Gói thầu: Gói thầu số 01: Mua sắm vật tư, linh kiện năm thứ nhất
Tính năng mới trên bidwinner năm 2024
| Thông tin | Chi tiết |
|---|---|
| Số TBMT | 20200907570-00 |
| Thời điểm đóng mở thầu | 11/09/2020 14:00:00
Đã đóng thầu
|
| Bên mời thầu | TRUNG TÂM KỸ THUẬT THÔNG TIN CÔNG NGHỆ CAO |
| Tên gói thầu | Gói thầu số 01: Mua sắm vật tư, linh kiện năm thứ nhất |
| Số hiệu KHLCNT | 20200903959 |
| Lĩnh vực | Hàng hóa |
| Chi tiết nguồn vốn | NSQP |
| Hình thức LCNT | Chào hàng cạnh tranh trong nước |
| Loại hợp đồng | Trọn gói |
| Phương thức LCNT | Một giai đoạn một túi hồ sơ |
| Thời gian thực hiện hợp đồng/gói thầu | 30 Ngày |
| Hình thức dự thầu | Đấu thầu qua mạng |
| Thời gian nhận HSDT từ ngày | 2020-09-04 13:46:00 đến ngày 2020-09-11 14:00:00 |
| Địa điểm thực hiện gói thầu | |
| Địa điểm mở thầu | website: http://muasamcong.mpi.gov.vn |
| Giá gói thầu | 800,780,000 VNĐ |
| Số tiền bảo đảm dự thầu | 9,000,000 VNĐ ((Chín triệu đồng chẵn)) |
| Hinh thức bảo đảm dự thầu | Thư bảo lãnh |
| Xem nội dung TBMT gốc và tải E-HSMT | content_copySao chép link gốc |
| Theo dõi | (Bạn cần đăng nhập để sử dụng chức năng theo dõi) |
Mẫu sô 01A: PHẠM VI CUNG CẤP
| STT | Danh mục hàng hóa | Ký mã hiệu | Khối lượng mời thầu | Đơn vị | Mô tả hàng hóa | Ghi chú |
| 1 | Khối xử lý trung tâm - CPU Intel Xeon 64 bit, | 2 | Bộ | CPU Intel Xeon 64 bit; 8 lõi; 85 W; tần số đồng hồ tối đa 2,5GHz; Bus dữ liệu 64 bit; Bộ nhớ 1TB; Kiểu bộ nhớ DDR4-2400; Bộ nhớ đệm 11MB; Nhiệt độ làm việc tối đa 77°C | ||
| 2 | Hệ nhúng vi điều khiển | 2 | Bộ | Tần số hoạt động 200MHz; Dung lượng RAM 32Mb; Công suất tiêu thụ 5W; điện áp hoạt động 24V; Kiểu bộ nhớ SDRAM | ||
| 3 | Bộ vi xử lý RF | 20 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 4 | Đi ôt Zener 5V6+15V+12V | 16 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 5 | Điện trở chân cắm 1KOhm 1/3W | 200 | Chiếc | Điện trở công suất 1kΩ; 1/3W | ||
| 6 | Điện trở dán SMD 0603 sai số 2% | 200 | Chiếc | Sai sô 2% | ||
| 7 | IC 74HC595 | 20 | Chiếc | Điện áp hoạt động: (2-6)VDC. Bộ đếm thanh ghi: 8 bit. Thời gian trễ: 13ns. Dòng tiêu thụ: 20mA | ||
| 8 | IC điều khiển suy hao cao tần | 10 | Chiếc | Dải tần hoạt động: (0.01-4)GHZ, hệ số suy hao tối đa: 31.5dB, số bit điều khiển: 6bit, dải nhiệt độ: (-40 ÷ 85)°C | ||
| 9 | IC điều khiển suy hao tín hiệu | 20 | Chiếc | điều khiển suy hao tín hiệu dải 0÷31.5dB, bước điều chỉnh 0.5dB. | ||
| 10 | IC điều khiển truyền thông qua cổng mạng | 2 | Chiếc | Tốc độ truyền data 1Gbps; 2 cổng PCle; công suất tiêu thụ 6W; Nhiệt độ làm việc (0÷55 )°C | ||
| 11 | IC giao tiếp | 10 | Chiếc | Tốc độ truyền data 1Gbps; loại cổng I2C, RGMII; Nhiệt độ làm việc (-40÷ 85 )°C | ||
| 12 | IC khuếch đại công suất | 10 | Chiếc | Độ tự cảm gm VDS = 3V; IDS = 2,0 AmS ⎯1200; Điện áp ngắt VGSoff VDS = 3V; IDS = 60mAV -2,0 -3,5-5,0; Dòng xả bão hòa IDSS VDS = 3V VGS = 0VA ⎯4,0; ⎯ Điện áp ngắt nguồn VGSO IGS = -60μAV -5; ⎯ | ||
| 13 | IC khuếch đại đệm | 10 | Chiếc | Dải điện áp vào (-7÷12)VDC; Hệ số KĐ 26dB; Dải tần làm việc (13,75÷14,5)GHz; Nhiệt độ làm việc (-55÷ 85 )°C | ||
| 14 | IC khuếch đại tạp âm thấp Gali 02 | 20 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 15 | IC khuếch đại tạp âm thấp Gali 03 | 20 | chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 16 | IC khuếch đại tạp âm thấp Gali 33 | 20 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 17 | IC khuếch đại tạp âm thấp Gali 39 | 20 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 18 | IC khuếch đại tạp âm thấp Gali 74 | 20 | chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 19 | IC khuếch đại tín hiệu 10MHz JH3 | 10 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 20 | IC khuếch đại tín hiệu 10MHz 4C6 | 10 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 21 | IC khuếch đại tín hiệu dải rộng | 20 | Chiếc | Dải điện áp vào (-7÷12)VDC; Hệ số KĐ 25dB; Dải tần làm việc (14÷14,5)GHz; Nhiệt độ làm việc (-40÷ 85 )°C; Công suất ra cao nhất 21dBm | ||
| 22 | IC LM311M | 20 | Chiếc | Điện áp hoạt động: |(5-36)VDC. Thời gian phản hổi dữ liệu: 200ns . Nhiệt độ hoạt động tối đa: +70°C. Dòng tiêu thụ: 7.5mA | ||
| 23 | IC LM78L05ACM | 20 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 24 | IC tạo dao động điều khiển bằng điện áp VCO | 10 | Chiếc | Dải tần hoạt động: (12.4-13.4)GHZ,dải điện áp: 31.5dB, số bit điều khiển: 6bit, dải nhiệt độ: (-40 ÷ 85)°C | ||
| 25 | IC vòng khóa pha ở dải tần Ku | 20 | Chiếc | Dải tần hoạt động: (1÷7)GHz, điện áp hoạt động: (2,7÷3,3)V, dòng tiêu thụ: 17mA | ||
| 26 | Mạch quản lý điều khiển cấp nguồn | 6 | Chiếc | Nhiệt độ làm việc (-40÷ 85 )°C; Dòng điện ra 30A; điện áp ra 25,9V; công suất ra 2W; điện áp vào (14,5÷15,5)V; Tần số chuyển mạch 10kHz | ||
| 27 | Màn hình 10.1" 1280x800 WXGA | 2 | Bộ | Kích thước màn hình 10,1 inch; Độ phân giải (1280x800) WXGA; Công suất tiêu thụ 6,18W; Điện áp 3,3V; Nhiệt độ làm việc (-20÷ 65 )°C | ||
| 28 | Modul giao diện kết nối | 2 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 29 | Modul nguồn DC/DC | 4 | Modul | Dải điện áp vào (9÷36)VDC; Dải điện áp ra (4,17÷24)VDC; điện áp cách ly 1500V; công suât 100W | ||
| 30 | Tấm lót cách điện Ferrite | 20 | Chiếc | Cách điện, chống nhiễu cho linh kiện siêu cao tần; chất liệu Ferrite; kích thước DxRxC = (86x54x0,15) mm | ||
| 31 | Transitor trường loại GaN HEMT DC-2.5GH | 10 | Chiếc | Tại tần số 900MHz : Hệ số khuếch đại lớn nhất là 20dB; dải tần làm việc lên tới 2GHz; Công suất ra 250W. | ||
| 32 | Transitor trường TO270-2N FET | 10 | Chiếc | Nhiệt độ làm việc (-65 ÷ 225 )°C; Dải tần công tác (470 ÷ 960) MHz; Điện áp nguồn xả tối đa 66V; | ||
| 33 | Tụ điện gốm nhiều lớp MLCC - SMD/SMT, 25V 100Uf X7R | 40 | Chiếc | Điện áp 25VDC; điện dung 100µF; Nhiệt độ làm việc (-55 ÷ 125 )°C; Nhiều lớp xếp chồng. | ||
| 34 | Tụ điện Tantalum - SMD 4.7uF 25Vdc 10% | 100 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 35 | Tụ gốm SMD0603 5% các loại giá trị | 92 | Chiếc | Tụ gốm sai số 5% | ||
| 36 | Tụ gốm SMD0805 5% các loại giá trị | 100 | Chiếc | Tụ gốm sai số 5% | ||
| 37 | Tụ gốm SMD1005 5% các loại giá trị | 100 | Chiếc | Tụ gốm sai số 5% | ||
| 38 | Điện trở băng SMD sai số 0.1%, | 100 | Chiếc | Linh kiện dán, 8 chân; giá trị =100 kΩ; sai số 0,1 %; Nhiệt độ làm việc (-55 ÷ 125 )°C | ||
| 39 | Điện trở màng kim loại, 3watts 5.1Kohms 5% | 70 | Chiếc | Điện trở công suất 5,1kΩ; 3W; Sai số 5% | ||
| 40 | Điện trở chíp 1/16W 1.8K ohm 1% 50ppm | 130 | Chiếc | Sai số 5% | ||
| 41 | Biến trở vi chỉnh, 1W 10Kohms 10%, | 40 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 42 | Cuộn cảm SMD 0805 20% 0.1mA | 160 | Chiếc | Cuộn cảm dán hiệu suất 20%; dòng điện 0.1mA | ||
| 43 | IC chuyển đổi - số tương tự DAC, | 6 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 44 | Cảm biến nhiệt độ, sai số 0.1 độ, | 4 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 45 | Bộ tạo dao động thạch anh chuẩn 200MHz | 40 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 46 | Cảm biến chạm điện dung | 20 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 47 | Đế IC 28 chân | 16 | Chiếc | Như datasheet của NSX | ||
| 48 | Mạch in 02 lớp | 10 | Dm2 | Mạ đồng, kích thước: (76x127) mm |
Bạn muốn tìm kiếm gói thầu thế mạnh của mình? Hãy để bidwinner quét và lọc giúp bạn:
searchBắt đầu tìm kiếm
Bạn muốn nhận thông báo mời thầu hàng ngày theo bộ lọc từ khóa thông minh qua email cá nhân?
emailĐăng ký email của tôi