlogic – 0.4 V (Max).
64 IC lập trình 2 Cái Bộ nhớ: 440.800 bit; Hỗ trợ ISP: Không; Hỗ trợ xếp tầng: Không; Tái lập trình: Không; Điện thế hoạt động: 5.0 V hoặc 3.3 V
65 IC AD633 hoặc tương đương 4 Cái sai số toàn phần tối đa: ±2% ; Tỉ số quét: 20 V/µs; Mật độ phổ nhiễu đầu ra: 0.8 µV/√Hz; Điện thế nguồn: ±18 V
66 IC bảo vệ quá áp OVP-200-1.5 hoặc tương đương 125 con Thời gian bảo vệ quá áp: 1us; -Ngưỡng điện áp bảo vệ: lập trình được; -Điện áp vào lớn nhất: 200V; -Dòng tối đa: 1.5A
67 IC 2DVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC hoặc tương đương 9 Cái Mức điện áp đầu vào: ±30V; Điện áp nguồn: 4.75V đến 5.25V.; Mức điện áp đầu ra: + Mức cao (min): 2V; + Mức thấp (max): 0.8V; Nhiệt độ làm việc: -20°C đến +85°C
68 Linh kiện khả trình IC FPGA 148 I/O 240QFP 5 con Họ linh kiện: Cyclone IV EP4CE15; - Thành phần logic: 480 logic elements (LEs); - Bộ nhớ nhúng: 3.88 Embedded memory (Kbits); - Các bộ nhân nhúng: 26 ( 18 x 18 ); - 4 PLLs; -Cổng vào ra: 148 User I/Os; Linh kiện lập trình: - EPCS64 ; - JTAG và AS ; - Tiêu chuẩn an toàn : ROH ; - Nhiệt độ làm việc: -50 độ C đến 90 độ C; - Tương thích các tiêu chuẩn trong xử lý tín hiệu ra đa quân sự hải quân.; - Tốc độ giữ chậm các phần tử logics lập trình nhỏ hơn: 3 ns.
69 IC số 30 Cái Dải tần khuếch đại: 50 MHz ; Tốc độ quét: 350 V/ms; Nguồn cấp đơn: +5 V. nguồn cấp kép: ±5 V to ±15 V; Dòng đầu ra tối thiểu: 50 mA
70 PLEX20K100TL144-1 2 Cái Chíp lập trình phần cứng FPGA; - Số cổng hệ thống cực đại: 963.000 ; - Số cổng logic: 1.000.000; - Khối mảng logic: 944; - Bộ nhớ RAM: 1.200.288 bits; - Số chân I/O cực đại: 234; - Dải nhiệt độ làm việc: -40°C đến 125°C; - Nguồn nuôi: 3.3V - 5V; - Tần số làm việc: 1GHz
71 IC số ADC574JPK hoặc tương đương 2 Cái Độ rộng: 12-BIT A/D và 8-. 12-. or 16-BIT vi xử lý giao diện bus; Thời gian biến đổi: 25µs max; Thời gian truy cập bus 150ns max; Điện thế nguồn: ±12V hoặc ±15V
72 IC AD811AN hoặc tương đương 100 cái Độ khuếch đại : 3dB. G=+1. dải tần 140 MHz; Độ khuếch đại : 3dB. G=+2. dải tần 120 MHz; Độ khuếch đại : 0.1dB. G=+2. dải tần 35 MHz; Tỉ số quét: 2500 V/µs ; Độ khuếch đại vi sai: 0.01%. pha vi sai: 0.01%; Điện thế nhiễu: 1.9 nV/√Hz
73 IC tổ hợp DM590KH4 hoặc tương đương 30 Cái Bộ chuyển mạch SPDT kép được điều khiển logic - Số bộ chuyển mạch: 2 bộ; - Dải tần: DC-2.5GHz; - Mức suy giảm trung gian ở 2GHz thấp:
74 IC tổ hợp DM54LS279 hoặc tương đương 30 Cái Điện thế nguồn: 5V; Điện thế ngã vào mức cao: 2V; Điện thế ngã vào mức thấp: 0.7V; Dòng ngã ra mức cao: -0.4 mA; Dòng ngã ra mức thấp: 4 mA
75 IC số APT55M65JFLL hoặc tương đương 8 Cái Điện áp Drain-Source: 550 V; Dòng Drain liên tục: 63 A; Xung nhịp dòng drain: 252 A; Điện áp Gate-Source liên tục: ±30 V; Điện áp Gate-Source chuyển tiếp: ±40 V; Công suất tiêu tán tổng: 595W
76 IC C2344 hoặc tương đương 20 Cái Điện áp đánh thủng Collector-Base: 180 V; Điện áp đánh thủng Collector-Emitter : 160 V; Điện áp đánh thủng Emitter-Base : 6V; Dòng Collector liên tục: 1.5A; Dòng Collector xung nhịp: 3A
77 IC 30 Cái Điện thế nguồn: ±18 V; Điện thế vi phân đầu vào: ±30 V; Điện thế đầu vào: ±16 V; Dải nhiệt độ hoạt động: 0°C đến 70°C
78 Adapter nạp cấu hình 1 Bộ Cho IC lập trình; Loại: cắm USB; 32-Mbyte SDR SDRAM; 16-Mbyte flash; 1-Mbyte SRAM; 16-Mbyte compact flash
79 Board FPGA 1 Bộ I/O tương tự: A/D: 2 kênh. 12-bit. 125 MSPS ; D/A: 2 kênh. 14-bit. 165 MSPS ; DAC: VGA; CODEC: 96 KHz; I/O số: Bộ nối 40 pin: 2; RS 232 PHY/MAC: 10/100; Bộ nhớ: 32-Mbyte SDR SDRAM; 16-Mbyte flash; 1-Mbyte SRAM; 16-Mbyte compact flash; Điều chỉnh năng lượng: LTC1778EGN. LTC1326CS8. LT1085CM; Cáp: USB-BlasterTM. RS-232; 2 kênh đầu vào video hỗn hợp: TI TVP5146 ADC
Bạn muốn tìm kiếm gói thầu thế mạnh của mình? Hãy để bidwinner quét và lọc giúp bạn:

searchBắt đầu tìm kiếm
Bạn muốn nhận thông báo mời thầu hàng ngày theo bộ lọc từ khóa thông minh qua email cá nhân?

emailĐăng ký email của tôi
-->