Gói thầu: Mua sắm vật tư linh kiện điện tử
[Thông báo từ bidwinner] Ra mắt bộ lọc từ khóa mới từ ngày 16-03-2024
| Thông tin | Chi tiết |
|---|---|
| Số TBMT | 20201068077-00 |
| Thời điểm đóng mở thầu | 30/10/2020 08:30:00
Đã đóng thầu
|
| Bên mời thầu | Viện Ra đa/Viện Khoa học và Công nghệ quân sự |
| Tên gói thầu | Mua sắm vật tư linh kiện điện tử |
| Số hiệu KHLCNT | 20201062393 |
| Lĩnh vực | Hàng hóa |
| Chi tiết nguồn vốn | Ngân sách Quốc phòng |
| Hình thức LCNT | Chào hàng cạnh tranh rút gọn trong nước |
| Loại hợp đồng | Trọn gói |
| Phương thức LCNT | Một giai đoạn một túi hồ sơ |
| Thời gian thực hiện hợp đồng/gói thầu | 30 Ngày |
| Hình thức dự thầu | Đấu thầu qua mạng |
| Thời gian nhận HSDT từ ngày | 2020-10-26 17:40:00 đến ngày 2020-10-30 08:30:00 |
| Địa điểm thực hiện gói thầu | |
| Địa điểm mở thầu | website: http://muasamcong.mpi.gov.vn |
| Giá gói thầu | 670,870,000 VNĐ |
| Xem nội dung TBMT gốc và tải E-HSMT | content_copySao chép link gốc |
| Theo dõi | (Bạn cần đăng nhập để sử dụng chức năng theo dõi) |
Mẫu sô 01A: PHẠM VI CUNG CẤP
| STT | Danh mục hàng hóa | Ký mã hiệu | Khối lượng mời thầu | Đơn vị | Mô tả hàng hóa | Ghi chú |
| 1 | IC công suất | 12 | Cái | - Dải tần số hoạt động: 2,5GHz ÷ 6.0GHz - P SAT : 46,5 dBm (PIN = 26 dBm) - PAE: 36% (P IN = 26 dBm) - Độ lợi tín hiệu nhỏ: 29 dB - Điện áp: 30V, - Dòng: 1,55 A - Nhiệt độ hoạt động: -40°C ÷ +85°C | ||
| 2 | IC tải cao tần | 20 | Cái | - Trở kháng sóng: 50R - Dải tần làm việc: DC-4000MHz. - Hệ số sóng đứng: | ||
| 3 | Chuyển mạch | 8 | Cái | - Dải tần làm việc: 3600MHz ÷ 4200 MHz. - Tổn hao chèn: max 0,3 dB. - Hệ số sóng đứng: | ||
| 4 | IC công suất | 8 | Cái | - Dải tần làm việc: 2,3GHz ÷ 5GHz - Hệ số khuếch đại: 28dB. - Nguồn +5V +/- 0,5V. - Dòng tiêu thụ 95mA. - Trở kháng vào/ra: 50R. - Công suất đầu vào cực đại: +10dBm. | ||
| 5 | IC giám sát dòng | 6 | Cái | Dòng điện - Cảm biến: 25A ~ 50A Dòng điện - Nguồn cung cấp (Tối đa): 20mA Tần số: DC ~ 18kHz Độ tuyến tính: ± 1,6% Số kênh: 1 Nhiệt độ hoạt động: -40°C ÷ +85°C Đầu ra: SPI Thời gian đáp ứng: 57µs Điện áp - Nguồn cung cấp: 3.1V ÷ 3.5V | ||
| 6 | IC X3C35F1-03S hoặc tương đương | 24 | Cái | - Tần số hoạt động: 3300MHz ÷ 3700 MHz - Biên độ thăng bằng lớn nhất: ±0,3dB - Độ cách ly nhỏ nhất: 23dB - Độ chậm pha: 0,09 ± 0,04 ns - Nhiệt độ hoạt động: -55ºC ÷ +140ºC | ||
| 7 | IC khuếch đại công suất | 12 | Cái | • Trở kháng 50Ω • Dải tần số, DC đến 4 GHz • Công suất đầu ra, 18,2 dBm typ. Nhiệt độ bảo quản: -65°C ÷ +150°C Dòng hoạt động hiện tại 85mA Công suất đầu vào 20dBm | ||
| 8 | IC tổ hợp tần số | 6 | Cái | Nguồn cung cấp AVDD (1.8V), DVDD (1.8V) 2 V Nguồn cung cấp AVDD (3.3V), DVDD_I / O (3.3V) 4 V Điện áp đầu vào kỹ thuật số - 0,7V ÷ +4 V XTAL_SEL - 0,7 V ÷ +2,2 V Đầu ra hiện tại 5 mA Phạm vi nhiệt độ lưu trữ: -65ºC ÷ +150ºC Phạm vi nhiệt độ hoạt động: - 40ºC ÷ + 85ºC Nhiệt độ mối nối tối đa 150ºC Nhiệt độ chì, hàn (10 giây) 300ºC | ||
| 9 | IC dao động tại chỗ | 6 | Cái | Nhiệt độ hoạt động: -55ºC ÷ 85ºC Nhiệt độ bảo quản: -55ºC ÷ 100ºC Điện áp cung cấp (Vcc) 6V Điều chỉnh điện áp (Vtune) 27V Trở kháng Hệ thống 50Ω Dải tần làm việc: 1000MHz ÷ 2400MHz Nguồn đầu ra: 3,5dBm | ||
| 10 | IC dao động tại chỗ | 6 | Cái | Nhiệt độ hoạt động: -55ºC ÷ 85ºC Nhiệt độ bảo quản: -55ºC ÷ 100ºC Điện áp cung cấp (Vcc) 6,6V Điều chỉnh điện áp (Vtune) 12V Trở kháng Hệ thống 50Ω Dải tần làm việc: 3850MHz ÷ 4000MHz Nguồn đầu ra: 5dBm | ||
| 11 | IC giao động chuẩn tần số | 6 | Cái | Gói gắn bề mặt 4 tấm tiêu chuẩn 7,0mm x 5,0mm • Đầu ra tương thích HCMOS/TTL • Các thiết kế pha lê cơ bản và Overtone thứ 3 • Dải tần số 1MHz ÷ 200 MHz • Độ ổn định tần số ± 50 ppm Tiêu chuẩn, ± 25 ppm và ± 20 ppm Có sẵn • Điện áp hoạt động: + 5.0Vdc hoặc + 3.3Vdc • Nhiệt độ hoạt động: -40ºC ÷ + 85ºC | ||
| 12 | IC trộn tần | 6 | Cái | Nhiệt độ hoạt động: -40ºC ÷ 85ºC Nhiệt độ bảo quản: -55ºC ÷ 100ºC Công suất: 50mW Nguồn điện: 40mA • suy hao chuyển đổi thấp, loại 7,1dB. • cách ly L-R 36 dB typ. & L-I cách ly, 37 dB typ. • gói cấu hình thấp • có thể rửa được bằng nước | ||
| 13 | IC trộn tần | 4 | Cái | - Điện áp điều khiển (V1, V2):Vdd + 0,5 Vdc - Điện áp phân cực (Vdd)+8.0 Vdc - Nhiệt độ bảo quản: -65ºC÷ +150ºC - Nhiệt độ hoạt động: -40ºC ÷ +85ºC - Công suất đầu vào RF (0,7 - 4 GHz): +28 dBm | ||
| 14 | IC số M132PУ10 hoặc tương đương | 4 | Cái | - Dung lượng SRAM 256K. - Công nghệ CMOS. - Điện áp nguồn cực đại: +7V. - Thời gian truy cập cực đại: 25ns. - Đầu vào và đầu ra độc lập. - Dạng đóng vỏ: DIP-24P. - Công suất tiêu tán cực đại: 1W - Nhiệt độ làm việc: -40ºC ÷ +80ºC | ||
| 15 | IC khuếch đại | 4 | Cái | - Dải tần làm việc: DC – 7GHz - Hệ số KĐ: 20.8dB/0.1GHz - Hệ số tạp: 2.4dB - Điểm nén 1dB: 10.5dBm/0.1GHz - Nhiệt độ làm việc: -55ºC ÷ +85ºC - Độ ẩm: 95% | ||
| 16 | Bộ gá láp mảng mạch | 2 | Bộ | Trọng lượng 3,9kg Chiều cao: 4 Chiều rộng: 44 Chiều dài: 315 Số lượng khe 8 Độ ồn [dB (A)] 21 đến 48 Dải điện áp đầu vào: 100÷ 240VAC ở 50/60 Hz Nhiệt độ môi trường: 0ºC ÷ 50ºC | ||
| 17 | IC lọc thông thấp | 4 | Cái | Nhiệt độ hoạt động -40ºC ÷ 85ºC Nhiệt độ bảo quản -55ºC ÷ 100ºC Đầu vào nguồn RF 0,5 W Tần số trung tâm: 300 MHz | ||
| 18 | IC lọc thông dải | 4 | Cái | Tần số: 4500MHz Dải tần số: 3500MHz ÷ 4500MHz Trở kháng: 50Ω Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 55ºC Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 85ºC Suy hao chèn: 2,19dB | ||
| 19 | Transistor khuếch đại trung tần | 2T368A hoặc tương đương | 4 | Cái | • Cấu trúc tranzito: n-p-n; • Рк max: 225 mW; • fgr: ≥ 900 MHz; • Ukbo max: 15 V; • Uebo max: 4 V; • Iк max: 30 mA; • Ikbo: ≤ 0,5 μA; • CK: ≤ 1,7 pF; • Ksh: ≤ 3,3 dB ở 60 MHz; | |
| 20 | Transistor công suất | 2T505A hoặc tương đương | 6 | Cái | • Cấu trúc tranzito: p-n-p; • Рк max: 1 W; • Рк т max: 5 W; • fgr: ≥ 20 MHz; • Uker max: 300 V (0,1 kOhm); • Uebo max: 5 V; • Ik max : 1 A; • Ik và max : 2 A; • Ikbo: ≤ 100 μA; • Ck: ≤ 70 pF; • Rke sat: ≤ 3,6Ω | |
| 21 | Tụ điện các loại | 200 | Cái | - Tụ điện không phân cực - Giá trị (số lượng): 1nF, 47nF, 470nF, 680nF, 150nF (số lượng 40 cái). - Điện áp đánh thủng: 200V - Độ chính xác: 5% | ||
| 22 | Điện trở các loại | 200 | Cái | - Điện trở công suất: 2W - Giá trị (số lượng) điện trở: 220Ω; 470Ω; 560Ω; 680Ω; 1KΩ; 4,7KΩ; 10KΩ; 22KΩ; 47KΩ; 33KΩ; (số lượng mỗi loại là 20 cái). - Độ chính xác: 5% | ||
| 23 | An ten | 2 | Cái | - Dải tần làm việc: 0,8GHz ÷ 8GHz. - Gain: 2.43 dBic. - Phân cực: LHCP. - Hệ số sóng đứng: | ||
| 24 | Mạch in cao tần | 4 | Tấm | Kích thước: 610mm x 457mm Độ dầy lớp điện môi: 0.75mm Độ dày lớp dẫn: 0.035mm Hằng số điện môi: 6.15±0.15/10GHz Tổn hao tagD: 0.0025 Nhiệt độ làm việc: -20ºC ÷ +125ºC | ||
| 25 | Giắc khối vào - ra cao tần loại SMA | 8 | Cái | Loại đầu giắc: SMA đầu cái - Tần số làm việc: Băng tần S - Trở kháng: 50 Ω - Suy hao: 0,15 dB - Nhiệt độ làm việc: -65°C ÷ +150°C | ||
| 26 | Mạch in 2 lớp FR4 | 12 | dm2 | Vật liệu phíp sợi thủy tinh loại FR4 Độ dầy bo mạch: 1.6mm Mạ bạc đường mạch Hằng số điện môi: ≥ 4.4 Hệ số tiêu tán: ≤ 0.002 Hệ số nhiệt của: -280 ppm/C° Độ dày lớp điện môi: 0.8mm Dải nhiệt độ làm việc: - 55°C ÷ 125°C | ||
| 27 | Thiếc hàn | 1 | Cuộn | Thành phần: Thiếc 80%, Bạc 2%, đồng 6%, hỗn hợp nhựa thông 12% Đường kính sợi: 0.8mm, 0.6mm, 1.5mm | ||
| 28 | Nhựa thông | 0,5 | kg | - Nhựa thông dạng rắn - Hàm lượng nhựa thông: >95% - Hàm lượng tạp chất: | ||
| 29 | Dụng cụ hàn | 2 | Bộ | Dụng cụ hàn loại 1 gồm: 01 mỏ hàn xung 01 mỏ khò hơi Công suất cực đại: 100W |
Bạn muốn tìm kiếm gói thầu thế mạnh của mình? Hãy để bidwinner quét và lọc giúp bạn:
searchBắt đầu tìm kiếm
Bạn muốn nhận thông báo mời thầu hàng ngày theo bộ lọc từ khóa thông minh qua email cá nhân?
emailĐăng ký email của tôi