Gói thầu: Mua sắm linh kiện điện tử

Tính năng mới trên bidwinner năm 2024
Thông tin Chi tiết
Số TBMT 20220719881-00
Thời điểm đóng mở thầu 09/08/2022 10:05:00
Đã đóng thầu
Bên mời thầu Nhà máy A32/CKT/QC PK KQ
Tên gói thầu Mua sắm linh kiện điện tử
Số hiệu KHLCNT 20220719851
Lĩnh vực Hàng hóa
Chi tiết nguồn vốn Ngân sách Dự án giai đoạn III
Hình thức LCNT Đấu thầu rộng rãi trong nước
Loại hợp đồng Trọn gói
Phương thức LCNT Một giai đoạn một túi hồ sơ
Thời gian thực hiện hợp đồng/gói thầu 60 Ngày
Hình thức dự thầu Đấu thầu qua mạng
Thời gian nhận HSDT từ ngày 2022-07-30 10:02:00 đến ngày 2022-08-09 10:05:00
Địa điểm thực hiện gói thầu Thành phố Đà Nẵng
Địa điểm mở thầu website: http://muasamcong.mpi.gov.vn
Giá gói thầu 3,601,972,000 VNĐ
Số tiền bảo đảm dự thầu 36,100,000 VNĐ ((Ba mươi sáu triệu một trăm nghìn đồng chẵn))
Hinh thức bảo đảm dự thầu Thư bảo lãnh
Xem nội dung TBMT gốc và tải E-HSMT content_copySao chép link gốc
Theo dõi (Bạn cần đăng nhập để sử dụng chức năng theo dõi)
Tiêu chuẩn đánh giá về năng lực và kinh nghiệm
keyboard_arrow_rightLịch sử không hoàn thành hợp đồng
Yêu cầu Từ ngày 01 tháng 01 năm 2019(1) đến thờiđiểm đóng thầu, nhà thầu không có hợp đồng không hoàn thành(2).
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Không áp dụng
- Từng thành viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightKết quả hoạt động tài chính
Yêu cầu Nhà thầu kê khai số liệu tài chính theo báo cáo tài chính từ năm 2019đến năm 2021(3)để cung cấp thông tin chứng minh tình hình tài chính lành mạnh củanhà thầu.
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Không áp dụng
- Từng thành viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightKết quả hoạt động tài chính
Yêu cầu Giá trị tài sản ròng của nhà thầu trong năm gần nhất phảidương.
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Không áp dụng
- Từng thành viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightDoanh thu bình quân hàng năm từ hoạt động sản xuất, kinhdoanh
Yêu cầu Doanh thu bình quân hàng năm tối thiểu là 5.403E9(4) VND, trong vòng 3(5)năm gần đây.
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Từng thành viên liên danh Không áp dụng
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightYêu cầu về nguồn lực tài chính cho gói thầu(6)
Yêu cầu Nhà thầu phải chứng minh có các tài sản có khả năng thanhkhoản cao(7) hoặc có khả năng tiếp cận với tài sản có khả năngthanh khoản cao sẵn có, các khoản tín dụng hoặc các nguồn tàichính khác (không kể các khoản tạm ứng thanh toán theo hợp đồng)để đáp ứng yêu cầu về nguồn lực tài chính thực hiện gói thầu vớigiá trị là 9.1E8 VND(8).
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Từng thành viên liên danh Không áp dụng
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightKinh nghiệm thực hiện hợp đồng cung cấp hànghoá tương tự
Yêu cầu Số lượng tối thiểu các hợp đồng tương tự(9) theo mô tảdưới đây mà nhà thầu đã hoàn thành toàn bộ hoặc hoàn thành phầnlớn(10) với tư cách là nhà thầu chính (độc lập hoặc thành viênliên danh) hoặc nhà thầu phụ(11) trong vòng 3(12) năm trở lại đây (tính đến thời điểm đóng thầu): Hợp đồng sử dụng Nguồn vốn ngân sách Nhà nước.
Số lượng hợp đồng bằng 3 hoặc khác 3, ít nhất có 01 hợp đồng có giá trị tối thiểu là 2.522.000.000 VND và tổng giá trị tất cả các hợp đồng ≥ 7.566.000.000 VND.
- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Từng thành viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu (tương đương với phầncông việc đảm nhận)
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng
keyboard_arrow_rightKhả năng bảo hành, bảo trì, duy tu, bảo dưỡng, sửa chữa,cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp các dịch vụ sau bán hàngkhác(13)
Yêu cầu Nhà thầu phải có đại lý hoặc đại diện có khả năng sẵn sàngthực hiện các nghĩa vụ của nhà thầu như bảo hành, bảo trì, duy tu,bảo dưỡng, sửa chữa, cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp cácdịch vụ sau bán hàng khác theo các yêu cầu như sau:

a) Bảo hành sản phẩm ít nhất 12 tháng.b) Thực hiện các nghĩa vụ ngoài bảo hành như hỗ trợ (hoặc tư vấn sửa chữa, hoặc cung cấp dịch vụ kỹ thuật) và cung cấp hàng hóa thay thế trong 05 năm. c) Có đại lý/đại diện có khả năng sẵn sàng thực hiện các nghĩa vụ của nhà thầu như bảo hành, bảo trì, duy tu, bảo dưỡng, sửa chữa, cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp các dịch vụ sau bán hàng khác theo các yêu cầu như sau: - Cử ngay cán bộ hỗ trợ khắc phục hay xử lý tạm thời để đảm bảo an toàn cho thiết bị trong vòng 48 giờ... kể từ khi nhận được yêu cầu của chủ đầu tư; - Thời gian sửa chữa, khắc phục các hư hỏng, sai sót: không quá 10 ngày kể từ khi nhận được yêu cầu của chủ đầu tư, trường hợp phải đặt hàng với nước ngoài: không quá 60 ngày.

- Nhà thầu độc lập Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Tổng các t.viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu này
- Từng thành viên liên danh Phải thỏa mãn yêu cầu (tương đương với phần công việc đảmnhận)
- Tối thiểu một t.viên liên danh Không áp dụng

Tải sườn e-HSDT (Tham khảo)

cloud_downloadSườn HSDT
E-CDNT 1.1 Nhà máy A32/CKT/QC PK KQ
E-CDNT 1.2 Mua sắm linh kiện điện tử
Mua linh kiện điện tử thực hiện Dự án giai đoạn III đợt 2
60 Ngày
E-CDNT 3 Ngân sách Dự án giai đoạn III
E-CDNT 5.3


- Bên mời thầu: Nhà máy A32/QC Phòng không-Không quân, địa chỉ: Sân bay Đà Nẵng, thành phố Đà Nẵng, số điện thoại: 02363.746313
trừ trường hợp Chủ đầu tư, Bên mời thầu, nhà thầu tham dự thầu thuộc cùng một tập đoàn kinh tế nhà nước và sản phẩm thuộc gói thầu là đầu vào của Chủ đầu tư, Bên mời thầu, là đầu ra của nhà thầu tham dự thầu, đồng thời là ngành nghề sản xuất, kinh doanh chính của tập đoàn.





-- Ghi đầy đủ tên, địa chỉ, số điện thoại, Fax, Email của đơn vị tư vấn (nếu có). --


- Bên mời thầu: Nhà máy A32/CKT/QC PK KQ , địa chỉ: Sân bay Đà Nẵng - Thành phố Đà Nẵng
- Chủ đầu tư: Nhà máy A32/QC Phòng không-Không quân, địa chỉ: Sân bay Đà Nẵng, thành phố Đà Nẵng, số điện thoại: 02363.746313


E-CDNT 10.1(g)
1. Bảo lãnh dự thầu. 2. Tài liệu chứng minh tư cách hợp lệ của nhà thầu: - Giấy phép đăng ký kinh doanh/giấy phép hoạt động/quyết định thành lập hoặc giấy tờ khác có giá trị tương đương. - Giấy ủy quyền (nếu có). - Báo cáo tài chính đã được kiểm toán đối với doanh nghiệp phải thực hiện kiểm toán quy định tại Điều 37 Luật kiểm toán độc lập ngày 29/3/2011 và Điều 15 Nghị định số 17/2012/NĐ-CP ngày 13/3/2012 hoặc doanh nghiệp tự nguyện kiểm toán. - Báo cáo tài chính được cơ quan thuế xác nhận đối với doanh nghiệp không phải thực hiện kiểm toán quy định tại Điều 37 Luật kiểm toán độc lập ngày 29/3/2011 và Điều 15 Nghị định số 17/2012/NĐ-CP ngày 13/3/2012 và không tự nguyện kiểm toán. - Các giấy tờ khác có liên quan nhằm chứng minh tư cách hợp lệ của nhà thầu quy định tại Điều 5, Chỉ dẫn nhà thầu. 3. Tài liệu chứng minh năng lực và kinh nghiệm của nhà thầu: - Hợp đồng tương tự và biên bản nghiệm thu (hoặc biên bản thanh lý, hoặc bảng xác định khối lượng công việc hoàn thành) của hợp đồng tương tự. - Các giấy tờ khác có liên quan. 4. Tài liệu chứng minh năng lực của các nhân sự chủ chốt: bằng cấp, chứng chỉ, hợp đồng đã tham gia (nếu có), các giấy tờ khác có liên quan. 5. Tài liệu chứng minh tính hợp lệ của hàng hóa như mục E-CDNT 10.2(c) “Tài liệu chứng minh về tính hợp lệ của hàng hoá”. 6. Tài liệu chứng minh năng lực thực hiện hợp đồng như mục E-CDNT 15.2 “Các tài liệu để chứng minh năng lực thực hiện hợp đồng nếu được công nhận trúng thầu”. Nếu thông tin kê khai không đúng với tài liệu đính kèm thì căn cứ xác nhận là tài liệu đính kèm. Nhà thầu phải scan bản gốc hoặc bản sao có công chứng, riêng: bảo lãnh dự thầu, giấy ủy quyền (nếu có), thỏa thuận liên danh (nếu có), các cam kết của nhà thầu phải là bản gốc. Nhà thầu khi được mời vào thương thảo hợp đồng phải nộp bản gốc hoặc bản sao có công chứng tất cả các tài liệu đính kèm E-HSDT để phục vụ công tác đối chiếu tài liệu trước khi tiến hành thương thảo hợp đồng. Riêng bảo lãnh dự thầu, giấy ủy quyền (nếu có), các cam kết của nhà thầu phải là bản gốc.
E-CDNT 10.2(c)
a) Hàng hóa được cung cấp hoàn toàn không có ảnh hưởng tác động hoặc có tác động nhỏ đến môi trường, nếu có tác động nhỏ tới môi trường thì nhà thầu phải đề xuất biện pháp giải quyết hợp lý. b) Nhà thầu cam kết cung cấp các giấy tờ sau của hàng hóa: - Giấy chứng nhận xuất xứ (CO); Giấy chứng nhận chất lượng (CQ); và các giấy tờ khác có liên quan theo quy định của Bộ Quốc phòng (tờ khai hải quan/ hóa đơn thương mại/vận đơn/phiếu đóng gói) đối với hàng hóa nhập khẩu hoặc hàng hóa mua trong nước là sản phẩm nhập khẩu. Các giấy tờ nêu trên đảm bảo rõ ràng, không tẩy xóa, đầy đủ thông tin theo quy định. c) Nhà thầu cam kết có vật tư thay thế để cung cấp trong thời hạn sử dụng dự kiến của hàng hóa được quy định tại E-CDNT 14.3 – BDL “Thời hạn sử dụng dự kiến của hàng hóa”.
E-CDNT 12.2
Giá chào của hàng hóa là giá giao tại kho bên mua là chủ đầu tư đã bao gồm đầy đủ các loại thuế, phí và lệ phí (nếu có) theo Mẫu số 18 Chương IV, trong đó số lượng, đơn giá từng thành phần cấu thành hàng hóa phải được cung cấp đầy đủ. Nếu hàng hoá có dịch vụ liên quan kèm theo thì nhà thầu chào các chi phí cho các dịch vụ liên quan để thực hiện gói thầu và đã bao gồm đầy đủ các loại thuế, phí và lệ phí (nếu có) theo Mẫu số 19 Chương IV.
E-CDNT 14.3 5 năm
E-CDNT 15.2
- Tài liệu chứng minh nguồn lực tài chính cho việc thực hiện gói thầu. - Nhà thầu cam kết bảo hành, bảo trì, duy tu, bảo dưỡng, sửa chữa, cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp các dịch vụ sau bán hàng khác như Mục 4, bảng tiêu chuẩn đánh giá về năng lực và kinh nghiệm, chương III, E-HSMT.
E-CDNT 16.1 60 ngày
E-CDNT 17.1 Nội dung bảo đảm dự thầu:
- Giá trị và đồng tiền bảo đảm dự thầu: 36.100.000   VND
- Thời gian có hiệu lực của bảo đảm dự thầu: 90 ngày, kể từ thời điểm đóng thầu.
E-CDNT 16.2 Nhà thầu chính chỉ được sử dụng nhà thầu phụ thực hiện các công việc với tổng giá trị dành cho nhà thầu phụ không vượt quá % giá chào của nhà thầu.
E-CDNT 25.2  Giá trị tối đa dành cho nhà thầu phụ : 0 % giá dự thầu của nhà thầu.
E-CDNT 26.4 Cách tính ưu đãi: Trường hợp áp dụng phương pháp giá thấp nhất thì quy định hàng hóa không thuộc đối tượng được hưởng ưu đãi phải cộng thêm một khoản tiền bằng 7,5% giá dự thầu sau khi trừ đi giá trị giảm giá (nếu có) của hàng hóa đó vào giá dự thầu sau khi trừ đi giá trị giảm giá (nếu có) của nhà thầu để so sánh, xếp hạng.
E-CDNT 27.1 Phương pháp đánh giá E-HSDT: (Bên mời thầu phải lựa chọn tiêu chí đánh giá E-HSDT cho phù hợp với quy định tại Chương III. Trường hợp lựa chọn tiêu chí đánh giá khác với tiêu chí đánh giá tại Chương III thì không có cơ sở để đánh giá E-HSDT).
a) Đánh giá về năng lực và kinh nghiệm: Đạt - Không đạt
b) Đánh giá về kỹ thuật: Đạt - Không đạt
c) Đánh giá về giá: Phương pháp giá thấp nhất (Không áp dụng đối với hàng hóa ưu đãi)
E-CDNT 27.2.1đ Nhà thầu có giá dự thầu sau khi trừ đi giá trị giảm giá (nếu có) thấp nhất được xếp hạng thứ nhất.
E-CDNT 29.4 Nhà thầu có giá dự thầu sau khi trừ đi giá trị giảm giá (nếu có) thấp nhất.
E-CDNT 31.1 Thời hạn đăng tải kết quả lựa chọn nhà thầu trên Hệ thống là 7 ngày làm việc, kể từ ngày Chủ đầu tư phê duyệt kết quả lựa chọn nhà thầu.
E-CDNT 32 -Địa chỉ của Chủ đầu tư: Nhà máy A32/QC Phòng không-Không quân, địa chỉ: Sân bay Đà Nẵng, thành phố Đà Nẵng, số điện thoại: 02363.746313
-Địa chỉ, số điện thoại, số fax của người có thẩm quyền: + Nhà máy A32/QC Phòng không-Không quân; + Địa chỉ: Sân bay Đà Nẵng, thành phố Đà Nẵng; + Số điện thoại: 02363.746313.
-Địa chỉ, số điện thoại, số fax của bộ phận thường trực giúp việc Hội đồng tư vấn: + Phòng Vật tư, Nhà máy A32/QC Phòng không-Không quân; + Địa chỉ: Sân bay Đà Nẵng, thành phố Đà Nẵng; + Số điện thoại: 02363.746313.
E-CDNT 33 Địa chỉ, số điện thoại, số fax của Tổ chức, cá nhân thực hiện nhiệm vụ theo dõi, giám sát:
Nhà máy A32/QC Phòng không-Không quân; Địa chỉ: Sân bay Đà Nẵng, thành phố Đà Nẵng; Số điện thoại: 02363.746313.
E-CDNT 34

10

10

Mẫu sô 01A: PHẠM VI CUNG CẤP

STTDanh mục hàng hóaKý mã hiệuKhối lượng mời thầuĐơn vịMô tả hàng hóaGhi chú
1Bán dẫn2П303А5Cái• Cấu tạo của tranzito: có tiếp giáp pn và kênh n;• Rsi max - Nguồn tiêu tán công suất: 200 mW;• Uzi ots - Điện áp cắt của tranzito - điện áp giữa cổng và nguồn: 0,5 ... 3 V;• Usi max - Điện áp nguồn xả tối đa: 25 V;• Uzs max - Điện áp cống tối đa: 30 V;• Uzi max - Điện áp nguồn cổng tối đa: 30 V;• Ic - Dòng xả (không đổi): 20 mA;• Ic start - Dòng xả ban đầu: không quá 2 mA;• Iс ost - Dòng xả dư: 0,5 ... 3 mA;• S - Độ dốc của đặc tính: 1 ... 4 mA / V;• С11i - Điện dung đầu vào của bóng bán dẫn - điện dung giữa cổng và nguồn: không quá 6 pF;• C12i - Điện dung phản hồi trong mạch với nguồn chung trong trường hợp ngắn mạch ở đầu vào xoay chiều: không quá 2 pF.
2Bán dẫn2Т203Г37CáiĐế phát điện áp không đổi - 30 V. Dòng thu DC - 10 mA. Tần số cắt của hệ số truyền dòng điện trong mạch có cơ sở chung ở điện áp gốc cực thu là 5 V và dòng điện phát không đổi 1 mA ít nhất 10 MHz. Tỷ số truyền dòng điện ở chế độ tín hiệu nhỏ với điện áp gốc cực thu là 5V và dòng phát không đổi 1mA ở nhiệt độ 298K, 398K không nhỏ hơn 40. Điện trở đầu vào trong mạch có đế chung ở chế độ tín hiệu nhỏ ở dòng phát không đổi 1 mA và điện áp cực thu 5 V không lớn hơn 300Ω. Điện dung của điểm nối cực thu ở điện áp gốc cực thu 5 V và tần số 10 MHz không lớn hơn 10 pF. Điện áp bão hòa của bộ phát cực thu ở dòng điện 10 mA và dòng điện cơ bản không đổi 1 mA không lớn hơn 0,5 V. Dòng điện một chiều của cực phát là 10 mA.
3Bán dẫn2Т208Г10CáiBóng bán dẫn 2T208G silicon cấu trúc hình phẳng-phẳng chuyển mạch pnp.Được phát hành trong hộp kim loại-kính với đầu ra linh hoạt.Khối lượng của bóng bán dẫn không quá 0,5 gNhiệt độ hoạt động -60 đến 125ºCĐiện áp DC cực thu-phát tối đa cho phép 30V; Đế phát điện áp không đổi tối đa cho phép 20V; Dòng thu DC tối đa cho phép 0,15 A; Tần số 15 MHz
4Bán dẫn2Т3117А25Cái- Рк max = 300mW; Uкбо max= 60V; Uэбо max = 4V; - Iк max = 400mA; Iк и max = 2000mA- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C ... + 125° C; - Thời gian hoạt động: 25000h
5Bán dẫn2Т312Б30Cái• Cấu tạo của tranzito: npn• Рк max - Công suất tiêu tán không đổi: 225 mW;• fgr - Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 120 MHz;• Ukbo max - Điện áp gốc cực thu lớn nhất tại dòng điện ngược cực thu nhất định và mạch hở của bộ phát: 30 V;• Uebo max - Điện áp gốc cực đại ở dòng điện ngược cực phát nhất định và mạch hở của bộ thu: 4 V;• Ik max - Dòng thu DC tối đa cho phép: 30 mA;• Ikbo - Dòng điện ngược bộ thu - dòng điện qua điểm nối bộ thu ở điện áp ngược gốc bộ góp nhất định và đầu ra bộ phát mở: không quá 1 μA;• h21E - Hệ số truyền dòng tĩnh đối với mạch có bộ phát chung ở chế độ tín hiệu lớn: 25 ... 100;• Sk - Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 5 pF;• Rke us - Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 40 Ohm;• tk - Hằng số thời gian của mạch hồi tiếp ở tần số cao: không quá 500 ps
6Bán dẫn2Т312В22Cáinpn Рк max - Công suất thu tản vĩnh viễn: 225 mW; fgr - Tần số biên của hệ số truyền dòng tranzito đối với mạch có cực phát chung: không nhỏ hơn 120 MHz; UCBO max - Điện áp gốc cực đại cho dòng điện trở lại cực thu nhất định và bộ phát mạch hở: 35 V; Uebo max - Điện áp gốc cực đại cho dòng điện ngược nhất định của bộ phát và mạch góp hở: 4 V; Iк max - Dòng điện một chiều tối đa cho phép của bộ thu: 30 mA;Dải nhiệt độ công tác: -60..125°C. Tuổi thọ: 25 năm.
7Bán dẫn2Т326А10Cái• Cấu tạo tranzito: pnp;• Рк max - Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu: 200 mW;• fgr - Tần số giới hạn của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 250 MHz;• Uкer max - Điện áp cực thu-phát tối đa ở dòng thu nhất định và điện trở nhất định (cuối cùng) trong mạch cực phát: 15 V (100 kOhm);• Uebo max - Điện áp gốc cực đại tại dòng điện ngược cực phát nhất định và mạch hở của bộ thu: 5 V;• Ik max - Dòng thu DC tối đa cho phép: 50 mA;• Ikbo - Dòng điện ngược bộ thu - dòng điện qua điểm nối bộ thu ở điện áp ngược gốc cực thu nhất định và đầu cực phát mở: không quá 0,5 μA;• h21E - Hệ số truyền dòng tĩnh đối với mạch có bộ phát chung ở chế độ tín hiệu lớn: 20 ... 70;• Sk - Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 5 pF;• Rke us - Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 30 Ohm;• tk - Hằng số thời gian của mạch hồi tiếp ở tần số cao: không quá 450 ps
8Bán dẫn2Т368А5CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: npn; Công suất tiêu tán với bộ tản nhiệt: 2 W; Tần số biên của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 6 MHz; Điện áp gốc cực đại tại dòng điện ngược nhất định của bộ thu và mạch phát hở: 100 V; Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 5 V; Dòng điện một chiều cho phép lớn nhất của bộ thu: 2 A; Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có bộ phát chung: hơn 20; Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 0,6 Ohm; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C ... + 125° C.
9Bán dẫn2Т504А4CáiCấu tạo tranzito: npn;• Рк max - Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu: 1 W;• Рк t max - Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu với bộ tản nhiệt: 10 W;• fgr - Tần số giới hạn của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 20 MHz;• Uкer max - Điện áp cực thu-phát tối đa ở dòng thu nhất định và điện trở nhất định (cuối cùng) trong mạch cực phát: 400 V (0,1 kOhm);• Uebo max - Điện áp gốc cực đại tại dòng điện ngược cực phát nhất định và mạch hở của bộ thu: 6 V;• Ik max - Dòng thu DC tối đa cho phép: 1 A;• Ik và max - Dòng xung cực thu tối đa cho phép: 2 A;• Ikbo - Dòng điện ngược bộ thu - dòng điện qua điểm nối bộ thu ở điện áp ngược gốc bộ thu nhất định và đầu ra bộ phát mở: không quá 100 µA;• h21e - Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có cực phát chung: 15 ... 100;• Sk - Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 30 pF;• Rke us - Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 2 ôm
10Bán dẫn2Т630А70Cáin-p-n; Ikmax= 1 A; Iki max: 2 A; UКБОmax: 120V; UKER max: 120V; UEBO max: 7V; Pk max: 0,8 W; Khi T=25°C: h21E: 40..120; UKE: 0,3V; IEB0: ≤100 μA; IKB0: ≤001 μA; fгp: ≥50 MHz
11Bán dẫn2Т630Б91Cái- Рк max: 0,8W; Uкбо max: 120V; Uэбо max: 7V; - Iк max = 1000mA; Iк и max = 2000mA- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C ... + 125° C; - Thời gian hoạt động: 15000h
12Bán dẫn2Т705А2CáiPkt max: 25W; Uebo max: 4V; Ik max: 2A; Thời gian hoạt động: 25000h 
13Bán dẫn2Т708А30CáiTranzitor 2Т708А silic cấu trúc p-n-p chuyển mạch thành phần.Cấu trúc tranzitor: p-n-pРк max : 5 W;fгр 3 MHz;Uкбо max : 100 V;Uэбо max : 5 V;Iк max : 2,5 А;h21э 500
14Bán dẫn2Т709А17Cái• Cấu tạo của transistor: pnp• Рк max - Công suất tiêu tán không đổi của cực thu: 30 W;• fgr - Tần số giới hạn của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có cực phát chung: không nhỏ hơn 3 MHz;• Ukbo max - Điện áp gốc cực thu lớn nhất tại dòng điện ngược cực thu nhất định và mạch hở của bộ phát: 100 V;• Uebo max - Điện áp gốc cực đại tại dòng điện ngược cực phát nhất định và mạch hở của bộ thu: 5 V;• Ik max - Dòng thu DC tối đa cho phép: 10 A;• h21e - Hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn đối với các mạch có bộ phát chung: hơn 500
15Bán dẫn2Т709А25CáiBóng bán dẫn 2T709A2 cấu trúc cực âm silicon khuếch đại hợp chất pnp.Được phát hành trong hộp nhựa với đầu ra cứng.Chúng được đánh dấu bằng mã chữ và số trên vỏ bóng bán dẫn.Loại vỏ: KT-28-2 (TO-220AB).Khối lượng của bóng bán dẫn không quá 2,5 g.Công suất tiêu tán với bộ tản nhiệt: 30 W;Điện áp cực đại của bộ thu cực đại tại dòng điện ngược nhất định của bộ thu và mạch phát hở: 100 V;- Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 5 V;- Dòng điện một chiều tối đa cho phép của bộ thu: 10 A;- Hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: lớn hơn 500;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C ... + 125° C.
16Bán dẫn2Т716А5CáiBóng bán dẫn 2T716A silicon mezaplanar cấu trúc hợp chất npn phổ quát.Có sẵn trong một hộp kim loại với chất cách điện bằng thủy tinh và dây dẫn cứng.Loại thân tàu: KT-8 (TO-66).Khối lượng của bóng bán dẫn không quá 20,0 g.- Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: hơn 6 MHz;Công suất tiêu tán với bộ tản nhiệt: 30 W;Điện áp cực đại của bộ thu cực đại tại dòng điện ngược nhất định của bộ thu và mạch phát hở: 100 V;- Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 5 V;- Dòng điện một chiều tối đa cho phép của bộ thu: 20 A;- Hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: lớn hơn 750;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C ... + 125° C.
17Bán dẫn2Т716А13CáiBóng bán dẫn 2T716A1 silicon mezaplanar cấu trúc phổ hợp chất npn.Được phát hành trong hộp nhựa với đầu ra cứng.Loại vỏ: KT-28-2 (TO-220AB).Khối lượng của bóng bán dẫn không quá 2,5 g- Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: hơn 3 MHz;Công suất tiêu tán với bộ tản nhiệt: 30 W;Điện áp cực đại của bộ thu cực đại tại dòng điện ngược nhất định của bộ thu và mạch phát hở: 100 V;- Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 5 V;- Dòng điện một chiều tối đa cho phép của bộ thu: 20 A;- Hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: lớn hơn 500;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C ... + 125° C.
18Bán dẫn2Т808А48CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: npn;- Công suất tiêu tán với bộ tản nhiệt: 50W;- Tần số ngắt của tỷ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 7,2 MHz;- Điện áp cực đại của bộ thu cực đại tại dòng cực thu nhất định và điện trở nhất định trong mạch cực phát: 120 V;- Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V;- Dòng điện một chiều tối đa cho phép của bộ thu: 10 A;- Dòng điện cực thu-phát ngược tại điện áp ngược cực thu-phát nhất định và điện trở cực phát: 3 mA (120V);- Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có cực phát chung: 10 ... 50;- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C ... + 125° C.
19Bán dẫn2Т825А22CáiCấu trúc bán dẫn: p-n-p; Sử dụng cho mạch khuyếch đại và các thiết bị chuyển mạch; Vỏ kim loại; PKTmax= 125W; fгр≥ 4MHz; UEB0max=5V; Ikmax=20A; Cường độ lớn nhất của dòng xung Ikиmax=40A; h21E = 500..18000; CK≤600пΦ; RKE≤0,4Om; Tiêu chuẩn vỏ: КТ-9; aA0.339.054 ТУ; Thời gian hoạt động: 25000h
20Bán dẫn2Т830Г50CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: npn; - Công suất tiêu tán với bộ tản nhiệt: 5 W; - Tần số biên của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 4 MHz; - Điện áp gốc cực đại tại dòng điện ngược nhất định của bộ thu và mạch phát hở: 100 V; - Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 5 V; - Dòng điện một chiều cho phép lớn nhất của bộ thu: 2 A; - Dòng xung cực thu cho phép tối đa: 4 A; - Dòng điện ngược bộ thu - dòng điện qua điểm nối bộ thu ở điện áp ngược gốc cực thu nhất định và đầu cực phát mở: không quá 100 μA (100V); - Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có bộ phát chung: hơn 20; - Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 1,2 Ohm- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C ... + 125° C.
21Bán dẫn2Т831Г35CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: npn; - Công suất tiêu tán với bộ tản nhiệt: 5 W; - Tần số biên của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: không nhỏ hơn 4 MHz; - Điện áp gốc cực đại tại dòng điện ngược nhất định của bộ thu và mạch phát hở: 100 V; - Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 5 V; - Dòng điện một chiều cho phép lớn nhất của bộ thu: 2 A; - Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có bộ phát chung: hơn 20; - Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 0,6 Ohm- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C..+125° C.
22Bán dẫn2Т866А35CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: npn;- Công suất tiêu tán với bộ tản nhiệt: 30 W;- Tần số ngắt của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: hơn 25 MHz;- Điện áp cực đại của bộ thu cực đại tại dòng điện ngược nhất định của bộ thu và mạch phát hở: 200 V;- Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V;- Dòng điện một chiều tối đa cho phép của bộ thu: 20 A;- Dòng xung tối đa cho phép của bộ thu: 20 A;- Dòng điện ngược bộ thu - dòng điện qua điểm nối bộ thu ở điện áp ngược gốc bộ thu nhất định và đầu ra mở của bộ phát: không quá 25 mA (100V);- Hệ số truyền dòng tĩnh của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: lớn hơn 15;- Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 0,15 Ohm;- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C ... + 125° C.
23Bán dẫn2Т903Б20CáiBóng bán dẫn 2T903B silicon mezaplanar cấu trúc chuyển mạch npn. Рк t max - Công suất tiêu tán không đổi của bộ thu có tản nhiệt: 30 W;• fgr - Tần số giới hạn của hệ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: hơn 120 MHz;• Uebo max - Điện áp gốc cực đại ở dòng điện ngược cực phát nhất định và mạch hở của bộ thu: 4 V;• Ik max - Dòng thu DC tối đa cho phép: 3 A;• Ik và max - Dòng xung cực thu tối đa cho phép: 10 A;• h21e - Hệ số truyền dòng tĩnh của tranzito đối với mạch có cực phát chung: 40 ... 180;• Sk - Điện dung tiếp giáp bộ thu: không quá 180 pF;• Rke us - Điện trở bão hòa giữa bộ thu và bộ phát: không quá 1 ohm;• Рout - Công suất đầu ra của bóng bán dẫn: không nhỏ hơn 10 W ở 50 MHzCó sẵn trong một hộp kim loại với chất cách điện bằng thủy tinh và dây dẫn cứng.Loại thân vỏ: KTYU-3-20.Khối lượng của bóng bán dẫn không quá 22,0 g, với mặt bích nắp - không quá 34,0 g.
24Bán dẫn2Т921А15CáiCấu trúc của bóng bán dẫn: npn;- Công suất tiêu tán với bộ tản nhiệt: 12,5W;- Tần số ngắt của tỷ số truyền dòng điện của bóng bán dẫn đối với mạch có bộ phát chung: hơn 90MHz;- Điện áp cực đại của bộ thu cực đại tại dòng cực thu nhất định và điện trở nhất định trong mạch cực phát: 65 V;- Điện áp gốc cực đại ở dòng ngược nhất định của mạch cực phát và mạch góp hở: 4 V;- Dòng điện một chiều tối đa cho phép của bộ thu: 3,5 A;- Dòng điện cực thu-phát ngược tại điện áp ngược cực thu-phát nhất định và điện trở cực phát: 10 mA (70V);
25Bán dẫnIRF73095CáiDạng đóng gói SOP, 8 chân
26Bán dẫnУД701АТ5CáiĐiện áp cung cấp tối thiểu, V 12Điện áp cung cấp tối đa, V mười sáuCung cấp dòng điện về bộ khuếch đại, mA 0,375Điện áp phân cực đầu vào, mV mườiDòng phân cực đầu vào, nA 2Điện trở đầu vào, MOhm 0,3Hệ số suy giảm chế độ chung (CMRR), dB 74
27Biến ápТН1-115-400 ГБ4.710.036 ТУ7Cái• Công suất định mức ...... từ 4 đến 227 V * A;• Nguồn cung cấp điện áp ...... 115 V;• Điện áp đầu ra ...... 6,3 V;• Dòng điện của cuộn thứ cấp ở chế độ danh định ...... từ 0,09 đến 6,3 A;• Hiệu quả ...... 70-85%;• Thời gian hoạt động tối thiểu ...... 10000 giờ;• Thời hạn sử dụng ...... 12 năm;• Nhiệt độ môi trường ...... -60 ... + 85 ° С;• Độ ẩm không khí tương đối ở +40 ° C ...... 98%;• Kích thước tổng thể ...... từ 30x30x29 đến 65x72x68 mm;• Trọng lượng ...... từ 35 đến 800 g.
28Led 7 đoạn3ЛС338Б23Cái• Màu của bức xạ (phát sáng): xanh lục;• Chiều cao ký tự: 7 mm;• Cường độ sáng của một đoạn: 0,15 mcd;• Điện áp thuận không đổi: không quá 3,5 V ở 20 mA;• Dòng chuyển tiếp trực tiếp tối đa cho phép: 25 mA;• Dòng xung tối đa: 200 mA;• Điện áp ngược DC tối đa cho phép: 5V.
29Bộ lọc2μ2 Z50В 10АВ↑ 3А95CáiCông suất định mức 2 μFĐiện áp định mức 50 VNhiệt độ làm việc: 85 ° C, 105 ° C.
30Bộ lọc470ИF Z250В 10АВ↑ 5А75CáiCông suất định mức 470 ИFĐiện áp định mức 250 VNhiệt độ làm việc: 85 ° C, 105 ° C.
31Bóng đènСМН10-552BộCác đặc điểm kỹ thuật và hoạt động chính: - Điện áp định mức - 10 V. - Dòng điện định mức - 55 mA. - Quang thông: 1 lm. - Thời gian cháy trung bình: ít nhất 1050 giờ - Loại có đế: không có đế với bím một chiều.Kích thước tổng thể của đèn phụ SMN-10-55-2: - Chiều dài đèn với dây dẫn không quá 27 mm; - đường kính của bình không quá 3,2 mm.Khối lượng đèn không quá 0,1 g.Dao động hình sin với tần số 10-2000 Hz và gia tốc 15 g (150 m / s2), dao động cơ học với gia tốc 35 g (350 m / s2).Nhiệt độ môi trường từ -60 đến + 85 ° С, độ ẩm tương đối 98% ở 55 ° С.Đảm bảo thời hạn sử dụng của đèn SMN-10-55-2 là ít nhất 15 năm kể từ ngày sản xuất.
32Bóng đèn (Màu trắng)CMH6-80-240CáiĐiện áp định mức: -6V;Dòng điện định mức: 80 mA;Quang thông: 1 lm;Tuổi thọ trung bình: > 10000 giờ.
33Công tắc2КР4CáiĐiện áp DC : 24 V đến 29,7 V.Cường độ dòng điện:+ với tải trọng hoạt động: từ 0,05 A đến 5 A;+ với tải cảm ứng : từ 0,05 A đến 3 A.+ Điện áp giảm ở các thiết bị đầu cuối: không quá 260 mV.
34Công tắcВМ-С8Cái- Điện áp, V ... 27- Dòng điện định mức, A- với tải hoạt động ... 3- với tải cảm ứng ... 5Điện áp giảm ở các đầu nối, mV, không lớn hơn ... 260Độ ẩm tương đối ở t ° C lên đến + 40 °,% ... lên đến 100Nhiệt độ hoạt động xung quanh, ° С ... -60 +60Thời gian bảo hành chung, năm ... 10Trọng lượng, g, không quá:- VM, VM-S. .. 30/35- 2VM, 2VM-S ... 40/45- 3VM, 3VM-S ... 50/55
35Công tắcВНГ-15К2CáiCác đặc tính kỹ thuật và hoạt động chính của máy cắt VNG-15:● Điện áp, V ...... 27;● Dòng chuyển mạch, A: - với tải hoạt động ...... 0,1 - 15; - với tải cảm ...... 0,1 - 7;● Giảm điện áp trên đầu ra, mV, không còn ...... 180;● Độ ẩm tương đối của môi trường ở t ° C lên đến + 40 °,% ...... lên đến 98;● Nhiệt độ môi trường làm việc, ° С ...... -60 +60;● Bảo hành thời gian hoạt động, số lần chuyển mạch ...... 30000;● Thời gian bảo hành chung, năm ...... 8;● Trọng lượng, g, không quá: - VNG-15, VNG-15K ...... 45; - 2VNG-15, 2VNG-15K ...... 70.
36Công tắcКМД1-15CáiĐiện trở tiếp điểm: ≤0,05Om; Độ bền cách điện: 1100 V; Điện trở cách điện:≥ 750MOm; Lực đóng: 2,4..6,9N; Điện áp nguồn: 0,5..30V (một chiều); Cường độ dòng điện: 0,0005..4 A; T: -60..+100°C; Tuổi thọ: 20 năm 10000 giờ;
37Công tắcКМД2-14CáiU=27V; Dòng chuyển mạch: 0,1- 15A (tải thường), 0,1-7A (tải từ tính); Giáng áp: ≤180; nhiệt độ môi trường: -60..+60°C; Số lần làm việc: 30000; Tuổi thọ: 8 năm
38Công tắcПТ8-1В15CáiĐiện trở tiếp điểm: ≤0,02 Om; Độ bền cách điện: 1130V; Điện trở cách điện: ≥1000 MOm; Lực đóng ngắt: 2,45..11,8N; Dải nhiệt độ công tác: -60..+100°C; Tuổi thọ: 15 năm, 10000 giờ
39Công tắcППГ-15К-2С3CáiĐiện áp, V: 27;Dòng chuyển mạch, A: + ở tải hoạt động : 0,1 - 15; + với tải cảm : 0,1 - 7;Điện áp rơi ở các đầu cuối, mV: không quá 180;
40Công tắc nhạyВ601-2С10CáiU=27V, I= 2,5A; kích thước: 35x11x23; Khối lượng: ≤10g• Thông số mạch DC: - Điện áp, V ...... 27 - Dòng định mức, A ...... 2,5• Kích thước, mm ...... 35х11х23• Trọng lượng, g , không hơn ...... 10
41Công tắc nhạyВ622АГ8CáiĐược thiết kế để đóng cắt các mạch điện DC ở điện áp không quá 30 V và cường độ dòng điện lên đến 3 A.Chúng được sử dụng để làm công tắc cực nhỏ trong hệ thống điều khiển và tín hiệu cho thiết bị điện tử cho các mục đích đặc biệt.Thiết kế của đầu ra tiếp xúc cung cấp kết nối của dây cài đặt bằng vít.
42Công tắc nhạyД721Т2CáiĐiều kiện kỹ thuật 7ШО.360.006 ТУ; Đối với dòng xoay chiều: Điện áp nguồn: 15..220V 400..1000Hz; Dòng chuyển mạch: 0,2..0,3A (tải thuần), 0,2..0,3 A (tải từ tính); Đối với dòng một chiều: Điện áp nguồn: 15..30V; Dòng chuyển mạch: 0,2..0,5A (tải thuần), 0,2..3 A (tải từ tính); Giáng áp: ≤270 mV; Nhiệt độ môi trường công tác: -60..+180°C; Độ ẩm môi trường: đến 98%; Tuổi thọ: 4000 lần đóng ngắt 10 năm
43Công tắc tơТКД-501ОДЛ4CáiCường độ dòng điện hiệu dụng: 25A; Hiệu điện thế trên các cặp tiếp điểm: 24-30V; Hiệu điện thế trên cuộn điều khiển: 24-30V; Số cặp tiếp điểm thường đóng:0; Số cặp tiếp điểm thường mở:3; chế độ làm việc: liên tục; Nhiệt độ môi trường: 0-80°C;
44Đầu cắmРПКМ4-67/67-Ш1-В4CáiỔ cắm đôi hình chữ nhật 67/67 chânĐiện áp hoạt dộng tối đa 1000 VDòng hoạt động mỗi tiếp điểm 7 AĐiện trở tiếp xúc: ≤ 5,0 mΩ;Điện trở cách điện: ≥ 5000 MΩ;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°С ÷ 100°С;Số lần tháo - lắp: 500;Thời hạn sử dụng tối thiểu của đầu nối: 20 năm.
45Đi ốt2Д212А32CáiĐặc tính kỹ thuật chính của Diode 2D212A:• Uobr max - Điện áp ngược trực tiếp cực đại: 200 V;• Inp max - Dòng chuyển tiếp tối đa: 1 A;• fd - Tần số hoạt động của diode: 100 kHz;• Unp - Điện áp thuận DC: không quá 1 V tại Inp 1 A;• Iobr - Dòng ngược không đổi: không quá 50 μA tại Uobr 200 V;• tvoc arr - Thời gian khôi phục ngược: 0,3 µs;• Sd - Tổng điện dung: 45 pF tại Uobr 100 V. 
46Đi ốt2Д2998В5CáiĐặc tính kỹ thuật chính của Diode 2D2998V:• Uobr và max - Điện áp ngược xung cực đại: 35 V;• Inp max - Dòng chuyển tiếp tối đa: 30 A;• fd - Tần số hoạt động của diode: 10 ... 200 kHz;• Unp - Điện áp thuận DC: không quá 0,68 V ở Inp 30 A;• Iobr - Dòng ngược không đổi: không quá 20 mA ở Uobr 25 V
47Đi ốt2Д510АОС15Cái• Uopp max - Điện áp ngược trực tiếp tối đa: 50 V;• Inp max - Dòng chuyển tiếp tối đa: 200 mA;• Unp - Điện áp chuyển tiếp DC: không quá 1,1 V ở 0,2 A Inp;• Iobr - Dòng ngược không đổi: không quá 5 μA tại Uobr 50 V;• tvoc arr - Thời gian khôi phục ngược: 0,004 µs;• Sd - Tổng điện dung: 4pF
48Đi ốt2Д604А2Cái- Phạm vị nhiệt độ hoạt động: -60 ºC đến +125 ºC - Điện áp ngược không đổi lớn nhất: 60V ± 10% - Dòng chuyển tiếp tối đa: 5A
49Mảng đi ốt2Д906А20CáiMảng điốt 2D906A bao gồm các điốt phẳng hình tròn silicon.Điện áp ngược không đổi lớn nhất: 75 V; Dòng chuyển tiếp tối đa: 100 mA;Tần số làm việc: 100 kHz; Điện áp thuận không đổi: không quá 1 V ở Inp 50 mA; Dòng ngược không đổi: không quá 2 μA tại Uoбp 75 V; Thời gian khôi phục ngược: 1 μs; Tổng điện dung: 20 pF. Thời gian hoạt động 80000h. Thời gian sử dụng 25 năm. Khối lượng không quá 0,6g.  
50Đi ốt3А111Б2CáiĐiốt vi sóng 3A111B arsenidogallium, hình tròn phẳng, có màng chắn SchottkyTrọng lượng diode không quá 0,2 g.• Suy hao chuyển đổi: không quá 7 dB;• Dòng chỉnh lưu: 1 ... 2,5 mA;• Tỷ lệ tiếng ồn đầu ra: không quá 1,6;• Con số tiếng ồn định mức: không quá 7 dB;• Tỷ số sóng dừng điện áp: không quá 1,8;• Điện trở đầu ra: 300 ... 560 Ohm;• Công suất tiêu tán liên tục: 50 mW• Công suất sự cố xung: 550 mW;• Giá trị của điện thế tĩnh có thể chấp nhận: không quá 100 V;• Nhiệt độ môi trường: -60 ... + 125 ° С;• Thời gian hoạt động tối thiểu: 25000 h;• Thời hạn sử dụng: 25 năm
51Đi ốtД4084CáiKhối lượng của diode không quá 2,5 g.• Dòng chỉnh lưu: không nhỏ hơn 0,8 mA;• Con số tiếng ồn định mức: không quá 13 dB;• Tỷ số sóng dừng điện áp: không quá 1,3;• Trở kháng đầu ra: 290 ... 390 Ohm;• Công suất xung: 100 mW;• Nhiệt độ môi trường: -60 ... + 125 ° С
52Đi ốt30Д129А10CáiLà bộ ghép quang đi ốt được sử dụng làm phần tử cách ly điện trong hệ thống điều khiển và truyền dữ liệuĐược làm bằng LED phát sáng dựa trên dung dịch rắn gali-nhôm-asen và một đi ốt quang p-i-n dạng biểu mô silicon. Trọng lượng không quá 1,9g. Điều kiện kỹ thuật aA0.339.324TУ
53Đi ốt ổn áp2С147А10CáiĐiện áp ổn định danh định: 4,7 V ;Ổn định điện áp lan truyền: 4,23 ... 5,17 V;Dòng điện ổn định tối thiểu cho phép: 10 mA;Dòng điện ổn định tối đa cho phép: 58 mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C ... + 125°C.
54Đi ốt ổn áp2С482А5CáiKhối lượng của diode zener không quá 1 g.Điện áp ổn định danh định, V - 8,2 Hệ số nhiệt độ ổn định,% / ° С - 0,08Điện áp ổn định, V - từ 7,4 đến 9 Điện trở vi sai điốt Zener, Ohm - 200 Dòng điện ổn định tối thiểu cho phép, mA - 1 Dòng điện ổn định tối đa cho phép, mA - 96 Công suất tiêu thụ tối đa cho phép tại diode Zener, W - 1 60 đến +125
55Đi ốt ổn áp2С515А15CáiĐiện áp ổn định danh định: 15 V tại Ist 5 mA; Ổn định điện áp lan truyền: 13,5 ... 16,5 V; Hệ số nhiệt độ của ổn áp: 0,1% / ° С; Sự không ổn định tạm thời của điện áp ổn định của diode Zener: ± 1,5%; Điện trở vi sai của diode zener: 200 Ohm tại Ist 1 mA; Dòng điện ổn định tối thiểu cho phép: 1 mA; Dòng điện ổn định tối đa cho phép: 53 mA; Công suất tiêu tán tối đa cho phép trên diode Zener: 1 W; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ... +125 ° С
56Đi ốt ổn ápД818Б15Cái• Điện áp ổn định danh định: 9 V ở Ist 10 mА;• Dải điện áp ổn định: 7,6 ... 10 V;• Hệ số nhiệt độ của ổn áp: +0,006% / ° С;• Điện trở vi sai Stabilitron: 18 Om tại Ist 10 mА;• Dòng điện ổn định tối thiểu: 3 mА;• Dòng ổn định tối đa: 33 mА;• Điện áp tiêu tán tối đa trên bộ ổn định: 0,3 Vt;• Khoảng nhiệt độ hoạt động của môi trường: -60 ... +125 ° С
57Đi ốt tách sóng2Ц202Б7CáiĐược thiết kế để chuyển đổi điện áp xung xoay chiều với tần số lên đến 1 kHz; không quá 40 g• Uobr và max - Điện áp ngược xung cực đại: 4 kV;• Inp max - Dòng chuyển tiếp tối đa: 500 mA;• Unp - Điện áp chuyển tiếp DC: không quá 3 V ở Inp 500 mABảo hành thời gian hoạt động: - 80.000 giờ - ở mọi chế độ cho phép của thông số kỹ thuật; - 100.000 giờ - ở chế độ ánh sáng.
58Đi ốt tách sóng6Д16Д-Р ТФ3.303.005 ТУ11CáiĐi-ốt dò tần số siêu cao tần số siêu caoKích thước tổng thể của diode 6D16D: - chiều cao đèn - 29 mm; - đường kính đèn - 7,5 mm.Trọng lượng không quá 3,5 g.Trọng lượng không quá 3,5 g.Thờigian hoạt động tối thiểu - 500 giờ.Thông số kỹ thuật: BV0.332.491TU.
59Điện trởС2-33Н-0,5-56Ω5Cái- Dải điện trở danh định ...... 0,5 Ohm ... 56 Ohm;- Công suất định mức ...... 0,5 W;'- Điện áp giới hạn ...... 350 V;- Sai lệch điện trở cho phép ......± 2%;- Độ ẩm tương đối của không khí xung quanh ở 35 ° C ...... 98%;- Nhiệt độ môi trường ...... -60 ... +155 ° С;- Thời gian hoạt động tối thiểu, không ít hơn ...... 20000 giờ;- Thời hạn sử dụng ...... 25 năm;- Trọng lượng điện trở, không quá ...... 1,0 g.
60Điện trởС2-33Н-0,5-620Ω5Cái- Dải điện trở danh định ...... 0,5 Ohm ... 620 Ohm;- Công suất định mức ...... 0,5 W;'- Điện áp giới hạn ...... 350 V;- Sai lệch điện trở cho phép ...... ± 2%;- Độ ẩm tương đối của không khí xung quanh ở 35 ° C ...... 98%;- Nhiệt độ môi trường ...... -60 ... +155 ° С;- Thời gian hoạt động tối thiểu, không ít hơn ...... 20000 giờ;- Thời hạn sử dụng ...... 25 năm;- Trọng lượng điện trở, không quá ...... 1,0 g.
61Đi-ốt2Д106А15CáiĐặc tính kỹ thuật cơ bản của Diode 2D106A:• Uobp và max - Điện áp ngược xung cực đại: 100 V;• Inp max - Dòng chuyển tiếp tối đa: 300 mA;• Inp và max - Dòng chuyển tiếp xung tối đa: 3 A;• fd - Tần số làm việc của diode: 1 kHz;
62Đi-ốt2Д815А8CáiĐiốt 2Д815А hợp kim khuếch tán, silicon, công suất cao và trung bình. Mục đích chính là để ổn định dải điện áp từ 5,6 V đến 18 V. Dòng ổn định có dải từ 25 mA đến 1,4 A. Nó có dây dẫn cứng và vỏ bằng kim loại-kính. Trên thân của diode zener, loại và sơ đồ chân của nó được áp dụng. Trong chế độ hoạt động, trường hợp điốt zener là cực âm (cực âm). Với các phụ kiện, đi-ốt Zener nặng 6 g.
63Đi-ốtД223Т3CáiĐiốt D223 silicon, hợp kim, chỉnh lưu; Trọng lượng của diode không quá 0,53 g• Uopp max - Điện áp ngược không đổi lớn nhất: 50 V;• Inp max - Dòng chuyển tiếp tối đa: 50 mA;• Unp - Điện áp thuận DC: không quá 1 V ở Inp 50 mA;• Iobr - Dòng ngược không đổi: không quá 1 μA ở Uobr 50 V
64Đi-ốt quang3Л341Б2CáiMàu của bức xạ (phát sáng): đỏ; Cường độ sáng: không nhỏ hơn 0,5 cd / m2; Điện áp thuận không đổi: không quá 2,8 V; Phân bố phổ cực đại: 0,69 ... 0,71 μm; Dòng điện một chiều tối đa cho phép: 20 mA; Dòng xung tối đa trong khoảng thời gian xung nhất định: 60 mA ở 2 ms. Loại vỏ: КИ1-1. Khối lượng không quá 0,45g. Thời hạn sử dụng là 25 năm.
65Động cơДГМ-0,1Д4CáiĐiện áp kích từ động cơ 36 V; Điện áp điều khiển động cơ: 18 V;Công suất tối đa: 0,1 W;Momen xoắn khởi động, 10-4 Nm: 6;Trọng lượng: 0,085 Kg, Kích thước: d=20 mm, l=63,9 mm; Dải nhiệt độ làm việc: -60°C..+100°C;Dòng điện kích từ động cơ khởi động, mA: 90;Dòng điện điều khiển động cơ khởi động, mA: 70.
66Động cơДПР-52-Н1-07А2CáiĐộng cơ DC Collector DPR-52-N1-07 với kích từ nam châm được thiết kế để sử dụng động cơ điện.Điện áp cung cấp - 27V;Mức công suất - 4.600W;Mức định mức - 4500 vòng / phút;Mô-men xoắn định mức - 9.800mN ∙ m;Hiện tại tiêu thụ ở nghĩa chế độ - không quá 0.31A;Danh sách khởi động mômen ở điện áp mã nguồn - 54.00mN ∙ m;Hằng số cơ điện - không quá 20.0 ms;Trọng lượng DPR-52-N1-07 - không quá 0,260 kgKích thước: - đường kính - 30mm ; - chiều dài - 64,2mm .
67Khuếch đạiОС140УД601Б6CáiChứa 45 phần tử tích phân. - Dải điện áp cung cấp: ± 15 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 5,0 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° С; - Thời hạn sử dụng tối thiểu: 25 năm.
68Ma trận điện trở302НР1Г4CáiChips 302NR1G là một ma trận điện trở giải mã.Có dạng hình chữ nhật phẳng hai mặt, 28 chân để gắn trên bề mặt PCB.Đánh dấu của vi mạch và cách bố trí các chân cắm được chỉ định trên vỏ máy.Chứa 18 phần tử tích phân.điện áp đầu vào:
69Ma trận điện trở313НР2204Cáima trận điện trở 34 chânloại vỏ: 4137.34-1Phạm vi nhiệt độ hoạt động -60°С ÷ +125°Сđiều kiện kỹ thuật: БКO.347.265TУ
70Ma trận đi ốt2ДС627А15CáiMa trận diode, Inp max: 200 mА;Unp: 1,3 V;Ioбp:2 mА;tвoc : 40 ns;Сд : 5 пF;
71Nút ấnКМ1-1В10CáiĐiện áp trong mạch tiếp điểm: 3-30;Dòng tải quy định, A:+ Tải dương: 0,5-4;+ Tải cảm ứng t ≤0,015s: 0,5-2;Lực ấn nút, kG:+ Khi làm việc chiều thuận: 0,25-0,7;Điện trở tiếp xúc: 0,2 Ω;Thời gian bảo hành, chu kì làm việc: 10000
72Nút ấnКМ2-1В8CáiĐiện trở tiếp điểm: ≤0,05Om; Độ bền cách điện: 1100 V; Điện trở cách điện:≥ 1000MOm; Lực đóng: 2,45..12,8N; T: -60..+100°C; Tuổi thọ: 20 năm 16000 giờ;Đối với dòng xoay chiều: U: 0,5..250V; I: 0,0005..3A; P: 300 VA.Đối với dòng một chiều: U: 0,5..30 V; I: 0,0005..4 A; P: 70W
73Nút ấnКНР5CáiU= 27V; Dòng chuyển mạch: 0,1..5A(tải thường), 0,1..3A( tải từ tính); Giáng áp≤200 mV; Nhiệt độ môi trường: -6-.. +60°C; Tuổi thọ: 10 năm;
74Rơ leРПС-42АОС4CáiĐiện trở cách điện giữa mạch mang dòng, mạch mang dòng và vỏ, MΩ: - ở điều kiện khí hậu bình thường: 200 - ở điều kiện độ ẩm cao: 10 - ở nhiệt độ tối đa: 20Độ bền điện của cách điện giữa các mạch mang dòng, V: 350Độ bền điện môi của cách điện giữa mạch mang dòng và vỏ, V: 500Tải trọng rung động: - dải tần số, Hz: 3000 - gia tốc, m / s2 (g): 150 (15)Gia tốc tuyến tính, m / s 2 (g): 1000 (100)Tác động cơ học, tác động đơn với gia tốc, m / s 2 (tác động): 1500 (9)Tác động cơ học, nhiều tác động với gia tốc, m / s 2 (tác động): 350 (10000)Độ ẩm tương đối ở + 35 ° C: lên đến 98%Áp suất khí quyển, Pa: từ 1.33x10 -6 đến 3.0x10 5Nhiệt độ môi trường hoạt động, ° C: -60 đến +125Trọng lượng tiếp sức, g: 38.0Tuổi thọ tối thiểu, năm: 12
75Rơ leРПС45-1 РС4.520.755-164CáiTham số chính- Dòng cung cấp ...... không đổi;- Điện trở cuộn dây, Ohm ...... 640 ... 960;- Dòng kích hoạt, mA ...... 9 ... 15;- Dòng điện nhả ra, mA ...... 0;- Điện áp làm việc, V ...... 24 ... 30;- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60° C..+85° C.
76Rơ leРЭК-23 РФ4.500.472-00.0116CáiĐiện trở cách điện giữa mạch mang dòng, mạch mang dòng và vỏ, MΩ: - ở điều kiện khí hậu bình thường:200 - ở điều kiện độ ẩm cao: 10 - ở nhiệt độ tối đa: 20Độ bền điện của cách điện giữa các phần tử mang dòng, V: 350Độ bền điện môi của cách điện giữa các phần tử mang dòng và vỏ, V: 350Tải trọng rung động: dải tần số, Hz: 5000; gia tốc, m / s2 (g): 250 (25)Gia tốc tuyến tính, m / s 2 (g): 1000 (100)Tác động cơ học, tác động đơn với gia tốc, m / s 2 (tác động): 1500 (9)Tác động cơ học, nhiều tác động với gia tốc, m / s 2 (tác động): 750 (4000)Độ ẩm tương đối ở + 35 ° C: lên đến 98%Áp suất khí quyển, Pa: từ 1.33x10 -6 đến 3.05x10 5Nhiệt độ môi trường hoạt động, ° C: -60 đến +85Trọng lượng tiếp sức, g: 2,5Tuổi thọ tối thiểu, năm: 12
77Rơ leРЭС-342CáiRơ le điện từ tần số thấp, hai vị trí, ổn định đơn, được cung cấp bằng dòng điện một chiều, với một tiếp điểm chuyển đổi.Được thiết kế để chuyển mạch điện AC và DC có tần số từ 50 đến 1100 Hz.Được sản xuất với các chân để gắn bề mặt trên bảng mạch in thông qua các lỗ.Chúng được sử dụng để làm việc như một phần của mạch điều khiển chuyển mạch điện tử trong thiết bị vô tuyến điện tử cho các mục đích chung và đặc biệt.Nó giao tiếp dòng điện không quá 2 A ở điện áp lên đến 250 V, tùy thuộc vào chế độ chuyển đổi.Điện áp định mức làm việc, V: 4; 6; 10 ; 27.Thời gian phản hồi, ms: từ 5,3 đến 7,5.Thời gian phát hành, ms, không còn nữa: 2.Loại vỏ kim loại, niêm phong.
78Rơ leРЭС-48Б (PC459.02.03)8CáiRơ le điện từ, hai vị trí, đơn ổn định, cung cấp dòng điện một chiều, với hai địa chỉ liên lạc chuyển đổi.Được thiết kế để chuyển mạch điện AC và DC với tần số lên đến 1100 Hz.Được sử dụng để làm việc như một phần của mạch điều khiển chuyển mạch điện tử trong thiết bị vô tuyến điện tử cho các mục đích chung và đặc biệt.Có sẵn các chân để in hoặc gắn bề mặt.Rơ le giao tiếp dòng điện không quá 3 A ở điện áp lên đến 250 V, tùy thuộc vào chế độ chuyển mạch.Điện áp định mức làm việc, V: 6; 12; 18; 27; 48; 60; 100.Loại vỏ kim loại, kín.
79Rơ leРЭС-49 (PC4.569.421-00.01)27CáiĐiện áp quy định cuộn dây rơ le,V: 27V; Điện áp tại các tiếp điểm mở, V: Dòng một chiều: 5-30V, dòng xoay chiều, tần số 400Hz: 12-220; Dòng tải quy định của các tiếp điểm làm việc, A: 2A; Điện áp làm việc (không quá), V: 12,5V; Điện áp ngắt làm việc (không quá), V: 6,5V; Mức sụt điện áp trên các tiếp điểm (không quá)mV: 120.
80Rơ leРЭС-52Т13CáiĐộ bền điện môi của cách điện giữa các phần tử mang dòng, V: 350Độ bền điện môi của cách điện giữa các phần tử mang dòng và vỏ, V: 500Tải trọng rung động: - dải tần, Hz: 3000 - gia tốc, m / s2 (g): 200Gia tốc tuyến tính, m / s 2 (g): lên đến 500 (50)Sốc cơ học, tác động đơn với gia tốc, m / s 2 (cú sốc): 5000 (9)Sốc cơ học, tác động lặp đi lặp lại với gia tốc, m / s 2 (cú sốc): 750 (4000)Độ ẩm tương đối ở + 35 ° C: lên đến 98%Áp suất khí quyển, Pa: từ 1.33x10 -6 đến 3.04x10 5Nhiệt độ môi trường làm việc, ° C: từ -60 đến +100Trọng lượng tiếp sức, g: 8.5Tuổi thọ tối thiểu, năm: 12 (20)
81Rơ leРЭС-6032CáiĐiện áp làm việc 23V÷34VĐiện trở tiếp xúc ≤ 1,4 ΩDòng điện 1,8A ÷8,4AĐiều kiện hoạt động của rơle RES-60Áp suất khí quyển từ 133 • 10-8 đến 305,900 Pa.Rung hình sin (cường độ rung và khả năng chống rung) trong dải tần: từ 5 đến 20 Hz - với biên độ không quá 3 mmTuổi thọ: 12 năm.
82Rơ leРЭС-90Т8CáiSố cặp tiếp điểm: 3; Điện trở cuộn dây: 340..660 Om; Dòng đóng: 22 mA; Dòng ngắt: 2 mA; Điện áp nguồn: 22..34V; Điện trở cách điện (chân- vỏ): ≥200 MOm; Điện trở tiếp điểm: 0,5 Om; Tuổi thọ: 12 năm;
83Rơ leРПС-34Б(РС4.520.243)4CáiRơ le điện từ tần số thấp, được thiết kế để chuyển mạch điện AC và DC với tần số lên đến 10.000 Hz.Được sử dụng để hoạt động như một phần của mạch điều khiển chuyển mạch điện (điện tử) nói chung và thiết bị mục đích đặc biệt.
84Rơ leРЭК-60B 027-0520CáiRơ le điện từ tần số thấp. được thiết kế để chuyển mạch điện AC và DC với dòng điện lên đến 1A, điện áp 120V. Điện áp hoạt động, V: 4, 6, 12, 18, 27. Điện trở dây quấn,Ω: 36, 65, 270, 800, 1900.
85Rơ leТКЕ-22П1ГБ50CáiRơ le điện từ TKE22P1GB đóng kín, có cuộn dây được thiết kế để kết nối với mạng một chiều có điện áp danh định là 27 V, có hai tiếp điểm đóng cắt độc lập cho dòng điện 2 A.Cung cấp chuyển mạch điện của dòng điện một chiều có điện áp là 5 đến 30 V và dòng điện xoay chiều có hiệu điện thế từ 12 đến 200 V với tần số 50-1100 Hz.● Dải điện áp DC trong mạch tiếp điểm, V ...... 5-30;● Dải điện áp xoay chiều trong mạch tiếp điểm, V ...... 12-200;● Phạm vi dòng điện trong mạch tiếp điểm, A ...... 0,001-2;● Dải điện áp trong mạch điều khiển DC, V ...... 24-30;● Số mạch chuyển mạch, cái ...... 2;● Thiết kế ...... niêm phong;● Nhiệt độ môi trường, ° С ...... từ -60 đến +100;● Khối lượng, g ...... 50.
86Rơ leТКЕ-52ПОДГБ18CáiRơ le điện từ TKE52PODGB đóng cắt kín, với cuộn dây được thiết kế để kết nối với mạng một chiều có điện áp danh định là 27 V, có hai tiếp điểm đóng cắt độc lập cho dòng điện 5 A.Cung cấp chuyển mạch điện của dòng điện một chiều có điện áp là 5 đến 29,4 V và dòng điện xoay chiều có điện áp 27 V từ 20 đến 200 V.● Dải điện áp DC trong mạch tiếp điểm, V ...... 5-29.4;● Dải điện áp xoay chiều trong mạch tiếp điểm, V ...... 20-220;● Phạm vi dòng điện trong mạch tiếp điểm, A ...... 0,05-5;● Dải điện áp trong mạch điều khiển DC, V ...... 24-30;● Số mạch chuyển mạch, cái ...... 2;● Thiết kế ...... niêm phong;● Nhiệt độ môi trường, ° С ...... từ -60 đến +85;● Trọng lượng, kg ...... 0,118.
87Rơ leТКЕ-26П1ГА15CáiRơ le TKE26P1GA kín đóng cắt điện từ, với cuộn dây được thiết kế để kết nối với mạng một chiều có điện áp danh định là 27 V, có sáu tiếp điểm chuyển mạch độc lập cho dòng điện 2 A.Cung cấp chuyển mạch điện của dòng điện một chiều có điện áp 5 đến 30 V và dòng điện xoay chiều có hiệu điện thế từ 12 đến 200 V với tần số 50-1100 Hz.● Dải điện áp DC trong mạch tiếp điểm, V ...... 5-30;● Dải điện áp xoay chiều trong mạch tiếp điểm, V ...... 12-200;● Phạm vi dòng điện trong mạch tiếp điểm, A ...... 0,001-2;● Dải điện áp trong mạch điều khiển DC, V ...... 24-30;● Số mạch chuyển mạch, cái ...... 6;● Thiết kế ...... niêm phong;● Nhiệt độ môi trường, ° С ...... từ -60 đến +100;● Trọng lượng, g ...... 125.
88Rơ leТКЕ-24П1ГА10CáiRơ le TKE24P1GA là rơ le chuyển mạch kín điện từ, có cuộn dây được thiết kế để kết nối với mạng một chiều có điện áp danh định 27 V, có bốn tiếp điểm chuyển mạch độc lập cho dòng điện 2 A. Nócung cấp chuyển mạch các mạch điện của dòng điện một chiều . với hiệu điện thế từ 5 đến 30 V và dòng điện xoay chiều có hiệu điện thế từ 12 đến 200 V có tần số 50-1100 Hz.● Dải điện áp DC trong mạch tiếp điểm, V ...... 5-30;● Dải điện áp xoay chiều trong mạch tiếp điểm, V ...... 12-200;● Phạm vi dòng điện trong mạch tiếp điểm, A ...... 0,001-2;● Dải điện áp trong mạch điều khiển DC, V ...... 24-30;● Số mạch chuyển mạch, cái ...... 4;● Thiết kế ...... niêm phong;● Nhiệt độ môi trường, ° С ...... từ -60 đến +100;● Trọng lượng, g ...... 100.
89Rơ leТКЕ-56ПОДГБ10CáiChuyển mạch điện từ TKE26P1GB được làm kín, với cuộn dây được thiết kế để kết nối với mạng một chiều có điện áp danh định là 27 V, có sáu tiếp điểm chuyển mạch độc lập cho dòng điện 2 A.Cung cấp chuyển mạch các mạch điện của dòng điện một chiều có điện áp là 5 đến 30 V và dòng điện xoay chiều có hiệu điện thế từ 12 đến 200 V với tần số 50-1100 Hz.● Dải điện áp DC trong mạch tiếp điểm, V ...... 5-30;● Dải điện áp xoay chiều trong mạch tiếp điểm, V ...... 12-200;● Phạm vi dòng điện trong mạch tiếp điểm, A ...... 0,001-2;● Dải điện áp trong mạch điều khiển DC, V ...... 24-30;● Số mạch chuyển mạch, cái ...... 6;● Thiết kế ...... niêm phong;● Nhiệt độ môi trường, ° С ...... từ -60 đến +100;● Trọng lượng, g ...... 100.
90Rơ leСПЕ-22ПОДГБ6CáiRơ le SPE22PODGB kín đóng cắt điện từ, với một cuộn dây được thiết kế để kết nối với mạng AC có điện áp danh định là 115 V và tần số 400 Hz, có hai tiếp điểm chuyển mạch độc lập cho dòng điện 2 A.Cung cấp chuyển mạch của các mạch điện một chiều với điện áp lên đến 29,4 V và điện áp xoay chiều lên đến 220 V, tần số từ 50 đến 1100 Hz.● Dải điện áp xoay chiều trong mạch tiếp điểm, V ...... 12-220;● Dải điện áp DC trong mạch tiếp điểm, V ...... 18-29.4;● Phạm vi dòng điện trong mạch tiếp điểm, A ...... 0,05-2;● Điện áp trong mạch điều khiển DC, ...... 115 V, 400 Hz;● Số mạch chuyển mạch, cái ...... 2;● Thiết kế ...... niêm phong;● Khối lượng, g ...... 60.
91Rơ leСПЕ-22ПОДГ5CáiSPE22PODG, có cuộn dây được thiết kế để nối với mạng điện xoay chiều có điện áp danh định là 115 V và tần số 400 Hz, có hai tiếp điểm đóng cắt độc lập cho dòng điện 2 A.Cung cấp chuyển mạch các mạch điện của dòng điện một chiều có hiệu điện thế đến 30 V và dòng điện xoay chiều có hiệu điện thế đến 220 V có tần số từ 360 đến 440 Hz.● Dải điện áp xoay chiều trong mạch tiếp điểm, V ...... 12-220;● Dải điện áp DC trong mạch tiếp điểm, V ...... 5-30;● Phạm vi dòng điện trong mạch tiếp điểm, A ...... 0,05-2;● Điện áp trong mạch điều khiển DC, ...... 115 V, 400 Hz;● Số mạch chuyển mạch, cái ...... 2;● Thiết kế ...... niêm phong;● Kích thước tổng thể, mm ...... 44x35x63;● Khối lượng, g ...... 170.
92Tụ điệnК53-1А-16В-0,068мкФ15Cái-Điện áp định mức: 6,3 - 40V- Điện dung định mức: 0,033 -100µF- Dung sai điện dung (tại 20 °C, 50 Hz): ± 10; ± 20; ± 30%- Nhiệt độ môi trường max quá trình hoạt động: +125 ° С- Nhiệt độ môi trường min quá trình hoạt động: - 60 ° С- Trở kháng ở tần số 10 kHz: 2,5… 57 Ω
93Tụ điệnК21-9-11В-М47-27ПФ5CáiĐiện áp làm việc 11VDải điện dung định mức ....... 0,001 ... 27,0 pF;Dung sai dung lượng 5%Nhóm TKE P33, M47Mất tiếp tuyến 10000mohmPhạm vi nhiệt độ -60 .. + 125 ° CThời gian hoạt động 10000 giờ
94Tụ điệnК21-9-11В-М47-33ПФ5CáiĐiện áp làm việc 11VDải điện dung định mức ....... 0,001 ... 33,0 pF;Dung sai dung lượng 5%Nhóm TKE P33, M47Mất tiếp tuyến 10000mohmPhạm vi nhiệt độ -60 .. + 125 ° CThời gian hoạt động 10000 giờ
95Tụ điệnК21-9-11В-М47-39ПФ5CáiĐiện áp làm việc 11VDải điện dung định mức ....... 0,001 ... 39,0 pF;Dung sai dung lượng 5%Nhóm TKE P33, M47Mất tiếp tuyến 10000mohmPhạm vi nhiệt độ -60 .. + 125 ° CThời gian hoạt động 10000 giờ
96Tụ điệnК21-9-11В-М47-56ПФ7CáiĐiện áp làm việc 11VDải điện dung định mức ....... 0,001 ... 56,0 pF;Dung sai dung lượng 5%Nhóm TKE P33, M47Mất tiếp tuyến 10000mohmPhạm vi nhiệt độ -60 .. + 125 ° CThời gian hoạt động 10000 giờ
97Tụ điệnК50-29В-100В-47мкф18Cái- Điện dung danh định ....... 1 ... 4700 uF; - Điện áp định mức ....... 29V; - Sai lệch công suất cho phép ....... + 50 / -20%; - Góc mất tiếp tuyến, không quá ....... 20%; - Dòng rò rỉ, không quá ....... 1270 μA; - Tổng trở, không quá ....... 90,0 Ohm; - Độ ẩm không khí tương đối ở +35 ° C ....... 98%; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +85 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không ít hơn ....... 2000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 20 năm.
98Tụ điệnК50-29В-63В-470мкф11Cái- Điện dung danh định ....... 1 ... 4700 uF; - Điện áp định mức ....... 63 V; - Sai lệch công suất cho phép ....... + 50 / -20%; - Góc mất tiếp tuyến, không quá ....... 20%; - Dòng rò rỉ, không quá ....... 1270 μA; - Tổng trở, không quá ....... 90,0 Ohm; - Độ ẩm không khí tương đối ở +35 ° C ....... 98%; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +85 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không ít hơn ....... 2000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 20 năm.
99Tụ điệnК52-11В-100В-68мкф ± 10%15Cái- Dải điện dung định mức ....... 15 ... 68 mF; - Điện áp định mức .......100 V; - Sai lệch công suất cho phép ....... ± 10%; - Góc mất tiếp tuyến, không quá ....... 30%; - Dòng điện rò rỉ, không quá ....... 16,1 μA; - Tổng trở, không quá ....... 10,0 Ohm; - Độ ẩm không khí tương đối ở +35 ° C ....... 98%; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +85 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không ít hơn ....... 5000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 15 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 10,0 g
100Tụ điệnК52-2-90В-10мкф ± 10%5Cái- Điện dung danh định ....... 10 ... 1000 uF; - Điện áp định mức ...... 90 V; - Sai lệch công suất cho phép ....... ± 10; - Suy hao tiếp tuyến ....... 2 ... 30%; - Dòng rò ....... 7,0 ... 60,0 μA; - Độ ẩm không khí tương đối ở +35 ° C ....... 98%; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +155 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 10.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 15 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 22.0 g.
101Tụ điệnК52-9В-120В-10мкф ± 10%5CáiNhiệt độ hoạt động -60 + 125 ° CĐiện dung danh định ....... 1 ... 10 mF;sai lệch công suất cho phép ± 10%, ± 20%, ± 30%mất điện môi tiếp tuyến tám%dòng điện rò rỉ 3,5 uAtrở kháng 15 ohmthời gian chạy tối thiểu ở + 85 ° C 5000 giờở + 70 ° C 10000 giờthời gian bảo hành lưu trữ 25 năm
102Tụ điệnК53-18В-100мФ ±10%4Cái- Điện dung danh định ....... 0,1 ... 100 mF; - Điện áp định mức ....... 6,3;18 V; - Sai lệch công suất cho phép ....... ± 10; - Suy hao tiếp tuyến ....... 6 ... 15%; - Dòng rò ....... 1,0 ... 63,0 μA; - Độ ẩm không khí tương đối ở +35 ° C ....... 98%; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -80 ... +85 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 10.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 12 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 11,0 g
103Tụ điệnК53-18В-47мкф-20В23Cái- Điện dung danh định ....... 0,1 ... 47 mF; - Điện áp định mức ....... 6,3; 18 V; - Suy hao tiếp tuyến ....... 6 ... 15%; - Dòng rò ....... 1,0 ... 63,0 μA; - Độ ẩm không khí tương đối ở +35 ° C ....... 98%; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -80 ... +85 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 10.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 12 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 11,0 g
104Tụ điệnК53-1А-16В-22мкф±10%-В8Cái- Điện dung định mức ....... 0,033 ... 47 mF; - Điện áp định mức .......20 V; - Sai lệch công suất cho phép ....± 10%; - Suy hao tiếp tuyến ....... 6 ... 8%; - Dòng rò ....... 1,0 ... 6,0 μA; - Trở kháng ở tần số 10 kHz ....... 2,5 ... 57,0 Ohm - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 30.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 25 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 6,0 g
105Tụ điệnК53-1А-16В-68мкф ± 10%5Cái- Điện dung định mức ....... 0,033 ... 68 mF; - Điện áp định mức .......16 V; - Sai lệch công suất cho phép ....± 10%; - Suy hao tiếp tuyến ....... 6 ... 8%; - Dòng rò ....... 1,0 ... 6,0 μA; - Trở kháng ở tần số 10 kHz ....... 2,5 ... 57,0 Ohm - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 30.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 25 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 6,0 g
106Tụ điệnК53-1А-16В-68мкф ± 30%12Cái- Điện dung định mức ....... 0,033 ... 68 mF; - Điện áp định mức .......16 V; - Sai lệch công suất cho phép ....± 30%; - Suy hao tiếp tuyến ....... 6 ... 8%; - Dòng rò ....... 1,0 ... 6,0 μA; - Trở kháng ở tần số 10 kHz ....... 2,5 ... 57,0 Ohm - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 30.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 25 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 6,0 g
107Tụ điệnК53-1А-20В-47мкф ± 30%9Cái- Điện dung định mức ....... 0,033 ... 47 mF; - Điện áp định mức .......20 V; - Sai lệch công suất cho phép ....± 30%; - Suy hao tiếp tuyến ....... 6 ... 8%; - Dòng rò ....... 1,0 ... 6,0 μA; - Trở kháng ở tần số 10 kHz ....... 2,5 ... 57,0 Ohm - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 30.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 25 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 6,0 g
108Tụ điệnК53-1А-20В-47мкф±10%21Cái- Điện dung định mức ....... 0,033 ... 47 mF; - Điện áp định mức .......20 V; - Sai lệch công suất cho phép ....± 10%; - Suy hao tiếp tuyến ....... 6 ... 8%; - Dòng rò ....... 1,0 ... 6,0 μA; - Trở kháng ở tần số 10 kHz ....... 2,5 ... 57,0 Ohm - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 30.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 25 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 6,0 g
109Tụ điệnК53-1А-32В-22мкф±10%2Cái- Điện dung định mức ....... 0,033 ... 22 mF; - Điện áp định mức .......20 V; - Sai lệch công suất cho phép ....± 10%; - Suy hao tiếp tuyến ....... 6 ... 8%; - Dòng rò ....... 1,0 ... 6,0 μA; - Trở kháng ở tần số 10 kHz ....... 2,5 ... 57,0 Ohm - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 30.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 25 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 6,0 g
110Tụ điệnК53-1А-6,3В-100мкф ± 30%8Cái- Điện dung định mức ....... 0,033 ... 100 mF; - Điện áp định mức ....... 6,3 V; - Sai lệch công suất cho phép ....... ± 30%; - Suy hao tiếp tuyến ....... 6 ... 8%; - Dòng rò ....... 1,0 ... 6,0 μA; - Trở kháng ở tần số 10 kHz ....... 2,5 ... 57,0 Ohm - Phạm vi nhiệt độ hoạt động ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 30.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 25 năm; - Trọng lượng, không quá ....... 6,0 g
111Tụ điệnК73-16-400В-0,47мкф ± 20%9Cái- Dải điện dung định mức ....... 0,001 ... 0,47 mF; - Điện áp định mức ...... 63; 100; 160; 250; 400 V; - Sai lệch công suất cho phép .......± 20%; - Mất tiếp tuyến, không quá ....... 0,012; - Đầu ra điện trở cách điện, không nhỏ hơn ....... 7500 MOhm; - Đầu ra điện trở cách điện, không nhỏ hơn ....... 30000 MOhm; - Hằng số thời gian trong điều kiện khí hậu bình thường, không nhỏ hơn ....... 4000 MΩ x μF; - Độ ẩm không khí tương đối ở +35 ° C ....... 98%; - Phạm vi nhiệt độ ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 10.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 15 năm.
112Tụ điệnК73-16-400В-1мкф ± 20%9Cái- Dải điện dung định mức ....... 0,001 ... 1 mF; - Điện áp định mức ...... 63; 100; 160; 250; 400V; - Sai lệch công suất cho phép .......± 20%; - Mất tiếp tuyến, không quá ....... 0,012; - Đầu ra điện trở cách điện, không nhỏ hơn ....... 7500 MOhm; - Đầu ra điện trở cách điện, không nhỏ hơn ....... 30000 MOhm; - Hằng số thời gian trong điều kiện khí hậu bình thường, không nhỏ hơn ....... 4000 MΩ x μF; - Độ ẩm không khí tương đối ở +35 ° C ....... 98%; - Phạm vi nhiệt độ ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 10.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 15 năm
113Tụ điệnК73-16-63В-0,47мкф ± 10%8Cái- Dải điện dung định mức ....... 0,001 ... 0,47 mF; - Điện áp định mức ...... 63V; - Sai lệch công suất cho phép ....... ± 10; - Mất tiếp tuyến, không quá ....... 0,012; - Đầu ra điện trở cách điện, không nhỏ hơn ....... 7500 MOhm; - Đầu ra điện trở cách điện, không nhỏ hơn ....... 30000 MOhm; - Hằng số thời gian trong điều kiện khí hậu bình thường, không nhỏ hơn ....... 4000 MΩ x μF; - Độ ẩm không khí tương đối ở +35 ° C ....... 98%; - Phạm vi nhiệt độ ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 10.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 15 năm.
114Tụ điệnК73-16А-63В-1мкф ± 10%9Cái- Dải điện dung định mức ....... 0,001 ... 1 mF; - Điện áp định mức ...... 63 V; - Sai lệch công suất cho phép ....... ± 5; ± 10; ± 20%; - Mất tiếp tuyến, không quá ....... 0,012; - Đầu ra điện trở cách điện, không nhỏ hơn ....... 7500 MOhm; - Đầu ra điện trở cách điện, không nhỏ hơn ....... 30000 MOhm; - Hằng số thời gian trong điều kiện khí hậu bình thường, không nhỏ hơn ....... 4000 MΩ x μF; - Độ ẩm không khí tương đối ở +35 ° C ....... 98%; - Phạm vi nhiệt độ ....... -60 ... +125 ° С; - Thời gian hoạt động tối thiểu, không dưới ....... 10.000 giờ; - Thời hạn sử dụng không dưới ....... 15 năm.
115Tụ điệnКМ-6А-Н90-0,33мкф3Cái- Dải điện dung định mức: 120 pF-0,33 mF- Điện áp định mức: 25, 35, 50 V- Dung sai điện dung: ± 2%- Nhóm TKE: P33; M47; M75; M750; M1500; H50; H90- Phạm vi nhiệt độ: -65- + 125 ° С
116Vi mạch106ЛА311CáiĐiện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; Dòng tiêu thụ, không quá: 44.0 mA; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
117Vi mạch106ЛР11А5Cáicác mạch tích hợp được sử dụng trong thiết bị điện tử với nhiều ứng dụng và mục đích chức năng là hai phần tử logic 2-2I-2OR-NOT. Các chip được sản xuất bằng công nghệ TTL trong một gói gốm-kim loại, trọng lượng không vượt quá 0,35 g, tên gọi của gói: 401.14-1, nhiệt độ hoạt động của hoạt động: từ âm 60 đến cộng 125 độ C, tối đa gia nhiệt tinh thể là 150 độ C. Phiên bản khí hậu của vi mạch là UHL và tương ứng với 2) điều kiện kỹ thuật bK0.347.082 TU1.
118Vi mạch130ЛА34CáiDòng tiêu thụ: không quá 15 mA.Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%.Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ...+ 125 ° С.
119Vi mạch133АГ32Cái- Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 44.0 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C ... + 125°C.
120Vi mạch133ИМ34CáiChip 133IM3 là một bộ cộng đầy đủ bốn bit.Được sản xuất trong một vỏ kim loại gốm với dây dẫn cứng.Đánh dấu của vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được đưa ra trên vỏ máy.Chứa 181 phần tử tích phân.Loại vỏ 402.16-32, trọng lượng không quá 1,5 g.
121Vi mạch133ИП27CáiChips 133IP2 là một mạch kiểm tra tính chẵn lẻ 8 bit.Được phát hành trong vỏ kính-kim loại với các kết luận cứng nhắc.Đánh dấu của vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được đưa ra trên vỏ máy.Loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 0,45 g.Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 + 125 ° С.Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%.
122Vi mạch133ЛА221CáiDòng tiêu thụ: không quá 15 mA.Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%.Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ...+ 125 ° С.
123Vi mạch133ЛА335CáiChứa 56 phần tử tích phân. TTL; 14 chân; 4 cụm chức năng "2và- đảo" collector mở; Điện áp nguồn: 5V±10% Điện áp ra mức thấp: 0..0,4V; Điện áp ra mức cao: 2,4..5V; Dòng ra mức thấp: 1..1,6 mA; Dòng ra mức cao: 0,04mA; Dòng tiêu thụ khi điện áp đầu ra ở mức thấp: 22mA; Dòng tiêu thụ khi điện áp đầu ra ở mức cao: 8mA; Thời gian trễ khi đóng mạch: 15ηs; Thời gian trễ khi ngắt mạch: 22ηs. Kích thứơc phủ bì theo tiêu chuẩn 401.14-5; Nhiệt độ môi trường: -60..125°C
124Vi mạch133ЛА621CáiChứa 34 phần tử tích phân. TTL; 14 chân; 4 cụm chức năng "2và- đảo" collector mở; Điện áp nguồn: 5V±10% Điện áp ra mức thấp: 0..0,4V; Điện áp ra mức cao: 2,4..5V; Dòng ra mức thấp: 1..1,6 mA; Dòng ra mức cao: 0,04mA; Dòng tiêu thụ khi điện áp đầu ra ở mức thấp: 22mA; Dòng tiêu thụ khi điện áp đầu ra ở mức cao: 8mA; Thời gian trễ khi đóng mạch: 15ηs; Thời gian trễ khi ngắt mạch: 22ηs. Kích thứơc phủ bì theo tiêu chuẩn 401.14-5; Nhiệt độ môi trường: -60..125°C
125Vi mạch133ЛА721Cái- Điện áp nguồn: 5,0 V ± 10% V;- Dòng tiêu thụ: không quá 22 mA;- Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
126Vi mạch133ЛА837CáiChứa 32 phần tử tích phân. TTL; 14 chân; 4 cụm chức năng "2và- đảo" collector mở; Điện áp nguồn: 5V±10% Điện áp ra mức thấp: 0..0,4V; Điện áp ra mức cao: 2,4..5V; Dòng ra mức thấp: 1..1,6 mA; Dòng ra mức cao: 0,04mA; Dòng tiêu thụ khi điện áp đầu ra ở mức thấp: 22mA; Dòng tiêu thụ khi điện áp đầu ra ở mức cao: 8mA; Thời gian trễ khi đóng mạch: 15ηs; Thời gian trễ khi ngắt mạch: 22ηs. Kích thứơc phủ bì theo tiêu chuẩn 401.14-5; Nhiệt độ môi trường: -60..125°C
127Vi mạch133ЛД18CáiIC TTL, loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 0,45 g. Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 + 125 ° С. Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%. Ura logic_0 ≤ 0,4V; Ura logic_1 ≥ 2,4. Thời gian hoạt động 100.000h
128Vi mạch133ЛН3А2CáiSáu bộ đệm - đảo với tăng áp cực collector.Kiểu đóng gói: 402.16-32; U: +4.5V ÷ +5.5V;I≤40mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°С ÷ +125°С.
129Vi mạch133ЛН57CáiChip 133LN5 là 6 biến tần mạnh mẽ.Được thiết kế để làm việc trong các nút và khối của thiết bị có mục đích đặc biệt.Được phát hành trong vỏ kim loại gốm với kết cấu cứng.Đánh dấu của vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được đưa ra trên vỏ máy.Loại nhà ở 402.16-32.Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 + 125 ° С.Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%.
130Vi mạch133ЛР124Cái- Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 44.0 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
131Vi mạch133ЛР317CáiĐiện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; Dòng tiêu thụ, không quá: 22.0 mA; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
132Vi mạch133ЛР415CáiIC TTL, loại vỏ 401.14-4. Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 + 125 ° С. Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%. Ura logic_0 ≤ 0,4V; Ura logic_1 ≥ 2,4. Thời gian hoạt động 100.000h
133Vi mạch133ТМ235CáiĐiện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; Dòng tiêu thụ, không quá: 44.0 mA; Ura logic_0 ≤ 0,4V; Ura logic_1 ≥ 2,4 ; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
134Vi mạch133ТМ528CáiĐiện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; Dòng tiêu thụ, không quá: 44.0 mA; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
135Vi mạch133ТМ714CáiMicrocircuits 133TM7 là 4 D-flip-flops với đầu ra trực tiếp và nghịch đảoĐược phát hành trong vỏ kim loại gốm với kết luận cứng nhắc.Đánh dấu của vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được đưa ra trên vỏ máy.Loại vỏ 402.16-32, trọng lượng không quá 0,45 g.Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 + 125 ° С.Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%.
136Vi mạch134ИД612CáiChứa 164 phần tử tích phân.Loại vỏ 402.16-33, trọng lượng không quá 1,5 gĐiện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 25 mA.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.Loại chất lượng: - chấp nhận "VP" bK0.347.083TU3; - chấp nhận "OS" bK0.347.188STU.
137Vi mạch134КП1015Cái- Điện áp nguồn: 5,0 V ± 10% V; - Ura logic_0 ≤ 0,3V; Ura logic_1 ≥ 2,6 ;- Dòng tiêu thụ: không quá 6,6mA;- Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
138Vi mạch134ЛА2А9Cái- Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 44.0 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°С ... +125°С.
139Vi mạch134ЛА2Б5CáiChứa 9 phần tử tích phân.Loại vo 401.14-3.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.Bảo hành thời gian hoạt động của vi mạch:- 50.000 giờ ở các chế độ và điều kiện thông số kỹ thuật cho phép;
140Vi mạch134ЛБ1А33CáiMức logic: TTL; Số chân:14; Chức năng: 4 phần tử lôgic "2AND-NOT/2OR-NOT"; Điện áp nguồn: 5V; Nhiệt độ môt trường: -6-..125°C; Tiêu chuẩn vỏ: 401.14-5M; Tiêu chuẩn kỹ thuật: бК0.347.083 ТУ-1
141Vi mạch134ЛБ2А15CáiĐiện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; Dòng tiêu thụ, không quá: 44.0 mA; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
142Vi mạch134ЛБ2Б11CáiCác vi mạch 134LB2B là 2 phần tử logic 4I-NOT / 4OR-NOT và một phần tử logic NOT.Chúng được sản xuất trong một hộp từ kính đến kim loại hình chữ nhật với sự sắp xếp chốt ở hai mặt.Việc đánh dấu các vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được chỉ ra trên vỏ máy.Chứa 27 phần tử tích phân. Loại vỏ 401.14-3, trọng lượng không quá 0,35 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° C.
143Vi mạch134ЛП32CáiChip 134LP3 là phần tử đa số.Chúng được sản xuất trong một hộp từ kính đến kim loại hình chữ nhật với sự sắp xếp chốt ở hai mặt.Việc đánh dấu các vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được chỉ ra trên vỏ máy.Chứa 48 phần tử tích phân. Loại vỏ 401.14-3, trọng lượng không quá 0,35 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° C.
144Vi mạch134ЛР1А13CáiChip 134LR1A là một phần tử logic 2I-2I-2OR-NOT và một phần tử logic 2I-4I-2OR-NOT..Chúng được sản xuất trong một hộp từ kính đến kim loại hình chữ nhật với sự sắp xếp chốt ở hai mặt.Việc đánh dấu các vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được chỉ ra trên vỏ máy.Chứa 24 phần tử tích phân. Loại vỏ 401.14-3, trọng lượng không quá 0,35 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° C.
145Vi mạch134РМ110Cái- Điện áp nguồn: 5,0 V ± 10% V; - Ura logic_0 ≤ 0,3V; Ura logic_1 ≥ 2,6 ;- Dòng tiêu thụ: không quá 9mA;- Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
146Vi mạch134ТВ149CáiVi mạch số dạng TTL; hai phần tử trigo J-K; điện áp nguồn U=5V; dòng biến đổi I≤3,2мА; độ trễ t=200nS
147Vi mạch134ТМ2Б5CáiChứa 28 phần tử tích phân.Loại vo 401.14-3.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.Bảo hành thời gian hoạt động của vi mạch:- 50.000 giờ ở các chế độ và điều kiện thông số kỹ thuật cho phép;
148Vi mạch136ЛА122CáiVi mạch số dạng TTL; với 2 phần tử logic 4И-НЕ; điện áp nguồn U=5V; điện áp đầu vào Uвх ≥ -0,3V; Dung luợng tải ≤150пФ
149Vi mạch136ЛА222Cái- Điện áp nguồn: 5,0 V ± 10% V; - Ura logic_0 ≤ 0,3V; Ura logic_1 ≥ 2,4 ;- Dòng tiêu thụ: không quá 0,7mA;- Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
150Vi mạch136ЛА323CáiPhạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ...+ 125 ° С.Dòng tiêu thụ: không quá 15 mA.Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%.
151Vi mạch136ЛА424Cái- Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 44.0 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°С ... +125°С.
152Vi mạch136ЛН122CáiVi mạch số dạng TTL; 6 phần tử logic HE; điện áp nguồn U=5V; dải nhiệt độ làm việc từ -60°C ÷ +125°C; độ trễ
153Vi mạch136ЛР121Cái- Điện áp nguồn: 5,0 V ± 10% V; - Ura logic_0 ≤ 0,3V; Ura logic_1 ≥ 2,4 ;- Dòng tiêu thụ: không quá 2,0mA;- Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
154Vi mạch136ЛР314Cái- Điện áp nguồn: 5,0 V ± 10% V; - Ura logic_0 ≤ 0,3V; Ura logic_1 ≥ 2,4 ;- Dòng tiêu thụ: không quá 1,9mA;- Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
155Vi mạch1401УД24CáiMicrocircuits 1401UD2A là một bộ khuếch đại hoạt động bốn với hiệu chỉnh tần số bên trong và được thiết kế để xây dựng bộ khuếch đại DC và AC, bộ chuyển đổi, bộ phát chức năng, bộ lọc tích cực, bộ ổn định điện áp.Có sẵn trong một gói cermet hình chữ nhật 14 chân với các chân gắn PCB xuyên lỗ.Việc đánh dấu được áp dụng bằng mã chữ và số trên thân chip.Chứa 115 phần tử tích phân.Loại vỏ 201,14-10, trọng lượng không quá 2,5 g.Điện áp cung cấp: ± 15 V ± 10%.Dòng tiêu thụ: không quá 3 mA.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
156Vi mạch140УД1701А (УД1701А)17CáiChứa 81 phần tử tích phân.Loại vỏ 3101.8-8.01. - Dải điện áp cung cấp: ± 15,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 6 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C. - Thời hạn sử dụng tối thiểu: 25 năm
157Vi mạch140УД17А8CáiChứa 81 phần tử tích phân.Loại vỏ 3101.8-9.01.- Dải điện áp cung cấp: ± 15,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 6 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C. - Thời hạn sử dụng tối thiểu: 25 năm.
158Vi mạch140УД1Б10CáiBộ khuếch đại thuật toán; nguồn nuôi U= ±12,6V; dòng biến đổi I
159Vi mạch140УД20А (УД20А)12CáiChứa 82 phần tử tích phân.Loại vỏ 201.14-10. - Dải điện áp cung cấp: ± 5 ... ± 18 V; - Dòng tiêu thụ, không quá: 4 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C. - Thời hạn sử dụng tối thiểu: 25 năm.
160Vi mạch140УД25А (УД25А)8Cái- Dải điện áp cung cấp: ± 15 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 6,5 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° С; - Thời hạn sử dụng tối thiểu: 25 năm.
161Vi mạch140УД5А3CáiMicrocircuits 140UD5A là bộ khuếch đại hoạt động có độ chính xác trung bình với các bóng bán dẫn tổng hợp (bộ phát tín hiệu) ở đầu vào, không có hiệu chỉnh tần số.Chúng được sản xuất trong một vỏ tròn từ thủy tinh đến kim loại với các đầu cuối để gắn qua lỗ trên bảng mạch in.Việc đánh dấu được áp dụng bằng mã chữ và số trên thân chip.Chứa 26 phần tử tích phân.Loại nhà ở 301.12-1, trọng lượng không quá 1,3 g.
162Vi mạch140УД6012CáiChứa 45 phần tử tích phân.Loại vỏ 3101.8-8.01- Dải điện áp cung cấp: ± 15 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 5,0 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° С; - Thời hạn sử dụng tối thiểu: 25 năm.
163Vi mạchУД601А6Cái- Dải điện áp cung cấp: ± 15 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không hơn: 5,0 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C..+125°C.
164Vi mạch140УД6А (УД6А)15CáiChứa 45 phần tử tích phân.Loại nhà ở 3101.8-9.01., Trọng lượng không quá 1,3 g. - Dải điện áp cung cấp: ± 15 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 5,0 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° С; - Thời hạn sử dụng tối thiểu: 25 năm
165Vi mạch140УД701 (УД701)19CáiChứa 35 phần tử tích phân.Loại vỏ 3101.8-8.01, trọng lượng không quá 1,5 g. - Dải điện áp cung cấp: ± 15 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 3,6 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° С; - Thời hạn sử dụng tối thiểu: 25 năm.
166Vi mạch142ЕН2Б14Cái- Điện áp ra: 12 ... 30 V;- Dòng điện đầu ra: 0,15 A;- Điện áp đầu vào: 40 V;- Dòng không ổn định: 4,4% / A;- Điện áp không ổn định: 0,1% / V; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°С ... + 125°С.
167Vi mạch142ЕН312CáiBộ ổn định điện ápKiểu đóng gói: 4116.8-3U-in: 9V ÷ 45V; Ngõ ra: 3V ÷ 30V;I-out tối đa: 1000mA;Điện áp không ổn định: 0,25%;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С;
168Vi mạch142ЕН5А2CáiBộ điều chỉnh điện áp với đầu ra cố địnhKiểu đóng gói: 4116.4-3U-vào: 15V; U-ra: 5 ± 0,1V;I-out: ≤ 3A;Mất ổn định điện áp: 0,05%;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С ;
169Vi mạch142ЕН5В2Cái- Điện áp ra: 5 ± 0,1 V;- Dòng điện đầu ra: 2 A;- Điện áp đầu vào: 15 V;- Tính không ổn định hiện tại: 1% / A;- Điện áp không ổn định: 0,05% / V;- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
170Vi mạch142ЕН6А5CáiLoại vỏ 4116.8-3, trọng lượng không quá 3 g.Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.Chứa 77 phần tử tích phân.Vi mạch 142EN6A là bộ điều chỉnh điện áp lưỡng cực với điện áp đầu ra cố định là ± 15 V và dòng tải là 200 mA
171Vi mạch142ЕН6В5CáiVi mạch 142EN6V là bộ điều chỉnh điện áp lưỡng cực với điện áp đầu ra cố định là ± 15 V và dòng tải 200 mA.Trong quá trình vận hành, cho phép kết nối tải với bất kỳ một hoặc đồng thời vào hai đầu vào (kênh) của vi mạch.Được phát hành trong vỏ kim loại gốm để gắn trên bảng mạch in.Chứa 77 phần tử tích phân.Loại nhà ở 4116.8-3, trọng lượng không quá 3 g.Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
172Vi mạch142ЕП19CáiĐiện áp ra 5..7 V; Dòng điện đầu ra: 0,15 A; Điện áp đầu vào: 40 V; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
173Vi mạch143КТ125Cái- Điện áp nguồn cung cấp: +5,0 V ± 0,5; -24± 2,4 V - Dòng tiêu thụ, không quá: 4 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°С ... +125°С.
174Vi mạch1504ЛА3А10CáiChip 1504LA3A EV là bốn phần tử logic 2I-NOT.Chúng được sản xuất trong một hộp từ kính đến kim loại hình chữ nhật với sự sắp xếp chốt ở hai mặt.Việc đánh dấu các vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được chỉ ra trên vỏ máy.Loại nhà ở 401.14-5.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
175Vi mạch1504ЛА8А8CáiChip 1504LA8A EV là bốn phần tử logic 2I-NOT bộ thu mở.Chúng được sản xuất trong một hộp từ kính đến kim loại hình chữ nhật với sự sắp xếp chốt ở hai mặt.Việc đánh dấu các vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được chỉ ra trên vỏ máy.Loại vỏ 401.14-5.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
176Vi mạch1505ЛА2А3CáiĐược sản xuất trong một vỏ bằng thủy tinh đến kim loại hình chữ nhật để gắn trên bảng mạch in.Loại vỏ 401.14-5.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° Сtrọng lượng - 0,45 g.
177Vi mạch1533АП35CáiHai bộ đệm bốn kênh với ba trạng thái ở đầu raKiểu đóng gói: 402.16-32.U: + 5V ± 10%;I≤23mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
178Vi mạch1533АП55CáiHai trình điều khiển bốn kênh với ba trạng thái ở đầu ra với điều khiển nghịch đảo.Kiểu đóng gói: 4153.20-6U: + 5V ± 10%;I ≤ 24mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
179Vi mạch1533АП619CáiBộ thu phát ba trạng thái hai chiều tám kênh.Kiểu đóng gói: 4153.20-6U: + 5V ± 10%;I ≤ 24mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
180Vi mạch1533ИД410Cái- Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 7 mA; - Giá trị cho phép của thế tĩnh điện: 200 V; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.Đảm bảo thời gian hoạt động của vi mạch:- 100.000 giờ ở các chế độ và điều kiện cho phép theo thông số kỹ thuật
181Vi mạch1533ИД710CáiMạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky của dòng TTL.Chip 1533ID7 là một bộ phân kênh-giải mã kép 3-8.Được sản xuất trong một vỏ kim loại gốm hình chữ nhật để gắn trên bảng mạch in.- Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 8,5 mA; - Giá trị cho phép của thế tĩnh điện: 200 V; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
182Vi mạch1533ИЕ75CáiIC TTL, 14 chân dán - Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 22 mA; - Giá trị cho phép của thế tĩnh điện: 200 V; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
183Vi mạch1533ИР3315CáiThanh ghi bộ đệm tám bitKiểu đóng gói: 4153.20-6U: + 5V ± 10%;I ≤ 24mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
184Vi mạch1533КП115CáiBộ chọn bốn chữ số 2-1Kiểu đóng gói: 402.16-32U: + 5V ± 10%;I ≤ 8,5mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
185Vi mạch1533ЛЕ15CáiBốn cổng logic 2HOẶC- ĐẢO.Kiểu đóng gói: 401.14-5U: + 5V ± 10%;I ≤ 4 mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
186Vi mạch1533ЛИ15CáiĐược sản xuất trong một vỏ bằng thủy tinh đến kim loại hình chữ nhật để gắn trên bảng mạch in.Loại vỏ 401.14-5- Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 4 mA; - Giá trị cho phép của thế tĩnh điện: 200 V; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
187Vi mạch1533ЛН111CáiĐiện áp cung cấp: 5,0 ± 10% V; Dòng tiêu thụ, không quá: 3,8 ​​mA; Giá trị cho phép của điện áp tĩnh: 200 V; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
188Vi mạch1533ЛР115CáiĐược sản xuất trong một vỏ bằng thủy tinh đến kim loại hình chữ nhật để gắn trên bảng mạch in.Chứa 70 phần tử tích phân.Loại vỏ 401.14-5. - Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 2,2 mA; - Giá trị cho phép của thế tĩnh điện: 200 V; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
189Vi mạch1533ТМ25CáiHai flip-flops DKiểu đóng gói: 401.14-5.U: + 5V ± 10%;I ≤ 4 mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
190Vi mạch1533ТМ85CáiBốn D-flip-flops với đầu ra trực tiếp và nghịch đảo.Kiểu đóng gói: 402.16-32U: + 5V ± 10%;I ≤ 14 mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
191Vi mạch1533ТМ95CáiMạch tích hợp kỹ thuật số của bóng bán dẫn logic với điốt Schottky của dòng TTL.Các chip 1533TM9 là sáu flip-flop D đồng bộ với đầu ra trực tiếp. - Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 19 mA; - Giá trị cho phép của thế tĩnh điện: 200 V; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
192Vi mạch153УД15CáiVi mạch 153УД1 là bộ khuếch đại hoạt động có độ chính xác trung bình với điện áp đầu ra là ± 10 V.Được thiết kế chủ yếu để hoạt động ở tần số tương đối thấp.Để đảm bảo trở kháng đầu vào đủ cao, tầng vi sai đầu tiên hoạt động ở chế độ dòng thu thấp, do đó các điện dung ký sinh và hiệu chỉnh giới hạn điện áp đầu ra ở tần số cao.Sự không ổn định của hoạt động được loại bỏ bằng cách đưa vào các mạch hiệu chỉnh bên ngoài.Được sản xuất bằng công nghệ lưỡng cực và được thiết kế để hoạt động trong các thiết bị vô tuyến-điện tử chuyên dụng.Chúng được sản xuất trong một hộp kim loại-kính tròn với các dây dẫn để gắn trên bảng mạch in.Việc đánh dấu được áp dụng bằng mã chữ và số trên vỏ vi mạch.Chứa 90 phần tử tích phân.Các đặc tính kỹ thuật và vận hành chính: - Dải điện áp cung cấp: ± 15,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 8 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.Thời hạn sử dụng được đảm bảo là 25 năm kể từ ngày sản xuất.Thời gian hoạt động tối thiểu của vi mạch:- 100.000 giờ ở chế độ và điều kiện kỹ thuật cho phép;- 120.000 giờ làm việc nhẹ.Thời gian bảo hành bắt đầu từ ngày sản xuất được in trên vi mạch.
193Vi mạch153УД68CáiKhuyếch đại thuật toán; Số chân:8 ;Tiêu chuẩn vỏ:301.8-2Điện áp cung cấp: ±15V±10%; Dòng tiêu thụ: ≤ 4mA; Nhiệt độ hoạt động: -600 ÷ +1250C; Thời gian hoạt động: 100000h
194Vi mạch153УД6Б6CáiChứa 36 phần tử tích phân.Loại vỏ 301,8-2, trọng lượng không quá 1,5 g.Các đặc tính kỹ thuật và vận hành chính: - Dải điện áp cung cấp: ± 15,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 4.0 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
195Vi mạch1564ИД72CáiĐược sản xuất trong một vỏ kim loại gốm hình chữ nhật để gắn trên bảng mạch in.Loại vỏ 402.16-33, trọng lượng không quá 1,5 g.- Điện áp cung cấp: 2 ... 6 V; - Dòng tiêu thụ, không quá: 0,16 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
196Vi mạch1564ЛА35Cái- Điện áp nguồn nuôi (2 ÷ 6)V; - Dòng tiêu thụ không quá 0,04mA;- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°С ... +125°С.
197Vi mạch1564ТЛ26CáiChip 1564TL2 bao gồm 6 bộ kích hoạt Schmitt đảo ngược.Được sản xuất trong một vỏ bằng thủy tinh đến kim loại hình chữ nhật để gắn trên bảng mạch in.- Dải điện áp cung cấp: 2 ... 6 V; - Dòng tiêu thụ, không quá: 0,02 mA; - Giá trị cho phép của thế tĩnh điện: 150 V; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ÷ + 125 ° C.
198Vi mạch1564ТМ25CáiĐược sản xuất trong một vỏ bằng thủy tinh đến kim loại hình chữ nhật để gắn trên bảng mạch in. - Dải điện áp cung cấp: 2 ... 6 V; - Dòng tiêu thụ, không quá: 0,04 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ÷ + 125 ° C.
199Vi mạch159НТ101В2CáiĐược sản xuất trong một vỏ tròn từ thủy tinh đến kim loại với các dây dẫn để gắn trên bảng mạch in.Việc đánh dấu được áp dụng bằng mã chữ và số trên thân chip.Trọng lượng không quá 1,3 g.Loại nhà 3101.8-8.01.
200Vi mạch159НТ1А5Cái- Điện áp gốc bộ thu .......... 20 V - Điện áp gốc bộ phát .......... 4 V - Điện áp giữa các bóng bán dẫn ...... .... 20 V - Dòng thu DC .......... 10 mA - Dòng thu xung (ti = 30 µs) .......... 40 mA - Công suất tiêu tán (tại T = -60 + 70 ° С) .......... 50 mW
201Vi mạch159НТ1Б7Cái- Điện áp gốc bộ thu .......... 20 V - Điện áp gốc bộ phát .......... 4 V - Điện áp giữa các bóng bán dẫn ...... .... 20 V - Dòng thu DC .......... 10 mA - Dòng thu xung (ti = 30 µs) .......... 40 mA - Công suất tiêu tán (tại T = -60 + 70 ° С) .......... 50 mW Thời
202Vi mạch159НТ1Г5Cái- Điện áp gốc thu: 20 V - Điện áp gốc phát: 4 V - Điện áp giữa các bóng bán dẫn: 20 V - Dòng điện cực thu không đổi: 10 mA - Dòng điện cực góp xung (ti = 30μs): 40 mA - Công suất tiêu tán (ở T = -60 + 70 ° С): 50 mW
203Vi mạch159НТ1Д7Cái- Điện áp gốc bộ thu .......... 20 V - Điện áp gốc bộ phát .......... 4 V - Điện áp giữa các bóng bán dẫn ...... .... 20 V - Dòng thu DC .......... 10 mA - Dòng thu xung (ti = 30 µs) .......... 40 mA - Công suất tiêu tán (tại T = -60 + 70 ° С) .......... 50 mW Thời
204Vi mạch159НТ1Е7Cái- Điện áp gốc bộ thu .......... 20 V - Điện áp gốc bộ phát .......... 4 V - Điện áp giữa các bóng bán dẫn ...... .... 20 V - Dòng thu DC .......... 10 mA - Dòng thu xung (ti = 30 µs) .......... 40 mA - Công suất tiêu tán (tại T = -60 + 70 ° С) .......... 50 mW
205Vi mạch1802ВВ14Cái- Loại vỏ:- 4138.42-3;- trọng lượng - 3,5 g.
206Vi mạch198НТ1А6CáiMa trận tranzistor n-p-n; Số chân: 14. Loại vỏ 401.14-5,trọng lượng không quá 0,8 g. Thông số kỹ thuật: ШП0.348.002ТУ. Thời gian hoạt động 100.000h
207Vi mạch1ККП15CáiĐược sản xuất trong vỏ kim loại gốm với các dây dẫn cứng để gắn trên bảng mạch in.Chứa 158 phần tử tích phân.Loại vỏ 402.16-23, trọng lượng không quá 1,5 gNhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.Dòng tiêu thụ: không quá 0,6 mA.Điện áp cung cấp: 4,2-13,5 V.
208Vi mạch1КЛА75Cáichứa 4 thành phần logic và 64 phần tử tích hợp.
209Vi mạch1КЛЕ102CáiĐược sản xuất trong một vỏ bằng thủy tinh đến kim loại với các dây dẫn cứng để gắn trên bảng mạch in.Chứa 54 phần tử tích phân.Loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 1 g.Dòng tiêu thụ: không quá 0,006 mA.Điện áp cung cấp: 4,2-13,5 V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
210Vi mạch1КЛЕ52CáiChứa 49 phần tử tích phân.Loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 1 g.Dòng tiêu thụ: không quá 0,006 mA.Điện áp cung cấp: 4,2-13,5 V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
211Vi mạch1КЛН25CáiChứa 19 phần tử tích phân.Loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 1 g.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.Dòng tiêu thụ: không quá 0,03 mA.Điện áp cung cấp: 4,2-13,5 V.
212Vi mạch1КТМ25CáiKích thước L * W * H mm 18x10x2Trọng lượng sản phẩm gr 0,8Phạm vi nhiệt độ hoạt động, ° C -60 đến +125Cung cấp hiệu điện thế 4,2 - 13,5VĐiện áp đầu ra mức thấp không quá 0,01 V; mức cao không nhỏ hơn 4,99 VMức tiêu thụ hiện tại không quá 0,12 mAThời gian trễ truyền tin không quá 150 ns
213Vi mạch1НТ25161CáiPK MAX công suất tiêu tán không đổi của bộ thu: 400mW; fГР tần số ngắt: không nhỏ hơn 200MHz; UКЭГ MAX điện áp cực phát cực đại: 45V; UЭбO MAX điện áp cực gốc cực đại: 4V; IК MAX dòng thu cố định tối đa cho phép: 400mA; IК И MAX dòng thu xung tối đa cho phép 800A;
214Vi mạch235ДА14CáiHoạt động dải tần số HF và VHF ở tần số lên đến 150MHz. Uип=6,3V±0,63V, Iпот≤ 0,4mA, fи≤300kHz
215Vi mạch235ПС16CáiChip 235PS1 được thiết kế để sử dụng trong thiết bị vô tuyến HF và VHF ở tần số lên đến 150 MHz.Được sản xuất trong gói polyme kim loại hình chữ nhật 11 chân với sự sắp xếp các chân theo chiều dọc.Đánh dấu của vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với dây dẫn được chỉ ra trên vỏ máy.
216Vi mạch235УР24CáiChip 235UR2 được thiết kế để sử dụng trong thiết bị vô tuyến HF và VHF ở tần số lên đến 150 MHz.Được sản xuất trong gói polyme kim loại hình chữ nhật 11 chân với sự sắp xếp các chân theo chiều dọc.Đánh dấu của vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với dây dẫn được chỉ ra trên vỏ máy.Thông số kỹ thuật: bK0.347.090TU.
217Vi mạch235УР34CáiHoạt động dải tần số HF và VHF ở tần số lên đến 150MHz. Uип=6,3V±0,63V, Iпот≤ 0,3mA, Uвхпор=3…9V, fи≤100kHz
218Vi mạch265УВ54CáiVi mạch 265UV5 là bộ khuếch đại đa năng một tầng.Có sẵn trong một gói kính-kim loại 15 chân với sự sắp xếp các chân theo chiều dọc để gắn qua các lỗ trên bảng mạch in.Đánh dấu của vi mạch và cách bố trí các chân cắm được chỉ định trên vỏ máy.Chứa 11 phần tử tích phân.Loại vỏ 1203.15-1, trọng lượng không quá 4,5 g.
219Vi mạch265УВ64CáiĐược sản xuất trên cơ sở công nghệ lưỡng cực.Chip 265UV6 là một bộ khuếch đại cascode.Có sẵn trong một gói kính-kim loại 15 chân với sự sắp xếp các chân theo chiều dọc để gắn qua các lỗ trên bảng mạch in.Đánh dấu của vi mạch và cách bố trí các chân cắm được chỉ định trên vỏ máy.Chứa 13 phần tử tích phân.Loại vỏ 1203.15-1, trọng lượng không quá 4,5 g.
220Vi mạch265УД14CáiVi mạch 265UD1 là một bộ khuếch đại vi sai.Có sẵn trong một gói kính-kim loại 15 chân với sự sắp xếp các chân theo chiều dọc để gắn qua các lỗ trên bảng mạch in.Chứa 13 phần tử tích phân.Loại vỏ 1203.15-1, trọng lượng không quá 4,5 g.Điện áp cấp nguồn cho chip ± 6,3 V ± 10%.Công suất tiêu thụ không quá 50 mW.
221Vi mạch286ЕП19Cái- Chuyển đổi và ổn định điện áp và dòng điện- Điện áp cửa mở:
222Vi mạch286ЕП212CáiVi mạch 286ЕП2 là mạch chuyển đổi và ổn định điện áp và dòng điện.Được thiết kế để sử dụng trong các nguồn cung cấp năng lượng thứ cấp cho các thiết bị điện tử có mục đích đặc biệt.Có sẵn trong một gói gốm hình chữ nhật phẳng, hai mặt, 6 chì để gắn trên bề mặt.Dấu chip và sơ đồ chân được chỉ định trên vỏ máy.Thời gian hoạt động tối thiểu ở các chế độ và điều kiện hoạt động theo thông số kỹ thuật cho phép, không ít hơn:- 75.000 giờ trong các chế độ và điều kiện được TU cho phép;- 100.000 giờ ở chế độ ánh sáng.Thời gian hoạt động đảm bảo được tính trong khoảng thời gian lưu trữ đảm bảo.Thời hạn sử dụng tối thiểu của vi mạch trong quá trình bảo quản:- trong kho chứa được sưởi ấm hoặc trong kho có độ ẩm và nhiệt độ được kiểm soát hoặc các vị trí lưu trữ đối với vi mạch được lắp trong thiết bị được bảo vệ hoặc nằm trong bộ phụ tùng thay thế được bảo vệ - 25 năm;- trong một cơ sở lưu trữ không được làm nóng - 16,5 năm;- dưới tán cây và trong khu vực thoáng đãng, được lắp vào thiết bị (như một phần của vật thể không được bảo vệ), hoặc trong một bộ phụ tùng thay thế - 12,5 năm.
223Vi mạch286ЕП58CáiChip 286EP5 là mạch dùng cho bộ chuyển đổi và ổn áp, dòng điện.Được thiết kế để sử dụng trong nguồn cung cấp năng lượng thứ cấp cho thiết bị điện tử cho các mục đích đặc biệt.Có sẵn trong một gói gốm hình chữ nhật phẳng 6 chì với sơ đồ chân hai mặt để gắn bề mặt của bảng mạch in.Đánh dấu của vi mạch và cách bố trí các chân cắm được chỉ định trên vỏ máy.Chứa 488 phần tử tích phân.Thông số kỹ thuật: - chấp nhận "VP" bK0.347.017TU; - chấp nhận "OSM" bK0.347.017TU, P0.070.052.Nhiệt độ làm việc: -60 ... + 100 ° С.
224Vi mạch2ТС613Б16CáiCấu tạo của cụm tranzito: npn;Рк max : 800 mW;Ukbo max: 60 V;Uebo max : 4 V;Ik max : 400 mA;Ik và max: 800 mA;Nhiệt độ môi trường ........ -60 ... +125 ° С
225Vi mạch2ТС622А29CáiMa trận transistor 2ТС622АCấu trúc tranzito: p-n-p;Fгр: >200 МHz;Uкэr max : 45 V;Uэбо max: 4 V; Iк max : 400 mА;Iк и max : 600 mА;Iкбо 10 mA;Ск 15 pF; Rкэ нас 3,25 Ом;tрас : 120 ns;
226Vi mạch301НР5ЕВ20Cái301HP5EB là mảng điện trở loại R-2R.Chúng được sử dụng để chuyển đổi mức điện áp trong thiết bị điện tử cho các mục đích đặc biệt.Chúng có sẵn trong một gói hình chữ nhật 28 chân pin đôi để gắn qua lỗ trên bảng mạch in.Đánh dấu của vi mạch và cách bố trí các chân cắm được chỉ định trên vỏ máy.Thân hình chữ nhật loại 255AMP.28-1, trọng lượng không quá 10 g
227Vi mạch30Д109А8CáiThiết bị quang điện tử đa kênh bao gồm ba bộ ghép quang riêng biệt.Mỗi optocoupler được hình thành bởi một điốt phát quang dựa trên hợp chất arsenide gali-nhôm và một điốt quang silicon.Được thiết kế để sử dụng trong các thiết bị điều khiển điện tử và các thiết bị tự động hóa để cách ly điện của mạch điện.Được sản xuất trong vỏ bằng thủy tinh đến kim loại để gắn trên bề mặt bảng mạch in.Chúng được đánh dấu bằng mã chữ và số trên thân của optocoupler.Khối lượng của thiết bị không quá 0,49 g.
228Vi mạch30Т110Б5CáiPhạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ...+ 125 ° С.Điện áp đầu vào: không quá 2V.Dòng ra tối đa 10 mA.Điện áp cách ly tối đa 1000V.
229Vi mạch30Т126А3Cái- Điện áp đầu vào: không quá 2 V;- Điện áp dư đầu ra: không quá 0,3 V;- Dòng rò ở đầu ra: không quá 10 μA;- Điện trở cách điện: không nhỏ hơn 100 GΩ;- Thời gian tăng của tín hiệu đầu ra: 2 ns;- Thời gian phân rã của tín hiệu đầu ra: 2 ns;- Dòng điện đầu vào tối đa: 30 mA;- Dòng đầu vào xung tối đa: 100 mA;- Điện áp ngược đầu vào tối đa: 0,5 V;- Điện áp chuyển mạch tối đa ở đầu ra: 30 V;- Dòng ra tối đa: 10 mA;- Điện áp cách ly tối đa: 1000 V- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C ÷ + 80°C
230Vi mạch313НР3105Cái313HP310 là bộ chia điện áp nối tiếp.Chúng được sử dụng trong các đơn vị và khối thiết bị vô tuyến điện tử cho các mục đích đặc biệt.Có sẵn trong một gói hình chữ nhật phẳng hai mặt, 34 chân để gắn trên bề mặt PCB.Đánh dấu của vi mạch và cách bố trí các chân cắm được chỉ định trên vỏ máy.Chứa 20 phần tử tích phân.
231Vi mạch514НД13CáiĐược sản xuất bằng công nghệ lưỡng cực và được thiết kế để làm việc trong các thiết bị vô tuyến-điện tử chuyên dụng.Chúng được sản xuất trong một gói hình chữ nhật bằng gốm-kim loại phẳng với sơ đồ chân hai mặt để gắn trên bề mặt bảng mạch in.Chúng được đánh dấu bằng mã chữ và số trên thân chip.Chứa 4 phần tử tích phân.Loại nhà ở 402.16-7, trọng lượng không quá 1,4 g.
232Vi mạch521СА30129Cái- Dải điện áp cung cấp: ± 15.0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 6 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
233Vi mạch530ЛА12Cái- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 5%; - Dòng tiêu thụ, không hơn: 18 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C..+125°C.
234Vi mạch530ЛА165CáiChứa 42 phần tử tích phân.Loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 0,65 g.'- Điện áp cung cấp: 5,5 V ± 5%;- Dòng tiêu thụ, không quá: 44 mA;- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -10 ° C ... + 70 ° C.
235Vi mạch530ЛА175CáiDòng tiêu thụ: không quá 15 mA.Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%.Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ...+ 125 ° С.
236Vi mạch530ЛА22CáiChứa 25 phần tử tích phân.Loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 0,65 g.'- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%;- Dòng tiêu thụ, không hơn: 10 mA;- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C..+125°C.
237Vi mạch530ЛА32CáiChứa 76 phần tử tích phân.Loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 0,65 g.'- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%;- Dòng tiêu thụ, không hơn: 36 mA;- Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
238Vi mạch530ЛН12Cái- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không hơn: 54 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C..+125°C.
239Vi mạch530ТВ93CáiChứa 142 phần tử tích phân.Loại nhà ở 402.16-32.Khối lượng không quá 2 gĐiện áp nguồn: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 50 mA.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
240Vi mạch533ИЕ145CáiBộ đếm thập phân đặt trước.Kiểu đóng gói: 401.14-5U: + 5V ± 10%;I ≤ 27 mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
241Vi mạch533ИЕ199CáiChip 533IE19 bao gồm hai bộ đếm bốn chữ số với chức năng đồng bộ hóa và thiết lập lại riêng lẻ.Chứa 258 phần tử tích phân.Loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 0,65 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 26 mA.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
242Vi mạch533ИР165Cái- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không hơn: 31 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
243Vi mạch533ИР2310CáiChip 533IR23 là một thanh ghi bộ đệm tám bit đồng bộ với điều khiển nghịch đảo, với thông tin cài đặt ban đầu.Chứa 365 phần tử tích phân.Loại vỏ 4118.24-1, trọng lượng không quá 2 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 40 mA.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
244Vi mạch533ИР810CáiThanh ghi dịch chuyển nối tiếp tám bit với các đầu ra song songKiểu đóng gói: 401.14-5U: + 5V ± 10%;I ≤ 27 mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
245Vi mạch533ЛА1310Cái- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không hơn: 4,4 mA; - Ura logic_0 ≤ 0,4V; Ura logic_1 ≥ 2,5 - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C ... + 125°C.
246Vi mạch533ЛА215Cái- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không hơn: 1,1 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C..+125°C.
247Vi mạch533ЛЕ410CáiChip 533LE4 bao gồm ba phần tử logic 3OR-NOT.Chứa 66 phần tử tích phân.Loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 0,45 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° C.
248Vi mạch533ЛИ165CáiChứa 104 phần tử tích phân.Loại vỏ 401.14-5, trọng lượng không quá 0,45 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
249Vi mạch533ЛЛ110Cái- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không hơn: 9,8 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
250Vi mạch533ЛН119CáiDải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%; Dòng tiêu thụ, không hơn: 6,6 mA; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
251Vi mạch533ЛП85Cái- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không hơn: 20 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C ... + 125°C.
252Vi mạch533ТЛ212Cái- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không hơn: 21 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
253Vi mạch533ТМ215CáiHai flip-flops DKiểu đóng gói: 401.14-5.U: + 5V ± 10%;I ≤ 4 mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
254Vi mạch533ИД66CáiIC TTL, loại vỏ 402.16-32, trọng lượng không quá 1,2 g. Dòng tiêu thụ: không quá 13 mA. Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 + 125 ° С. Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%. Ura logic_0 ≤ 0,4V; Ura logic_1 ≥ 2,4. Thời gian hoạt động 100.000h
255Vi mạch533ИД76CáiChip 533ID7 là một bộ giải mã nhị phân theo tám hướng.Chứa 203 phần tử tích phân.Loại nhà ở 402.16-32.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 10 mA.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
256Vi mạch533ИЕ76CáiIC TTL, loại vỏ 402.16-18, trọng lượng không quá 1,5 g. Dòng tiêu thụ: không quá 31 mA. Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 + 125 ° С. Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%. Ura logic_0 ≤ 0,4V; Ura logic_1 ≥ 2,4. Thời gian hoạt động 100.000h
257Vi mạch537РУ162CáiChip 537RU16A là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh có dung lượng 64 kbit (8k x 8).Có sẵn trong một vỏ kim loại gốm với các dây dẫn cứng để gắn trên bảng mạch in.Đánh dấu của vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với dây dẫn được chỉ ra trên vỏ máy.Loại nhà ở: 4183.28-2.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 85 ° С.Dòng tiêu thụ, không quá 1 mA.Điện áp cung cấp: 5,0 V ± 5%
258Vi mạch537РУ92CáiChip 537RU9 là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh với dung lượng 16.384 bit (2k x 8).Được phát hành trong vỏ kim loại gốm với kết luận cứng nhắc.Chứa 101,732 phần tử tích phân.Loại vỏ 4131.24-3, trọng lượng không quá 2,5 g.
259Vi mạch541РУ110CáiDải điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; Dòng tiêu thụ, không quá: 100 mA; Giá trị cho phép của điện áp tĩnh: 150 V; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 85 ° C.
260Vi mạch541РУ26Cái- Dải điện áp cung cấp: 5,0 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 100 mA; - Giá trị cho phép của điện áp tĩnh: 150 V; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C..+85°C.
261Vi mạch542НД18CáiVi mạch 542ND1 là một cầu diode.Chứa 4 phần tử tích phân.Loại vỏ 402.16-7, trọng lượng không quá 1,4 g.Nhiệt độ hoạt động: -60- + 125 ° С.Thông số kỹ thuật: TR3.454.000TU.
262Vi mạch544УД1А5CáiChứa 32 phần tử tích phân.Loại vỏ 3101.8-8.01, trọng lượng không quá 2,0 g.Điện áp cung cấp: ± 15 V ± 10%.Dòng tiêu thụ: không quá 3,5 mA.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
263Vi mạch544УД1Б5CáiChứa 32 phần tử tích phân.Loại vỏ 3101.8-8.01, trọng lượng không quá 2,0 g.Loại chất lượng: "VP", "OSM".Điện áp cung cấp: ± 15 V ± 10%.Dòng tiêu thụ: không quá 3,5 mA.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С
264Vi mạch544УД2А7CáiDải điện áp cung cấp: ± 15 V ± 10%; Dòng tiêu thụ, không hơn: 7A; Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 100°C.
265Vi mạch550УП19CáiVi mạch 550UP1 là bộ khuếch đại cuối cùng DC và AC.Được sản xuất bằng công nghệ lưỡng cực và được thiết kế để làm việc trong các thiết bị điện tử cho các mục đích đặc biệt.Được sản xuất trong một gói cermet 16 chân với các chân hai mặt để gắn vào các lỗ của bảng mạch in.Chúng được đánh dấu bằng mã chữ và số trên thân chip.Chứa 182 phần tử tích phân.Loại nhà ở 201.16-1, trọng lượng không quá 2,0 g.Loại chất lượng: "VP", "OSM".
266Vi mạch556РТ16110Cái556PT161 là thiết bị nhớ chỉ đọc ba trạng thái, có thể lập trình được bằng điện, 64 kbit (8kx8).Được sản xuất trong một vỏ kim loại gốm với các dây dẫn cứng để gắn trên bảng mạch in.Vi mạch 556PT161 chứa 143 phần tử tích hợp.Loại nhà ở 405.24-3.03.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 160 mA.Nhiệt độ làm việc: -60 ... + 125 ° С.
267Vi mạch556РТ4А10Cái556PT4A là bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình bộ thu mở 1024 bit (256x4).Thông tin được người tiêu dùng ghi lại trong PROM (lập trình) bằng cách đốt các jumper nichrome với xung dòng điện 1 lần trong quá trình hoạt động của IC.Có sẵn trong một vỏ kim loại gốm với các dây dẫn cứng để gắn trên bảng mạch in.Chứa 2860 phần tử tích phân.Loại nhà ở 402.16-32.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 140 mA.Nhiệt độ làm việc: -60 ... + 125 ° С.
268Vi mạch556РТ7А16Cái- Dải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không hơn: 185 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
269Vi mạch559ИП15CáiDải điện áp cung cấp: 5 V ± 10%;Dòng tiêu thụ, không quá: 60 mA;Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
270Vi mạch564ГГ14CáiChứa 142 phần tử tích phân.Nhà ở 564GG1 loại 402.16-33.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.Dòng tiêu thụ: không quá 1,5 mA.Điện áp cung cấp: 4,2-18 V.
271Vi mạch564ИЕ1025CáiHai bộ đếm 4 bitKiểu đóng gói 402.16-23U: 4,2-13,5V; I ≤ 0,6mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động -60°С ÷ +125°С
272Vi mạch564ИЕ119CáiVi mạch 564ИЕ11 là một bộ đếm hướng lên nhị phân bốn bit.Được thiết kế để sử dụng trong các thiết bị điện tử vô tuyến có mục đích đặc biệt.Chúng được sản xuất trong một cơ thể thiêu kết với các dây dẫn cứng để gắn trên bảng mạch in.Việc đánh dấu các vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được chỉ ra trên vỏ máy.Chứa 319 phần tử tích phân.Trọng lượng không quá 1,5 g.Nhiệt độ làm việc: -60 ... + 125 ° С.Dòng tiêu thụ: không quá 0,6 mA.Điện áp cung cấp: 4,2-13,5 V.
273Vi mạch564ИР13В2Cáigói - mặt phẳng 24 chântrọng lượng - 1,5 g
274Vi mạch564КП18CáiNhiệt độ làm việc: -60 ... + 125 ° С.Dòng tiêu thụ: không quá 0,6 mA.Điện áp cung cấp: 4,2-13,5 V.
275Vi mạch564КП215CáiBộ ghép kênh: tám kênh.Kiểu đóng gói: 402.16-23U: 4,2-13,5V;I ≤ 0,3mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
276Vi mạch564ЛА718CáiBốn cổng logic 2 VÀ- ĐẢoKiểu đóng gói: 401.14-5U: 4,2-13,5V;I ≤ 0,006mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
277Vi mạch564ЛА812CáiBa phần tử AND-NOT 3 đầu vàoDạng đóng gói 402.16-23U: 4,2-13,5V; I ≤ 0,6mA;ΔTo:-60°С ÷ +125°С
278Vi mạch564ЛА914CáiBa phần tử AND-NOT 3 đầu vàoDạng đóng gói 402.16-23U: 4,2-13,5V; I ≤ 0,6mA;ΔTo:-60°С ÷ +125°С
279Vi mạch564ЛЕ515Cái- Dải điện áp cung cấp: 4,2-13,5 V.; - Dòng tiêu thụ, không quá: 0,006 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° C ... + 125 ° C.
280Vi mạch564ЛН114Cái- Dải điện áp cung cấp: 10 V ± 10%; - Dòng tiêu thụ, không quá: 0,1 mA; - Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60°C ... + 85 ° C.
281Vi mạch564ЛН235CáiSáu phần tử logic NOT có đầu ra nhớ đệm.Dạng đóng gói 402.16-23Điện áp cung cấp: 4,2-13,5V; Dòng tiêu thụ ≤ 0,6mA;Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° C.
282Vi mạch564ПУ410CáiSáu bộ chuyển đổi mứcKiểu đóng gói 402.16-32Điện áp cung cấp:4,3-13,5V;Dòng tiêu thụ ≤0,03mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động -60°С ÷ +125°С
283Vi mạch564ТЛ211Cái- Điện áp nguồn Uп = 5 ± 10%V; - Тhiệt độ hoạt động: -60°C ... + 125°C; Tuổi thọ tối thiểu: 25 năm.
284Vi mạch564ТМ220CáiVi mạch 564ТМ2 là hai flip-flop D có điều khiển động.Được thiết kế để làm việc trong các đơn vị và khối thiết bị vô tuyến điện tử chuyên dụng.Có sẵn trong một vỏ bằng thủy tinh đến kim loại với các dây dẫn cứng để gắn PCB.Việc đánh dấu các vi mạch và sơ đồ kết nối của các điện cực với các dây dẫn được chỉ ra trên vỏ máy.Chứa 128 phần tử tích phân.Trọng lượng không quá 1 g.Nhiệt độ làm việc: -60 ... + 125 ° С.Dòng tiêu thụ: không quá 0,12 mA.Điện áp cung cấp: 4,2-13,5 V.
285Vi mạch572ПА13CáiĐiện áp cung cấp của vi mạch là +5 V ± 5%, các mức logic đầu vào là TTL. Chip được cung cấp dưới dạng các tinh thể tách rời trong một hộp đựng đi kèm. Kích thước tinh thể 3,9 × 3,1 × 0,38 mm. Phạm vi nhiệt độ -10… + 70 OS. Đánh dấu vi mạch phù hợp với thông số kỹ thuật bK0.347.232 TU.Nhân bộ chuyển đổi kỹ thuật số sang tương tự cho 12 bit:- chế độ nhân hai góc phần tư với một bộ khuếch đại hoạt động bên ngoài;- chế độ nhân bốn góc phần tư với hai bộ khuếch đại hoạt động bên ngoài;- ghi và lưu trữ dữ liệu kỹ thuật số.
286Vi mạch572ПА1А5CáiVi mạch 572PA1A là một bộ chuyển đổi tín hiệu số sang tương tự nhân 10 bit.Được thiết kế để chuyển đổi mã nhị phân song song trực tiếp 10 bit ở đầu vào kỹ thuật số thành dòng điện ở đầu ra tương tự, tỷ lệ với giá trị của mã và điện áp tham chiếu.Được sản xuất trong một gói cermet 16 chân với các chân hai mặt để gắn vào các lỗ của bảng mạch in.Chúng được đánh dấu bằng mã chữ và số trên thân chip.Chứa 144 phần tử tích phân.Loại vỏ 201.16-8, trọng lượng không quá 2,0 g.
287Vi mạch585ИК015CáiChứa 1366 phần tử tích phân.Loại vỏ 4122.40-1.01, trọng lượng không quá 2,9 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 250 mA.Nhiệt độ làm việc: -60 ... + 125 ° С.
288Vi mạch585ИК025CáiChứa 1035 phần tử tích phân.Loại vỏ 4119.28-1.01, trọng lượng không quá 2,1 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 210 mA.Nhiệt độ làm việc: -60 ... + 125 ° С.
289Vi mạch585ИК035CáiChứa 424 phần tử tích phân.Loại nhà ở 4119.28-1.01, trọng lượng không quá 2,1 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 130 mA.Nhiệt độ làm việc: -60 ... + 125 ° С.
290Vi mạch585ИР128CáiIC bao gồm 8 flip-flops D thông tin, 8 thiết bị đệm đầu ra với ba trạng thái ổn định, một flip-flop D riêng Chứa 450 phần tử tích phân.Loại vỏ 405.24-2, trọng lượng không quá 1,8 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 145 mA.Nhiệt độ làm việc: -60 ... + 125 ° С.
291Vi mạch588ВА112CáiIC bao gồm bộ khuếch đại, bộ điều khiển bộ khuếch đại, bộ tạo bit chẵn lẻ và bộ điều khiển thông tin chẵn lẻ.Chúng được sản xuất trong một gói hình chữ nhật bằng gốm-kim loại phẳng với sơ đồ chân hai mặt để gắn trên bề mặt bảng mạch in.Chứa 1300 phần tử tích phân.Loại nhà ở 4119.28-3.01, trọng lượng không quá 8,0 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 0,1 mA.Nhiệt độ làm việc: -30 ... + 70 ° С.
292Vi mạch588ИР112CáiIC bao gồm một thanh ghi 8 bit, một khối để tạo ra một bit chẵn lẻ và kiểm tra thông tin về tính chẵn lẻ, một khối điều khiển để ghi - đọc thông tin và một khối 8x1 shapers.Chúng được sản xuất trong một gói hình chữ nhật bằng gốm-kim loại phẳng với sơ đồ chân hai mặt để gắn trên bề mặt bảng mạch in.Chứa 1500 phần tử tích phân.Loại nhà ở 4119.28-1.01, trọng lượng không quá 8,0 g.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Dòng tiêu thụ: không quá 0,1 mA.Nhiệt độ làm việc: -60 - +125 ° С.
293Vi mạch590КН310CáiBộ chuyển mạch tương tám kênh (4x2) với bộ giải mã.Kiểu đóng gói: 402.16-18Điện áp cung cấp: ± 15V ± 10%;Dòng tiêu thụ: không quá 40 mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động: -60 ° С ÷ + 125 ° С
294Vi mạch590КН411CáiKhoá tương tự 4 kênh; Số chân: 16; Tiêu chuẩn vỏ: 402.16-18; Điều kiện kỹ thuật: бК0.347.000-05 ТУ;Điện áp nguồn: Uп1= (13,5; 16,5)V, Uп2=(-16,5;13,5)V; Điện áp điều khiển mức thấp: (4;Uп1)V; Điện áp chuyển mạch: (-15;15)V Điện áp điều khiển mức cao: ≤Uп1 Điện áp ra mức thấp: ≤0,3V; Điện áp ra mức cao: ≥2,4V Dòng vào mức thấp:≤0,2mA; Dòng vào mức cao:≤0,2A; Thời gian mở khóa: 150нs (chân 9, 16), 300нs (срффт 4, 5); Dải nhiệt độ công tác: -60..125°C.
295Vi mạch590КН618CáiBộ chuyển mạch 4 kênh tín hiệu tương tự cùng với bộ giải mãKiểu đóng gói 402.16-18Điện áp cung cấp: ±15V±10%;Dòng tiêu thụ ≤ 1.5mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động -60°С ÷ +125°С
296Vi mạch594ПА15CáiVi mạch 594PA1 là bộ chuyển đổi tín hiệu số sang tương tự song song 12 bit với tổng dòng điện và được thiết kế để chuyển đổi mã 12 bit nhị phân thành dòng điện tương tự và có thể được sử dụng như một thiết bị giải mã trong công nghệ máy tính, trong các hệ thống tự động hóa, đo từ xa và thiết bị đo đạc.IC bao gồm bộ khuếch đại hoạt động (bù) để ổn định thời gian và nhiệt độ, công tắc dòng điện 12 bit và mạch điều khiển của chúng, bộ tạo dòng phóng điện và ma trận điện trở chính xác.Được sử dụng trong thiết bị điện tử cho các mục đích đặc biệt.Chúng được sản xuất trong một gói hình chữ nhật bằng gốm-kim loại phẳng với sơ đồ chân hai mặt để gắn trên bề mặt bảng mạch in.Chúng được đánh dấu bằng mã chữ và số trên hộp vi mạch.Chứa 177 phần tử tích phân.Vỏ 594PA1 loại 405.24-2, trọng lượng không quá 2,0 g.
297Vi mạch597СА2А20Cái597CA2A là thiết bị so sánh điện áp chính xác tốc độ cao với cổng và bộ nhớ.Các mức đầu ra điện áp đầu vào Gating tương thích với các mức mạch TTL.Được sản xuất trong một gói kim loại gốm phẳng với sơ đồ chân hai mặt để gắn trên bề mặt bảng mạch in.Chúng được đánh dấu bằng mã chữ và số trên thân chip.Chứa 93 phần tử tích phân.Vỏ 597CA2A loại 402.16-6, trọng lượng không quá 1,5 g.
298Vi mạch597СА2Б20CáiVi mạch 597SA2B là bộ so sánh điện áp chính xác tốc độ cao với chức năng đo và ghi nhớ trạng thái trước đó.Các mức đầu ra điện áp đầu vào Gating tương thích với các mức mạch TTL.Chúng được sử dụng trong thiết bị vô tuyến điện tử cho các mục đích đặc biệt.Được sản xuất trong một gói kim loại gốm phẳng với sơ đồ chân hai mặt để gắn trên bề mặt bảng mạch in.Chúng được đánh dấu bằng mã chữ và số trên thân chip.Chứa 93 phần tử tích phân.Vỏ 597SA2B loại 402.16-6, trọng lượng không quá 1,5 g.
299Vi mạch75АП0011CáiMáy phát mã nối tiếp nhị phân kênh đơn'- Điện áp nguồn ± 5V ± 5%; - Dòng tiêu thụ không lớn hơn 5mA; - Tần số làm việc 250KHz;- Nhiệt độ hoạt động: -60°C ... + 85°C.- trọng lượng - 7,5 g.
300Vi mạch75АП0021CáiMáy phát mã nối tiếp nhị phân kênh đơn'- Điện áp nguồn ± 5V ± 5%; - Dòng tiêu thụ không lớn hơn 5mA; - Điện áp ra mức logic_1 ≥ 4,1V; - Điện áp ra mức logic_0 ≤ 0,4V; - Tần số làm việc 250KHz;- Nhiệt độ hoạt động: -60°C ... + 85°C.- trọng lượng - 7,5 g.
301Vi mạchМ1006ВИ113CáiVi mạch M1006VI1 là một mạch cài đặt thời gian (bộ đếm thời gian) và được thiết kế để tạo ra các xung điện áp kéo dài từ vài micro giây đến hàng chục phút, phát hiện lỗi trong một chuỗi xung, cung cấp độ trễ thời gian chính xác và được sử dụng trong cảm biến thời gian ổn định, máy phát xung , bộ điều chế độ rộng xung, tần số và pha, bộ chuyển đổi điện áp và tín hiệu, mạch chính, cơ cấu chấp hành trong hệ thống điều khiển, giám sát và tự động hóa.Có sẵn trong một gói cermet hình chữ nhật 14 chân với các chân gắn PCB xuyên lỗ.Việc đánh dấu được áp dụng bằng mã chữ và số trên thân chip.Chứa 51 phần tử tích phân.Nhà ở M1006VI1 loại 201.14-10.Điện áp cung cấp: 5-15 V.Dòng tiêu thụ: không quá 15 mA.Nhiệt độ làm việc: -60 ... + 125 ° С.
302Vi mạchН1806ВМ21CáiChip H1806VM2 là bộ xử lý đơn chip VLSI.Chúng được sử dụng để làm việc trong các đơn vị và khối thiết bị điện tử cho các mục đích đặc biệt.Chúng được sản xuất trong một gói gốm-kim loại phẳng với sự sắp xếp hai mặt của các chốt để gắn trên bề mặt bảng mạch in.Chúng được đánh dấu bằng mã chữ và số trên thân chip.Loại vỏ H18.64-1B. - chấp nhận "5" bK0.347.456TU.Điện áp cung cấp: 5 ± 10% V.Nhiệt độ hoạt động: -60 ... + 125 ° С.
303Vi mạchПС2А16CáiTiêu chuẩn kỹ thuật: бКО.347.127-02ТУTrọng lượng 1,5 gLỗi nhân ở cài đặt bên ngoài ±1%Tính phi tuyến tính của phép nhân với đầu vào X
304Vi mạch597СА3А9CáiĐược sản xuất trong một gói kim loại gốm phẳng với sơ đồ chân hai mặt để gắn trên bề mặt bảng mạch in.Chứa 74 phần tử tích phân.Vỏ 597CA3A loại 402.16-6, trọng lượng không quá 1,5 g.
305Vi mạch140УД910CáiKhuếch đại thuật toán; Số chân:12 ;Tiêu chuẩn vỏ: 310.12-2; Điện áp nguồn: 25,2V; Iпот: 8mA; Ki: 35000; Ucm: 5mV; Iвх: 350нA;f1: 1MHz; Vi: 0,2V/μs; Uвых max: 10V; Rвх: 20MOm; Nhiệt độ môi trường: -60..125°C; Tuổi thọ: 25 năm.
306Vi mạch140УД210Cái- Khuếch đại thuật toán; Số chân:12 ;- Tiêu chuẩn vỏ: 301.12-1- Điện áp nguồn Uп = ± (12,6 ± 0,6); - Dòng tiêu thụ ≤ 8mA;- Dải nhiệt độ hoạt động: -60°C ... + 125°C.
307Vi mạch198НТ5Б10CáiMa trận tranzistor p-n-p; Số chân: 14. Loại vỏ 401.14-5,trọng lượng không quá 0,8 g. Thông số kỹ thuật: ШП0.348.002ТУ. Thời gian hoạt động 100.000 giờ
308Vi mạch198НТ5А15CáiMa trận tranzistor p-n-p; Số chân: 14. Loại vỏ 401.14-5,trọng lượng không quá 0,8 g. Thông số kỹ thuật: ШП0.348.002ТУ. Thời gian hoạt động 100.000 giờ
309Vi mạch590КН710CáiBộ chuyển mạch 4 kênh tín hiệu tương tự cùng với bộ giải mãKiểu đóng gói 402.16-18Điện áp cung cấp: ±15V±10%;Dòng tiêu thụ ≤ 1.5mA;Phạm vi nhiệt độ hoạt động -60°С ÷ +125°С
310Vi mạch284ПУ16CáiBộ chuyển đổi tín hiệu; Số chân: 14. Loại vỏ 1203.15-4; trọng lượng 2g
311Vi mạch153УД210Cái4 phần tử logic 3N-HE; Điện áp làm việc 5V; Nhiệt độ làm việc từ -60 đến 125 độ
312Vi mạch giữ chậmЛЗЕ-2,0-600В6CáiDây trễ chịu nhiệt LZT-2.0-600V-20 được thiết kế để làm trễ tín hiệu điện và sự sắp xếp theo thời gian của các xung trong thiết bị định vị radar, vô tuyến, làm trễ tín hiệu vi ba.Tiêu chuẩn kỹ thuật: GI0.206.004TUThông số kỹ thuật của dòng trễ LZT-2.0-600V-20:• Thời gian trễ ...... 2 ms• Trở kháng ...... 600 Ohm• Dải nhiệt độ hoạt động ..... . từ -60 ° С đến +150 ° С
313Xen xinСКТ-220-1Д-СЕРИЯ 22CáiMáy biến áp sin SKT-220-1D được thiết kế để làm việc trong các mạch biến áp để truyền góc quay trục từ xa, và có thể được sử dụng như một cảm biến vị trí góc trong các thiết bị điều khiển. Nó là một máy vi âm điện xoay chiều có cuộn dây đồng tâm hình sin, trong đó cảm ứng lẫn nhau giữa cuộn dây stato và rôto thay đổi theo quy luật hình sin phụ thuộc vào góc quay của rôto. Đặc tính kỹ thuật của thiết bị máy biến áp sin-cos SKT-220-1D : Độ chính xác - 0,2, 0,35, 0,5; Không đối xứng điện từ - tối thiểu không quá ± 5,0 hồ quang, tối thiểu ± 10,0 hồ quang, ± 15,0 hồ quang tối thiểu. ; Tỷ số giữa điện áp tối thiểu của máy biến áp sin-côsin của thiết bị SKT-220-1D với độ dốc - tối thiểu 7,5 hồ quang, tối thiểu 10,0 hồ quang, tối thiểu 15,0 hồ quang; Sai số tái tạo điện áp theo luật lượng giác - không quá 0,2%, 0,35%, 0,5%; Điện áp cực đại của thiết bị biến áp sin-cos SKT-220-1D - 8V; Mức tiêu thụ hiện tại - 21mA; Kích thước của thiết bị biến áp sin-cos SKT-220-1D: - đường kính - 20,5mm; - chiều dài - 42,4mm; Trọng lượng - 0,04 kg; Cấp điện áp thiết bị biến áp sin-cos SKT-220-1D - 36V; Tần số - 400Hz.
314Xen-xinСБ-20-1ВП6CáiĐiện áp kích thích - 36V; Tần số của điện áp kích thích của thiết bị không tiếp xúc selsyn SB-20-1VP là 400 Hz; Tốc độ trục - 25 vòng / phút; Mức tiêu thụ hiện tại - 0,012A; Điện áp đồng bộ hóa tối đa của thiết bị không tiếp xúc selsyn SB-20-1VP là 11V; Sự khác biệt giữa các điện áp đồng bộ tối đa - 1V; Mômen ma sát tĩnh của thiết bị selsyn SB-20-1VP không tiếp xúc - 4 ∙ 10 -4 N ∙ m; Selsyns không tiếp xúc SB-20-1VP được chia thành các cấp độ chính xác: - selsyn SB-20-1VP không tiếp xúc 1 cấp chính xác (1 cấp. T.) có các đặc điểm sau: - Sai số sau - ± 10 cung tối thiểu; - Sai số sau đối với phạm vi góc ± 30º - ± 8 cung tối thiểu; - Sai số sau đối với phạm vi góc ± 10º - ± 4 cung tối thiểu; - EMF dư ở đầu ra của SPT - 30mV; - Độ dốc - 0,17V / độ góc; - Dòng điện do cuộn dây kích từ của cảm biến tiêu thụ - 0,1A; - Sự không đối xứng của các vị trí không của rôto - ± 8 hồ quang min; - EMF dư - 40mV; - Lớp chính xác thứ 2 không tiếp xúc của selsyn SB-20-1VP (2 ô. T.) có các đặc điểm sau: - Sai số sau - ± 20 vòng cung min; - Sai số sau đối với phạm vi góc ± 30º - ± 12 cung tối thiểu; - Sai số sau đối với phạm vi góc ± 10º - ± 8 cung tối thiểu; - EMF dư ở đầu ra của SPT - 50mV; - Độ dốc - 0,17V / độ góc; - Dòng điện do cuộn dây kích từ của cảm biến tiêu thụ - 0,1A; - Sự không đối xứng của các vị trí không của rôto - ± 16 hồ quang min; - EMF dư - 60mV; - Cấp độ chính xác thứ 3 không tiếp xúc của selsyn SB-20-1VP (3 ô. T.) có các đặc điểm sau: - Sai số sau - ± 30 cung tối thiểu; - Sai số sau đối với phạm vi góc ± 30º - ± 20 cung tối thiểu; - Sai số sau đối với phạm vi góc ± 10º - ± 12 cung tối thiểu; - EMF dư ở đầu ra của SPT - 70mV; - Độ dốc - 0,17V / độ góc; - Dòng điện do cuộn dây kích từ của cảm biến tiêu thụ - 0,1A; - Sự không đối xứng của các vị trí không của rôto - ± 40 hồ quang min; - EMF dư - 80mV; Trọng lượng - 0,07 kg; Đường kính ngoài của thiết bị không tiếp xúc selsyn SB-20-1VP là 20 mm; Chiều dài với các đầu ra của trục - 55,5 mm; Tải trọng rung động: - dải tần - lên đến 300 Hz; - gia tốc - 100m / s 2 ; Tải trọng tác động - 120m / s 2 ; Nhiệt độ môi trường - từ -60 ° С đến + 100ºС; Độ ẩm không khí tương đối ở mức 40ºС - 98%; Bảo hành thời gian hoạt động - 2200 giờ;
Mẫu sô 03: TIÊU CHUẨN ĐÁNH GIÁ VỀ NĂNG LỰC VÀ KINH NGHIỆM

STTMô tảYêu cầuNhà thầu độc lậpNhà thầu liên danh
Tổng các thành viên liên danhTừng thành viên liên danhTối thiểu một thành viên liên danh
1Lịch sử không hoàn thành hợp đồngTừ ngày 01 tháng 01 năm 2019(1) đến thờiđiểm đóng thầu, nhà thầu không có hợp đồng không hoàn thành(2).Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngMẫu 12Mẫu 12
2Năng lực tài chính
2.1Kết quả hoạt động tài chínhNhà thầu kê khai số liệu tài chính theo báo cáo tài chính từ năm 2019đến năm 2021(3)để cung cấp thông tin chứng minh tình hình tài chính lành mạnh củanhà thầu.Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngMẫu 13Mẫu 13
Giá trị tài sản ròng của nhà thầu trong năm gần nhất phảidương.
2.2Doanh thu bình quân hàng năm từ hoạt động sản xuất, kinhdoanhDoanh thu bình quân hàng năm tối thiểu là 5.403E9(4) VND, trong vòng 3(5)năm gần đây.Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngKhông áp dụngMẫu 13Mẫu 13
2.3Yêu cầu về nguồn lực tài chính cho gói thầu(6)Nhà thầu phải chứng minh có các tài sản có khả năng thanhkhoản cao(7) hoặc có khả năng tiếp cận với tài sản có khả năngthanh khoản cao sẵn có, các khoản tín dụng hoặc các nguồn tàichính khác (không kể các khoản tạm ứng thanh toán theo hợp đồng)để đáp ứng yêu cầu về nguồn lực tài chính thực hiện gói thầu vớigiá trị là 9.1E8 VND(8).Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu nàyKhông áp dụngKhông áp dụngMẫu 14, 15Mẫu 14, 15
3Kinh nghiệm thực hiện hợp đồng cung cấp hànghoá tương tựSố lượng tối thiểu các hợp đồng tương tự(9) theo mô tảdưới đây mà nhà thầu đã hoàn thành toàn bộ hoặc hoàn thành phầnlớn(10) với tư cách là nhà thầu chính (độc lập hoặc thành viênliên danh) hoặc nhà thầu phụ(11) trong vòng 3(12) năm trở lại đây (tính đến thời điểm đóng thầu): Hợp đồng sử dụng Nguồn vốn ngân sách Nhà nước.
Số lượng hợp đồng bằng 3 hoặc khác 3, ít nhất có 01 hợp đồng có giá trị tối thiểu là 2.522.000.000 VND và tổng giá trị tất cả các hợp đồng ≥ 7.566.000.000 VND.
Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu (tương đương với phầncông việc đảm nhận)Không áp dụngMẫu 10(a), 10(b)Mẫu 10(a), 10(b)
4Khả năng bảo hành, bảo trì, duy tu, bảo dưỡng, sửa chữa,cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp các dịch vụ sau bán hàngkhác(13) Nhà thầu phải có đại lý hoặc đại diện có khả năng sẵn sàngthực hiện các nghĩa vụ của nhà thầu như bảo hành, bảo trì, duy tu,bảo dưỡng, sửa chữa, cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp cácdịch vụ sau bán hàng khác theo các yêu cầu như sau:

a) Bảo hành sản phẩm ít nhất 12 tháng.b) Thực hiện các nghĩa vụ ngoài bảo hành như hỗ trợ (hoặc tư vấn sửa chữa, hoặc cung cấp dịch vụ kỹ thuật) và cung cấp hàng hóa thay thế trong 05 năm. c) Có đại lý/đại diện có khả năng sẵn sàng thực hiện các nghĩa vụ của nhà thầu như bảo hành, bảo trì, duy tu, bảo dưỡng, sửa chữa, cung cấp phụ tùng thay thế hoặc cung cấp các dịch vụ sau bán hàng khác theo các yêu cầu như sau: - Cử ngay cán bộ hỗ trợ khắc phục hay xử lý tạm thời để đảm bảo an toàn cho thiết bị trong vòng 48 giờ... kể từ khi nhận được yêu cầu của chủ đầu tư; - Thời gian sửa chữa, khắc phục các hư hỏng, sai sót: không quá 10 ngày kể từ khi nhận được yêu cầu của chủ đầu tư, trường hợp phải đặt hàng với nước ngoài: không quá 60 ngày.

Không áp dụngPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu nàyPhải thỏa mãn yêu cầu (tương đương với phần công việc đảmnhận)Không áp dụng
Mẫu sô 04(a): YÊU CẦU NHÂN SỰ CHỦ CHỐT

STTVị trí công việcSố lượngTrình độ chuyên môn
(Trình độ tối thiểu, Chứng chỉ hành nghề...)
Tổng số năm kinh nghiệm
(tối thiểu_năm)
Kinh nghiệm
trong các công việc tương tự
(tối thiểu_năm)
Mẫu sô 04(b): THIẾT BỊ THI CÔNG CHỦ YẾU

Bạn muốn tìm kiếm gói thầu thế mạnh của mình? Hãy để bidwinner quét và lọc giúp bạn:

searchBắt đầu tìm kiếm
Bạn muốn nhận thông báo mời thầu hàng ngày theo bộ lọc từ khóa thông minh qua email cá nhân?

emailĐăng ký email của tôi
-->